Kafedrasi nurmetova saida karimjon qizi


Download 334.32 Kb.
Pdf просмотр
bet3/4
Sana08.06.2018
Hajmi334.32 Kb.
1   2   3   4

 

 

1 - jadval. 

 

 



 

 

Rang 

 

Parda qalinligi, mkm 

1 – tartib 

2 – tartib 

3 – tartib 

4 – tartib 

 

 



 

 

 



 

 

 



Kulrang 

0,01 






Jigarrang 

0,05 







Ko’k 



0,08 





Binafsharang 



0,1 

0,9 


0,28 

0,21 


0,46 

0,34 


0,65 

0,52 


Havorang 

0,15 


0,12 

0,30 


0,23 

0,49 


0,36 

0,68 


0,53 

Yashil 


0,18 

0,13 


0,33 

0,25 


0,52 

0,38 


0,72 

0,57 


Sariq 

0,21 


0,15 

0,37 


0,28 

0,57 


0,42 

0,75 


0,61 

Zarg’aldoq 

0,22 

0,18 


0,40 

0,3 


0,60 

0,47 


0,78 

0,65 


Qizil 

0,25 


0,19 

0,44 


0,33 

0,62 


0,51 

0,81 


0,68 

Ellipsometrik usulda SiO

2  


va Si

3

N

4

 pardalarning qalinligini o`lchash chizig`iy 



qutblangan nurning himoyaviy parda sirtidan qaytishiga asoslangan. Ma`lum 

burchak  ostida  tushgan  nurni  qaytishida  elliptic  qutblangan  to`lqin  hosil 

bo`ladi.  Odatda,  qalinlikni  aniqlash  uchun  tushuvchi  va  qaytuvchi  to`lqinlar 

fazalari va amplitudalari orasidagi munosabatlardan foydalaniladi. 

 

Yorug`lik manbai sifatida lazer nurlaridan ham foydalanish mumkin.  



 

Ellipsometrik  usul  yordamida  yupqa  (0,1….  10  mkm)  va  o`ta  yupqa          

(0.1  nm  dan  10  nm  gacha)  pardalar  qalinligi  va  sindirish  ko`rsatgichlarini 

o`lchash mumkin.  

 

Dielektrik  pardalarni  tayyorlash  jarayoni  paytida  vujudga  kelib  qolishi 



mumkin  bo`lgan  g`ovaklarni  aniqlash  uchun  misning  elektrolitik  o`tirishi, 

diffuzion legirlash va elektrograf usullari qo`llaniladi.  

 

 Misni  elektrolitik  o`tqazish  usuli  quyidagilardan  iborat.  Sirtida 



kremniy  to`rt  oksidi  vujudga  keltirilgan  kremniy  plastina  mis  ionli 

elektrolitga joylashtiriladi. Bu plastinaga manfiy potentsial beriladi. Ikkinchi 

elektrod  vazifasini  bajaruvchi  va  elektrolitga  o`rnatilgan  mis  plastinkaga 

musbat  potentsial  beriladi.  Elektroliz  jarayonida  mis  ionlari  qaysi  joyda 

g`ovaklar mavjud bo`lsa o`sha yerga o`tiradi. Mis o`tirgan orolcha miqdoriga 

qarab  parda  sirti  to`g`risida  xulosa  chiqariladi.  Mikroskop  yordamida 

tirqishlar miqdori va ularning geometrik o`lchami aniqlanadi.  

 

Diffuzion  legirlash  usulitaglik  yarim  o`tkazgich  materialga  diffuzion 



jarayonda 

kirishmalar 

kirib 

material 



elektrik 

o`tkazuvchanligining 

o`zgartirishiga  asoslangan.  Diffuziya  jarayoni  o`tkazilgandan  so`ng 

pardaning  qayyerida  tirqishlar  bor  bo`lsa,  o`sha  yerdan  diffuziya  ketib, 

mahalliy  p-n  o`tishlar  hosil  qiladi.  Keyin  himoyaviy  parda  taglikdan 

ketkaziladi  va  mahalliy  p-n  o`tishlar  pardalardagi  g`ovaklar  miqdori 

to`g`risida ma`lumot beradi.  

