Kafedrasi nurmetova saida karimjon qizi


QURUQ KISLORODDA KREMNIYNI TERMIK OKSIDLASH


Download 334.32 Kb.
Pdf просмотр
bet2/4
Sana08.06.2018
Hajmi334.32 Kb.
1   2   3   4

QURUQ KISLORODDA KREMNIYNI TERMIK OKSIDLASH 

 

 



Quruq  kislorodda  yuqori  temperaturali  oksidlash  usuli  kremniyni 

oksidlash  usullari  orasida  keng  tarqalgan  bo’lib  (5-rasm),  u  yuqori  sifatli 

niqob xossasiga va kremniy–oksid chegara qismida bog’langan zaryadlarning 

kichik zichlikdan, ya’ni 

 dan kam olishni ta’minlaydi. 


 

14 


            

 

 



 

 

 



 

 

 



 

 

 



 

4 - rasm. Suv bug’I oqimida kremniyni oksidlash qurilmasi: 

1 – termometr; 2 – qarshilik qizdirgich pechkasi; 3 – termopara. 



 

15 


 

 

 



 

 

 



 

 

 



 

 

5 - rasm. Suv bug’ining turlicha (

 2 


 3 


 4) miqdorlaridagi   



nam kislorod muhitida oksidlanishda kremniy oksidi qatlamining vaqtga 

bog’lanishi.   

 

 

16 


 

 

 



 

 

 



 

 

 



 

 

 



 

 

 



 

 

6 - rasm. Quruq kislorodda oksidlash qurilmasining sxemasi. 



 

17 


 

Atmosfera 

bosimida 

oksidlash 

jarayonining 

temperaturasi 

  oralig’ida  bo’ladi.  Oksidlashni  ancha  past  temperaturalarda 

ham olib borish mumkin. Biroq bu holda oksidning o’sishi sust bo’ladi. Past 

temperaturalarda 

kislorod 

bosimini 

oshirish 

oksidlanish 

jarayonini 

tezlashtirish imkonini beradi.  

 

Kislorodda  kremniyni  termik  oksidlash  uchun  qurilma  sxemasi 



ko’rsatilgan.  Qurilma  kirishma  diffuziyasi  jarayonini  o’tkazish  uchun 

qo’llaniladigan qarshilik pechkasi (5) dan iborat. Ishchi  zonada temperatura 

900

  oralig’ida  o’zlashtirilishi  mumkin.  Biroq  temperatura  aniqligi 



 sathda ushlab turiladi. Pechkaning ishchi kanaliga (6-rasm) reaktor (4) 

joylashtiriladi.  Ushlagich  (3)  ga  plastinalar  o’rnatilgandan  so’ng  reaktor 

joylashtiriladi.  Reaktorni  tashqi  reaksion  muhitdan  ajratish  uchun  shlif bilan 

ta’minlangan.  Reaktor  kirishi  kislorodni  beruvchi  sistemaga  ulangan,  unga 

kislorod  manbai  (odatda  bug’lantirgich  bilan  ta’minlangan  suyuq  kislorodli 

d’yuar idish), quritgich (1) va filtr (2) kiradi. Uzatuvchi magistralga jo’mrak 

ulangan bo’lib, kislorod sarfini boshqaradi va rotometr uning sarfini o’lchash 

uchun ulangan. Gaz oqimi tezligi soatiga bir necha o’n litrni tashkil qiladi. 

 

Kislorodda  kremniyning  termik  oksidlanishi  natijasida  parda  hosil 



bo’lishi quyidagi reaksiya bo’yicha ifodalanadi:  

 

 



 

 

 



Kremniyning oksidga o’tish jarayon uning tuzilmasi va 

 o’tish 


sohasi  tuzilmasini  aniqlaydi.  Kremniy  bilan  kislorod o’zaro  kimyoviy  ta’siri 

oksid–kremniy sirt qismida oksid sirtida, oksid ichida bo’lishi mumkin. 

 

Oksid  o’sish  tezligini  temperaturaga  va  parda  qalinligiga  bog’liqligini 



turli  bosqichlarda  nazorat  qilish  mumkin.  Oksidlanish  tezligi  past 

temperaturalarda,  asosan  kremniy  –  oksid  chegara  qismidagi  kimyoviy 

reaksiya kinetikasi bilan aniqlanadi.  

 

Yarimo’tkazgichli  asboblar  va  IMS  lar  ishlab  chiqarishda  kremniyni 



oksidlashning  ikki  va  uch  bosqichli  usullaridan  keng  foydalaniladi.  Bu 

usullar  yuqorida  ko’rilgan  usullarning  umumlashgan  ko’rinishidir.  Bunda 

oksidlovchi  sifatida  quruq  kislorod,  nam  kislorod  yoki  suv  bug’i  va  yana 

quruq kisloroddan ketma–ket foydalanishga asoslanilgan. Bunday texnologik 

jarayonda  hosil  bo’lgan  kremniy  oksidining  himyoviy  dielektrik  pardasi 

quruq  kislorod  muhiti  tartibli  parda  hosil  qiladi,  lekin  o’sish  tezligi  kichik, 

nam kislorod va suv bug’ida o’sgan parda tuzilishi  uncha takomilashmagan 

bo’ladi, lekin o’sish tezligi ancha yuqori bo’ladi. 



 

18 


 

Termik  o’stirilgan  pardalarning  chegara  qalinligi  1÷1.5  mkm  dan 

oshmaydi.  Planar  texnologiyada  amaliy  maqsadlar  uchun  oksidli  himoya 

pardalarning  qalinligi  0,2÷0,8  mkm  ni  tashkil  qilishi  kerak.  Undan  oshsa, 

talab  darajasidagi  mikrotasvir  o’lchamini  olish  qiyin  bo’ladi,  kamaysa 

pardada teshiklar va yoriqlarning bo’lish ehtimoli oshadi.  

 

KREMNIY  OKSIDI  PARDALARINI  PIROLITIK  O’TKAZISH 

 

 



Kremniy  oksidlarini  ancha  sodda  texnologik  usul  bilan  kremniysiz 

tagliklarda kremniyning turli organic birikmalarini pirolitik parchalanishidan 

olish  mumkin  (7-rasm).  Shunday  qilib,  bu  usul  kremniy  oksid  pardani  har 

qanday  materiallardan  tayyorlangan  materialga  o’tkazishi  mumkinligini 

ko’rsatadi.  Bu  usulning  zaruriy  afzalligi  shundaki,  bu  jarayon  ancha  past 

temperaturalarda o’tkaziladi.  

 

Shunday 


materiallardan 

tayyorlangan 

materialga 

o’tkazishi 

mumkinligini  ko’rsatadi.  Bu  usulning zaruriy  afzalligi  shundaki,  bu jarayon 

ancha  past  temperaturalarda  o’tkaziladi.  Ushbu  usulning  ikki  xilini  ko’rib 

chiqamiz. 

 

Tetraetoksisilaning  termik  parchalanishi 

 

Bu jarayonda reaksiya maxsulotlari to’g’ridan to’g’ri taglik sirtiga yoki 

alohida  kameraga  beriladi.  Tetroetoksisilan  Si(

  parchalanish 

reaksiyasi  700-750

  temperaturalarda  ro’y  beradi.  Reaksiya  natijasida 

kremniy  to’rt  oksidi,  kremniy  oksidi,  uglerod  oksidi  va  gaz  ko’rinishidagi 

organik  radikallar  ajralib  chiqadi.  Bu  reaksiyada  kislorod  manbai  bo’lib 

tetraetoksisilan o’zi xizmat qiladi.  Parda qalinligi jarayonni o’tkazish vaqtiga 

bog’liqligi  ko’rsatilgan.  Agar  tetraetoksisilanni  parchalanishi  taglik  bilan 

bitta  kamerada  o’tkazilsa,  unda  taglik  temperaturasi  piroliz  temperaturasi 

bilan bir xil bo’ladi. Agar parchalanish reaksiyasi bir kamerada, taglik boshqa 

kamerada  bo’lsa,  unda  taglik  temperaturasi  piroliz  temperaturasiga  nisbatan 

ancha kichik bo’ladi.  



 

Silanning kislorod bilan oksidlanishi 

 

Yarimo’tkazgichlar  texnologiyasida  monosilanni  kislorod  bilan 

oksidlash  afzal  usullardan  biri  bo’lib,  u  kremniy  oksid  pardani 

  turidagi  birikmalarning  stexiometrik  tarkibiga  ta’sir 

qilmagan holda o’tkazish imkonini beradi.  