 

Ancha  sodda  va  yetarlicha  samarali  usullardan  biri  elektrografik  usul 



bo`lib,  uning  yordamida  diametric  0.1  mkm.gacha  bo`lgan  tirqishlarni 

aniqlash imkoniyati bor. Undan tashqari, bu usulda pardani buzmagan  holda 

pardadagi tirqishlar joylashgan o`rnini, geometric o`lchami va zichligini aniq 

va tez aniqlash mumkin.  

 

Elektrografik 



usulda 

pardalardagi 

g`ovaklarni 

nazorat 


qilish 

quyidagicha  boradi.  Gidroxinonning  3-4  %  li  eritmasida  ho`llangan 



fotoqog`ozlar  plastinalar  sirtiga  joylashtiriladi.  Fotoqog`ozli  plastinkaga 

ikkita  metal  -  disk  elektrod  qisib,  ular  orqali  tok  o`tkaziladi.  Gidroxinon 

eritmada  ho`llangan  fotoqog`oz  o`tkazuvchan  bo`lganligi  uchun  pardaning 

qayyerida  tirqish  bo`lsa,  o`sha  yerdan  tok  o`tadi.  Mahalliy  o`tgan  toklar 

fotoqog`oz  emul`siyasiga  xuddi  yorug`lik  oqimiga  o`xshab  ta`sir    qiladi  va 

qora nuqtalar hamda orolchalar ko`rinishidagi tasvirlar hosil qiladi.  

 

Pardadagi nuqsonlart miqdori va o`lchami mikroskop bilan aniqlanadi. 



Dielektrik  -  yarimo`tkazgich  chegara  qism  holati,  dielektrik  osti  zaryad 

tashuvchilar  kontsentatsiyasi,  sirt  potentsiali,  dielektrikdagi  qo`zg`almas 

zaryadlar,  sirt  holatlar  zichligi,  qo`zg`almas  zaryadlar  yurg`unligi,  sirt 

holatlarning  relaksatsiya  vaqti  bilan  baholanadi.  Bu  parametrlarni  nazorat 

qilish uchun MDYa (metall-dielektrik yarimo`tkazgich) tuzilmalar tayyorlash 

va ularning vol`t-farada tavsifidan sirt holatlar zichligi va pardadagi zaryadlar 

aniqlanadi. 

Dielektrik-yarimo`tkazgich 

chegara 

qismi 


parametrlarini 

avtomatik qurilmalarda MDYa tuzilma vol`t-farada tavsiflarini o`lchash bilan 

ham nazorat qilish mumkin.  

 

 



YARIMO`TKAZGICH  ASBOBLAR  SIRTINI 

MUSTAHKAMLASH  VA  HIMOYALASH 

 

 



 

Hozirgi zamon mikroelektronikasida asosiy bosh talablardan biri butun 

apparatlar  va  bloklar,  alohida  elementlar  ishining  mustahkamligi  va 

chidamliligidir. Aniqlanganki, yarimo`tkazgichli asboblar va IMS turg`un va 

mustahkam  ishlashi  yarimo`tkazgich  sirt  holati  va  uning  tashqi  muhit  bilan 

o`zaro  ta`siri  hususiyatlari  bilan  bog`langan.  Asbobning  berilgan  ishlatish 

sharoitlari natijasida sirt holatlari turg`un bo`lishi, ayniqsa p-n-o`tish chiqqan 

joylarini tashqi muhit ta`siridan mustahkam himoyalash kerak.  

 

Keyingi  yillarda  himoya  qatlamlari  sifatida  kremniy  to`rt  oksida  SiO



2

kremniy  nitride  Si



3

N

4

,  alyuminiy  oksidi  Al



2

O

3

  yoki  shu  materiallarning 

kombinatsiyasi  asosidagi qatlam  materiallarini qo`llash  kengaymoqda.  Ba`zi 

bir  hollarda  tez  eriydigan  silikatli  yoki  xal`kogenidli  himoya  pardalaridan 

muvaffaqiyatli foydalanilmoqda.  