 

19 


 

 

 



 

 

 



 

 

 



 

 

7 - rasm. Tetraetoksisilannni (TEOS) pirolizlash jarayonida kremniy 

oksidining o’sish kinetikasi: 

)

(



2

t

f

x

SiO



 

Kremniy  to’rt  oksid  hosil  bo’lishida  reaksiya  o’tishi  uchun  tashqi 

qizdirishning zarurati yo’q, biroq yuqori sifatli kremniy oksidi pardasini olish 

uchun jarayon 

 da olib boriladi.  

 

 



 

Bu  jarayonlarni  o’tkazish  uchun  boshlang’ich  moddalar  bo’lib 

monosilan 

 argon yoki azot (gaz–tashuvchi) va kislorod aralashmasidan 

foydalaniladi.  Kuchli  inerg  gaz  bilan  aralashtirilgan  silan  (3÷10  %)  keng 

oraliq  temperaturada  kremniy  to’rt  oksidni  o’tirish  tezligi  10-50  nm/min  ga 

erishish mumkin. 

 

Kisloroddan  tashqari  oksidlovchi  sifatida  kislorod  mavjud  birikmalar 



 lardan foydalanish ham mumkin. 

 

Yuqoridagi  usulda  olingan 



  parda  plastinka  sirti  bo’ylab  qalinligi 

bo’yicha tekis, kimyoviy tarkibi barqaror va diffuziya jarayonini o’tkazishda 

yaxshi  niqob  xossasiga  ega.  Bu  usulda  olingan 

  pardaning  asosiy 

xususiyatlaridan biri, ularda yedirish tezligining ancha yuqoriligidir. 

 

 



KREMNIYNI  ANOD  OKSIDLASH 

 

 

Anod oksidlashning ikki xili mavjud: suyuq elektrolitda kremniy sirtini 

oksidlash  va  gaz  plazmada  oksidlash.  Birinchi  holat  uchun  jarayon 

elektrolitik anodlash, ikkinchisi uchun gazli anodlash deyiladi. 



 

Elektrolitik anodlash 

 

Ma’lumki,  oddiy  sharoitda  kremniy  doimo  oksid  qatlami  bilan 



tahminan  uch  nm  qalinlikda  qoplangan,  kremniy  va  muhit  oralig’ida 

oksidlovchi  agent  mavjud.  Shuning  uchun  anod  oksidlashda  oksid  o’sishi 

faqat shu parda orqali reagentlar diffuzion yoki dreyf ko’chishi hisobiga ro’y 

berishi mumkin.  

 

Anod  oksidning  xususiyati  yarimo’tkazgich  –  elektrolit  chegara  qismi 



orqali  o’tuvchi  ion  tokining  parametri  bilan  aniqlanadi.  Anod  oksidlanish 

asosan o’zgarmas tok rejimida o’tkaziladi. Bu rejimni amalga oshirish uchun 

kerakli  sharoitni  yaratish  kerak.  Bunda  parda  qalinligi  o’sishi  bilan  oksidga 

qo’yilgan  kuchlanish  U  chizig’iy  ortadi.  Agar  oksidda  E  maydon  bir  jinsli 

deb ko’rsak, uning qiymati vaqtga bog’liq bo’lmaydi, unda:  

 


 

21 


 

 

bo’ladi. Bu erda, – chegara qismida ion tok zichligiM – oksidning gramm–



mollardagi miqdori; r – uning zichligi; aF – bir gramm–mol oksid hosil qilish 

uchun kerakli elektr miqdori; = 9,65 Kl/mol – Faradey soniga ham bog’liq 

elektrolitlar  sifatida  odatda  suv  miqdori  oz  bo’lgan  organic  eritmalardan 

foydalaniladi  va  undan  tashqari  oily  spirt  yoki  glitserindan  ham  foydalanish 

mumkin. 

Elektrolit 

o’tkazuvchanligini 

boshqarish 

uchun 

 

va 



boshqalarni 

kiritish 

mumkin. 

Bu 


birikmalarning  anionlari  oksidlovchi  rolida  elektrokimyoviy  jarayonlarda 

qatnashadi.  