  

Hozirgi  zamon  konstrustsiyalarida  himoya  pardalar  sifatida  kremniy 



organiklar: lak, kompaund va boshqalar keng qo`llanilmoqda.  

 

 



 

31 


ASBOBNING  ELEKTRIK  PARAMETRLARIGA   

p – n  O’TISHNING  SIRTIY  HOLATINING  TA’SIRI 

 

 



Elektron–kovak  o’tish  sirti  deganda,  yarimo’tkazgich  kristall  yoki 

yarimo’tkazgich  plastinka  sirtiga  chiqqan  qism  tushuniladi.  p–n  o’tishi 

chiqqan  yarimo’tkazgich  material  sirt  xolati,  p–n  o’tishdan  tashqari  qolgan 

yarimo’tkazgich  xajmining  fizik  xossasiga  nisbatan  asbobning  elektrik 

parametrlariga  ancha  kuchli  ta’sir  qiladi.  Agar  yarimo’tkazgich  kristall 

ichidagi  p–n  o’tish  tashqi  ta’sirlardan  mustahkam  himoyalangan  bo’lsa, 

kristall sirtiga chiqqan p–n o’tish esa qo’shimcha himoyalanishi kerak.  

 

Undan  tashqari,  yarimo’tkazgich  material  sirtining  tuzilishi  cheksiz 



uzun kristallning energetik zonasidan boshqacha bo’ladi. Sirt tuzilishi qisman 

uzilgan  atomlardan  tashkil  topadi.  Chunki,  xar  bir  atomga  kovalent 

bog’lanish  uchun  juftliklar  yetishmaydi,  unda  bu  bog’lanishlar  to’yinmagan 

bo’lib qoladi va u energetik holatga ekvivalent bo’lib,  sathlar man qilingan 

zona ichida yotadi.  

 

Shunday  qilib,  elektronlarni  egallab  olish  yo’li  bilan  atomlar  o’z 



aloqalarini  to’ldirishga  intiladi.  Natijada  yarimo’tkazgich  material  turiga 

qaramay akseptor sathlar xosil bo’ladi.  

 

Shu  bilan  birga  yarimo’tkazgich  materialda  gaz  va  suyuqlik 



ko’rinishdagi  o’zga  modda  atomlarning  adsorbsiyasi  natijasida  yuqoridagi 

sathlardan  tashqari  qo’shimcha  sirt  holatlari  hosil  bo’lishi  mumkin. 

Adsorbsiyalashgan  atomlarning  xossalariga  bog’liq  ravishda  yana  hosil 

bo’lgan sathlar akseptor yoki donor bo’lishi mumkin.  

 

Agar  yarimo’tkazgich  material  sirtiga  elektronlarni  agallab  oladigan 



atom  yoki  molekula  adsorblashsa,  unda  akseptor  sathlar hosil bo’ladi.  Agar 

bu  holda  yarimo’tkazgich  material  elektron  o’tkazuvchanlikka  ega  bo’lsa, 

unda  elektronlar  o’tkazuvchanlik  zonasidan  yoki  donor  sathdan  Fermi 

sathida,  pastda  yotuvchi  akseptor  sathni  to’ldirshiga  intiladi.  Bu  esa  kristall 

sirtiga to’g’ridan–to’g’ri joylashgan elektronlar bilan to’la bo’lmagan yupqa 

yarimo’tkazgich  qatlam  hosil  bo’lishiga  olib  keladi.  Bu  yerda,  musbat 

zaryadlangan  donor  markazlar  hosil  bo’ladi.  Hosil  bo’lgan  elektr  maydon 

sunday  yo’nalganki,  yarimo’tkazgich  material  hajmidan  kelayotgan 

elektronlarni itaradi va energetik to’siqni vujudga keltiradi.  

 

Bunda,  yarimo’tkazgich–muhit  chegarasida  energetik  zona  va 



yarimo’tkazgich  material  sirtida  inversion  qatlam  vujudga  kelishi  mumkin. 