 

Kremniyni  gazli  anodlash 

 

 



Bu usul elektrolitik anodlashga o’xshaydi, farqi shuki, bunda elektrolit 

o’rniga gazdan foydalaniladi. Gazli anodlash qalin oksid pardalar olish uchun 

qo’llaniladi.  Yuqori  chastotali  maydon  bilan  qo’zg’atilgan  kislorod  plazma, 

manfiy zaryadlangan kislorod ionlari manbai vazifasini bajaradi. Plazmadagi 

kislorod  ionlari  kremniy  plastinalari  bilan  ta’sirlashadi.  Oksidning  o’sishi 

anod  oksidlash  o’tkazish  rejimiga,  ya’ni  ishchi  kameraning  bosimiga, 

temperaturaga va plazma zichligiga bog’liq. 

 

Kremniyni past temperaturali ion – oksidlash 

 

 

Kremniyni  ion  –  plazma  oksidlash,  boshqa  yarimo’tkazgichlar  singari 

tagliklar, hatto xona temperaturasida, yuqori tezlikda pardalar olish imkonini 

beradi.  Bu  jarayon  yaxshi  boshqariladi.  Olingan  pardalar  yuqori  elektrik 

tavsifnomaga ega.  

 

Oksid  o’sish  tezligini  oksid  orqali  yarimo’tkazgich  atomlari  yoki 



oksidlovchi agent zarrachalar diffuziyasi yoki dreyf belgilaydi.  

 

Past  temperaturalarda  diffuziya  tezligining  ortishi  o’suvchi  qatlamda 



diffuziyalanuvchi  zarrachalar  konsentratsiyasi  gradiyenti  o’sishi  xisobiga; 

yarimo’tkazgichning  sirtiy  qismi  –  oksid  va  oksid  –  tashqi  muhit  orasidagi 

tezlashturuvchi maydon o’sishi bilan dreyf tezlikning ortishi hisobiga bo’ladi.  

 

Bu ikki omil kislorod tarkibli plazmada oksidning o’sish mexanizmiga 



ta’sir  qiladi.  Kislorod  plazmasida  oksidlanish  50÷200  Pa  bosimda  olib 

boriladi (8-rasm). Razryadni qo’zg’atish yuqori chastotali maydon (2,5 GGTs 

gacha)  bilan  amalga  oshrilib,  razryadda  quvvat  200  dan  to  1000  Vt  gacha 


 

 

 



 

 

 



 

 

 



 

 

8 - rasm. P = 600 Vt quvvatli, 

2

O

p

= 20 Pa bosimda o’tayuqori chastotali 

uyg’onishli kislorod plazmasida va turli potensiallarda (

 2 



 3



kremniyni oksidlash kinetikasi: 

)

(



2

t

f

x

S iO



 

 

 



o’zgarishi  mumkin.  Qurilma  uzluksiz  nazoratda  bo’lib,  chiqindilar  hajmdan 

chiqarilib  turiladi.  Reaksion  chiqindilarni  hajmdan  uzluksiz  chiqarishni 

pretsizion  jo’mrak  chiziqcha  yig’uvchi  yordamida  nazorat  qilinib,  kislorod 

oqimida  plazma  dinamik  rejimida  ushlab  turiladi.  Plazmaning  o’rtacha 

parametri quydagilar: elektron temperaturasi 5

 K, taglikga nisbatan anod 

potensiali  +35  V,  plazma  zichligi 

  el/


,  ionlanish  darajasi 

(5÷6)


.  Kremniy  plastina  yerga  ulangan  katodga  nisbatan  musbat 

potensial  (+50

  ostida  turadi.  Kremniyni  oksidlashda  oksidning 

o’sish tezligi 8÷10 nm/min tashkil qiladi.  

 

Oksid  o’sish  kinetikasi  parabola  qonuniga  bo’ysunadi  (9  va               



10-rasmlar).

 

Pardaning  katta  qalinliklarda  paraboladan  ozgina  og’ishi  katta 



energiyalik kislorod ionlari bilan oksidning changlanishidir. 

 

 



KREMNIY  NITRIDI  QOPLAMALARINI  OLISH.  

ARALASH  QOPLAMALAR 

 

 

Kremniy tort oksididan olingan himoya qatlamlarini ba’zi bir hollarda 



qo’llash  mumkin  bo’lmay  qoladi.  Bunga  Al,  Ga,  In,  kirishmalarning 

diffuziyasiga  nisbatan  niqob  vazifasini  bajarolmasligi,  oksid  qatlami            

0,1  ÷  0,15  mkm  dan  kam  bo’lgan  holda  B  va  P    lar  uzoq  vaqt  diffuziyasini 

niqoblash qiyinligi, ularning elektrik mustahkamligi nisbatan yuqori emasligi 

va nihoyat, natriyning diffuziya koeffitsienti yuqoriligi kiradi.  

 

Ba’zi bir hollarda niqoblash uchun kremniy nitridi 



 yoki kremniy 

nitridi va kremniy to’rt oksidi kombinatsiyasi qo’llaniladi.  

       Kremniy  nitridi  ancha  yuqori  kimyoviy  issiq  barqarorlikga,  elektrik 

chidamiylikga,  dielektrik  sindiruvchanlikga,  niqoblash  hossasiga  ega.  Natriy 

ionlarining  diffuziya  koeffitsienti  kremniy  nitridida  kremniy  to’rt  oksidiga 

nisbatan  bir  tartibga  kam. 

  -  Si

  tizimda  keng  sonly  kimyoviy 

birikmalar  –  kremniy  oksinitridlar  hosil  qilish  mumkinki,  ularning  turli 

ko’rinishlarini  olib  hossalarini  u  yoki  bu  tomonga  surish  mumkin.  Keng 

tarqalgan kremniy oksinitridlaridan biri 

.  


Kremniy nitridi qoplamalarning kamchiligiga  Si-

 tizimda Si-

  

tizimga  nisbatan  zaryad  zichligi  yuqori  va  nushani  yedirishda  vujudga 



keladigan 

qiyinchiliklar 

kiradi. 

Bu 


ikkala 

kamchilikning 

kombinatsiyalashgan  qoplamalar 

Si

  yoki  Si

  - 

Si

qo’llash  bilan  yo’q  qilish  mumkin,  ya’ni  kremniy  nitridi  qatlamini 

kremniy  sirtida  ham  vujudga  keltirish  mumkin.  Buning  uchun  azot  yoki 

uning aktiv brikmalari bilan kremniy sirti nitridlaniladi.  



 

24 


 

 

 



 

 

 



 

 

 



 

 

 



 

9 - rasm. Quruq kislorod muhitida turli temperaturalarda kremniyni 

oksidlash kinetikasi: 

)

(



2

t

f

x

SiO



 

25 


 

 

 



 

 

 



 

 

 



 

 

 



10 - rasm. Atmosfera bosimidagi suv bug’ida turli temperaturalarda 

kremniyni oksidlash kinetikasi: 

)

(



2

t

f

x

SiO



Sirtni to’g’ridan–to’g’ri nitridlash quyidagi reaksiyalar bo’yicha boradi:  

 

 

 

 

 



Reaksiyaga  asosan,  kremniy  nitridi  pardasini  ochiq  nay  usulida  olish 

mumkin.  Ishchi  kameraga  kremniy  plastinkalari  joylashtiriladi  va  u  orqali 

azot oqimi o’tkaziladi. Temperatura 1200 va oqim tezligi 300 

/min da 


kremniy  plastina  sirtida  kremniy  nitiridi  pardasi  hosil  bo’ladi.  Reaksiya 

asosan,  kimyoviy  reaksiya  bo’lishi  mumkin.  Olingan  qatlamlar  bir  jinsli 

emasligi va temperaturaning yuqori ekanligi bu usulning texnologiyada keng 

qo’llanilmasligiga olib keladi.  

      Silanni  ammiak  bilan  azotlashning  kimyoviy  reaksiyasini  qo’llash  past 

temperaturalarda,  ya’ni  700  ÷  1100 C  da  kremniy  nitridini  olish  imkonini 

beradi.  Bunda  1:20  nisbatda  silan  va  ammiak  (3

)

/min  tezlikda 



vodorod  oqimi  bilan  birgalikda  kremniy  plastinalar  joylashtirilgan  ishchi 

kamera  orqali  o’tkaziladi.  Odatda,  gaz  tashuvchi  va  reagentlar:  silan  (1  % 

gacha) ammiak (3 % gacha) lar sifatida foylaniluvchi, vodorod yoki argondan 

tashkil  etuvchi  ishchi  aralashmadan  foydalanilib  800  ÷  900 C  da  taglikda 

kremniy  nitridini  ham  o’tkazish  mumkin.  Bu  usulda  ishchi  aralashma  sarfi 

100 


/min bo’lib, jarayon vaqti parda qalinligiga qo’yilgan talabdan kelib 

chiqadi.  