Gaz  molekulalari  yoki  bug’lari  adsorbsiyasi  fizik  yoki  kimyoviy  bo’lishi 

mumkin. Fizik adsorbsiya holida bug’lar va gazlar qattiq jism ionlari ta’sirida 

yarimo’tkazgich sirtida ushlanib qoladi.  



 

32 


 

Kimyoviy  adsorbsiyada  molekulalar  atomlarga  dissotsiyalanadi, 

yarimo’tkazgich  materialning  sirt  atomlari  bilan  ular  orasida  turg’un 

kimyoviy aloqalar hosil bo’lishi bilan valent elektronlar qayta taqsimlanishi 

yuz  beradi.  Shunday  suv  bug’lari  ikkala  mexanizmlar  yordamida 

yarimo’tkazgich  material  sirtiga  adsorbsiyalanadi,  bunda  dastlabki  ikki–uch 

qatlam  yarimo’tkazgich  panjara  atomlari  bilan  kuchli  bog’langan  bo’lib, 

qo’zg’almas  bo’lib  qoladi,  qolgan  qatlamlarda  suv  molekulari 

yarimo’tkazgich material sirti bo’ylab ko’chishi mumkin.  

 

Shunday qilib, turli gazlar va bug’lar adsorbsiyasi yarimo’tkazgich sirt 



yaqin  sohasida  fazoviy  zaryadlarni  hosil  qilishiga  olib  keladi.  Ancha  faol 

kimyoviy yutiluvchi gazlarga kislorod va suv bug’lari kiradi. Kislorod, azon 

hamda xlorning o’tirishi manfiy ishorali sirt zaryadlarni paydo bo’lishiga olib 

keladi.  Suv  bug’lari,  spirt,  atsetonlarining  o’tirishi  musbat  zaryadlarni  hosil 

qiladi.  

 

Yarimo’tkazgich  materialning  nam  sirtiga  o’tirgan  metal  ionlari 



(masalan,  natriy  miqdori 

    gacha)  bo’ladi  va  ionli  o’tkazgich  bo’lib 

qolishi mumkin. Shunday yarimo`tkazgich sirtiga chiqqan p-n o`tishga tashqi 

elektrik maydon qo`yilishi sirtiy ion tokini hosil qiladi va bu tok p-n o`tishni 

hajmiy tokdan  bir necha marta yuqori bo`ladi.  

 

Bundan  tashqari,  asboblarning  elektrik  parametrlari  o`zgarishida 



inversion qatlanlarning hosil bo`lishi bilan bog`liq bo`lgan sirqish toki ancha 

katta  rol  o`ynaydi.  Chunki,  p-n  o`tishga  yaqin  yarimo`tkazgich  sohasida 

paydo  bo`lgan  inversion  qatlam  yarimo`tkazgich  sirtiga  chiquvchi  p-n-

o`tishgatutashgan inversion kanal p-n o`tish samaraviy maydonini oshiradi va 

asbobning teskari tokini oshishiga olib keladi. Shunday qilib, ion yoki kanal 

o`tkazuvchanlik hisobiga asbob teskari toki ancha oshadi. 

 

Teskari  tokning  o`zgarish  xususiyati  bo`yicha  qaysi  mexanizm  asosiy 



rol  o`ynashini  bilish  mumkin.  Ionlar  toklari  uchun  kuchlanishga  bog`lanish 

chizig`iy,  kanal  toki  esa  kuchlanishning  kvadrat  ildiziga  proportsional 

o`zgaradi.  

 

Elektron-kovak  o`tishlarda  teshilish  kuchlanishi  kamayishi  ham 



kanallarning  mavjudligi  bilan  bog`langan.  Teshilish  kuchlanishi  p-n 

o`tishning  kanal  sohasida  hajmga  nisbatan  kichik,  chunki  kanal 

o`tkazuvcxhanligi taglik material - baza o`tkazuvchanligidan kattadir.  

 

Noasosiy  zaryad  tashuvchilarning  sirtiy  rekombinatsiya  tezligi 



yarimo`tkazgich  material  sirt  holatiga  ta`sir  qiluvchi  zaruriy  parametrlardan 

biridir.  Sirtiy  rekombinatsiya  tezligi  yuqorida  ko`rilgan  yarimo`tkazgich 

qatlami  sirtidagi  buzilishlar  adsorbsiya  mexanizmlari  hisobiga  hajmiy 

rekombinatsiyaga  nisbatan  ancha  yuqori  bo`ladi.  Shuning  uchun  asosiy 



 

33 


bo`lmagam  zaryad  tashuvchilarning  yashash  vaqti  faqat  hajmiy  nuqsonlar 

orqali aniqlanadigan vaqtdan ancha kichik. 

 

Tranzistorlarda  sirt  rekombinatsiyasi  oshishi  zaryad  tashuvchilar 



ko`chishi  koeffitsienti  kamayishiga  va  kuchaytirish  koeffitsienti  pasayishiga 

olib  keladi.  Asboblarning  uzoq  vaqt  ishlashi  davomida  ularning  elektrik 

parametrlarei yomonlashadi. Bunga asosiy sabab, birinchi o`rinda p-n o`tishli 

yarimo`tkazgich  kristall  sirtiy  holatining  o`zgarishidir.  Yarimo`tkazgich 

kristall sirt holati o`zgarishi tashqi muhitni o`zgarishi va uni yarimo`tkazgich 

materialga  ta`siri  tufayli  sodir  bo`ladi.  Shu  sababli  p-n  o`tishli 

yarimo`tkazgich  kristall  sirtining  himoyasi  sifatiga  faqat  tayyor  asbob 

elektrik parametrlarigina emas, balki ularning mustahkamligi va xizmat vaqti 

ham kiradi . 

 

Yarimo`tkazgichlar  texnologiyasida  p-n  o`tishli  yarimo`tkazgich 



kristall sirtiga tashqi agressif muhit ta`sirini yo`qotish uchun turli usullardan 

foydalaniladi.  Bu  esa,  asbobning  elektr  parametrlarini  ish  davomida  turg`un 

va uzoq vaqt saqlash imkonini beradi.  

 

 



ORGANIK QOPLAMALAR YORDAMIDA SIRTNI HIMOYALASH 

 

 



Elektron-kovak  o`tishlar  sirtini  tashqi  atmosfera  ta`siridan  himoyalash 

uchun  namga  chidamli  lak  yoki  konpaund  qoplamalardan  hozirgacha 

foydalanilib  kelinmoqda.  Bu  usul  birinchi  navbatda  planar  bo`lmagan 

asboblar, ya`ni qotishmali, qotishma - diffuzion, meza - qotishmali va meza - 

diffuzion asboblarni tayyorlashda qo`llaniladi.  

 

Laklar va kompaundlar billan himoyalash eng sodda texnologik usuldir. 



Ularning  sirtiga  oddiy  shprits  bilan  surkaladi,  binda  albatta  faqat  sirt 

qoplanmasdan,  uning  atrofi  va  kezakning  ma`lum  qismi  ham  laklanadi. 

Kremniy  organic  konpaundlar  tiristor  tuzilmalardagi  yoqlarni  himoyalash 

uchun  keng  qo`llaniladi.  Aytib  o`tish  kerakki,  sirtni  laklash  yoki  kompaund 

bilan  qoplashdan  oldin,  qoida  bo`yicha  u  oksidlanadi  yoki  boshqa  ancha 

mustahkam vositalar bilan himoyalanadi.  

 

Elektron-kovak o`tishlarni himoya qilish uchun materiallar sifatida turli 



kremniy  organik  laklar  va  kompaundlardan  foydalaniladi.  Ular  nisbatan 

namga  yuqori  chidamli  va  yaxshi  dielektrik  xossalariga  ega  ekanligi  bilan 

ajralib turadi.  

 

Elektron-kovak  o`tishli  yarino`tkazgich  kristall  sirtini  himoyalash 



uchun  laklar  va  kompaundlar  bilan  birgalikda  kremniy  organik  bazelinlar 

qo`llanilmoqda.  Vazelinlar  asosan  mayda  dispersion  to`ldirgich  qo`shilgan 



 

34 


kremniy organic suyuqliklardan olinadi. Ular yuqori izolyatsion xossaga ega 

(20


0

C  temperaturada  solishtirma  qarshiligi  10

14 

Om

  ּ



sm,  150

0

C  da  esa    10



12

 

Om



  ּ

sm, elektrik mustahkamligi 15 kV/m). 