 

 

HIMOYAVIY  DIELEKTRIK  PARDALARNING  

SIFATINI  NAZORAT  QILISH 

 

 

Planar  texnologiya  jarayonida  kremniy  to’rt  oksid  va  kremniy  nitridi 



himoyaviy  dielektrik  parda  sifatida  foydalanilganda  uning  uchta  asosiy 

ko’rsatkichlari nazorat qilinadi:  

 

1. Parda qalinligi;  



 

2. Qalinlikdagi ochiq tirqishlar;  

 

3. Kremniy – himoyaviy parda chegara qismidagi nuqsonlar miqdori. 



 

Himoyaviy  dielektrik  parda  qalinligi  –  planar  texnologiyada  diffuziya 

jarayonini o’tkazishda kristallarga legirlovchi kirishmalarning eng ko’p kirish 

chuqurligini aniqlovchi bosh mezon. 

 

Himoya  pardalarda  ochiq  tirqishlar  bo’lishi  kristall  taglikni  zararli 



legirlarnishiga  va  transistor  tuzilmalari  aktiv  sohalari  diffuziya  jarayonida 

qisqa ulanib qolishiga olib keladi.  



 

27 


 

Kreminiy–parda 

chegarasidagi 

nuqsonlar 

miqdori 

chegaradagi 

zaryadlar  zichligi  bilan  bog’langan.  Zaryadlar  zichligining  ortishi 

yarimo’tkazgichli asboblar va IMC elektrik parametrlarini yomonlashtiradi.  

 

Yarimo’tkazgichlar  texnologiyasida  dielektrik  parda  qalinligi 



mikrotortish, interferometer va ellipsometr usullari bilan aniqlanadi.  

 

Mikrotortish usuli  namuna  taglikka  dielektrik  pardani qoplamasdan  va 



qoplangandan so’ng mikrotortishga asoslangan.  

 

Parda qalinligi quyidagi ifoda bilan aniqlanadi: 



 

 



 

bu  yerda, 

-  pardasiz  taglik  massasi; 

  pardali  taglik  massasi;  s  –  parda 

maydoni; d – parda zichligi. 

 

Bu  usulda  aniqlangan  parda  qalinligining  aniqlilik  darajasi  tarozining 



sezgirligiga,  tortishning  aniqligiga,  parda  maydoni  va  parda  zichligini 

o’lchashlardagi xatoliklarga bog’liq.  

 

Kremniy to’rt oksid (Si



) va kremniy nitrid 

 asosidagi dielektrik 

pardalar  qalinligini  aniqlashning  ancha  sodda  usullaridan  biri  rang  usulidir.  

U  himoyaviy  parda  taglik  sirtiga  tushuvchi  oq  nurning  so’ndiruvchi 

interferensiyasiga  asoslangan.  Oq  yorug’likning  ma’lum  bir  qismi 

so’ndiruvchi  interferensiyada  qatnashib,  parda  sirti  bir  xil  rangda  ko’rinadi. 

Oq  nurning  ma’lum  spectral  tarkiblovchilarining  qaytgan  to’lqinda 

bo’lmasligi tufayli himoyaviy pardani ko’z bitta rang sifatida qabul qiladi.  

         Oq  yorug’lik  nurini  himoyalangan  parda  plastinka  sirtiga  normal 

tushishi  natijasida  so’nuvchi  interfrensiya  sharti  quyidagi  ko’rinishga  ega 

bo’ladi.  

 

λ 



 

bu  yerda,  d  -  dielektrik  pardalarning  qalinligi;  n  –  pardalarning  sindirish 

ko`rsatgichi;  λ  –  tushuvchi  yorug`lik  to`lqin  uzunligi;  k  =  1,  2,  3  - 

interferentsiya tartibi.  

 

Shunday  qilib,  himoyaviy  parda  rangi  uning  qalinligiga  to`g`ri  kelib, 



bunda  parda  qalinligi  oshishi  bitta  o`sha  rang  interferentsiya  tartibini 

o`zgarishi bilan qaytariladi. Kremniy to`rt oksidi va kremniy nitridi dielektrik 

pardalarning  qalinligini  aniqlash  uchun  1–jadvalda  ko`rsatilgan  rang  turlari 

to`plamidan  foydalanish  mumkin.  Rans  usuli  bilan  parda  qalinligini 

aniqlashda nisbiy xatolik 10 % dan oshmaydi.  

1   2   3   4


Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2019
ma'muriyatiga murojaat qiling