 

Vazelinlarning  laklar  va  kompaundlardan  avzallik  farqi  shundan 



iboratki,  ular  yarimo`tkazgich  kristallga  surkalgandan  so`ng  mexanik 

kuchlanishlarni hosil qilmaydi.  

 

Organik  himoya  qoplamalarining  boshqa    bir  e`tiborli  ko`rinishlaridan 



biri,  silanlash  usuli  bo`lib,  unda  yarino`tkazgich  sirtidan  kremniy  organik 

polimer  pardalar  olinadi.  Bu  holda  parda  to`g`ridan  to`g`ri  yarimo`tkazgich 

sirtida 

monomer 


gidroliz 

jarayonida 

hosil 

qilinadi. 



Masalan, 

organogaloidosilan  R



4-i

SiX

1

  (i  =  1,  2,  3),  gidrolizi  reaksiyasi  hisobiga  parda 

vujudga  keladi.  Bu  yerda,  R  -  organik  radikal,  bular  sifatida  metal  CH

3

etil 


C

2

H

5, 


fenil C

6

H

6

; X - monomerni gidrolizlovchi qismi, masalan, galoid Cl, Br 

ishlatiladi. 

 

Gidroliz  -  polimerlash  reaksiyasi  oldindan  suyuq  metilxlorsilan  yoki 



silanni eritma va ularning karbon vodorod aralashmalarida namlangan  

namunalari,  silanlar  va  ularning  aralashma  bug`larida  ma`lum  vaqt  ushlab 

turilib o`tkaziladi.  

 

Botirish usuli yuqori himoyali xossaga ega bo`lgan pardsani (ayrimlari 



yaxshi yopishqoqlikni va suv o`tkazmaslikni) ta`minlaydi, biroq galodiosilan 

gidrolizi  paytida  ancha  miqdorda  vodorod  xlorid  paydo  bo`ladi.  Bu  esa, 

alyuminiy  kontaktlarni  yemirishi  mumkin.  Biroq  silanni  eritmaga  vodorod 

xloridni 

neytrallovchi 

kiritish 

mumkin. 

Eritmada 

galoidosilan 

konsentratsiyasini  boshqarish  hisobiga  botirish  jarayoni  boshqariluvchidir. 

 

Parda  qalinligi  0.3  mkm  dan  oshmaydi.  Sirtni  silanlash  usulining 



polimer  laklar  va  kompaundlarni  mexanik  qoplash  usuliga  nisbatan  asosiy 

afzalligi  yarimo`tkazgich  sirti  bilan  himoya  pardasi  orasidagi  kimyoviy 

bog`lanishning  mavjudligidir.  Bu  faqat  sirtga  yuqori  yopishqoqlikni 

ta`minlamasdan, nuqsonlarni kamaytirib, o`tishlarning teskari tavsifnomasini 

yaxshilash  imkonini  beradi.  Undan  tashqari,  eritmalarda  silanlash  usuli, 

murakkab uskunalar talab qilmagan holda, himoya pardalari gomogen o`sishi 

uchun ham sharoit yaratadi.  


 

35 


 

 

 



 

 

2 - jadval. 

 

 

 

Turi 

Quritish rejimi 

Solishtirma 

qarshiligi 

 

Vaqti, 

soat 

Temperaturasi, 

 

20  da  200  da  

Lak 


 

 

 



 

M – 49 


200 


 

 

K – 55 



150 


 

 

K – 1 



150 


 

 

PE – 518 



200 


 

 

KO – 961 



20 


 

 

Emal RPE – 



401 

200 



 

 

Kompaund 



12 

100 


 

 

Emal ES – 50 



180 


 

 


 

KREMNIY OKSIDI  VA  NITRIDLAR  BILAN  HIMOYALASH 

 

Yarimo`tkazgich  asboblar  va  IMSlar  ishlab  chiqarish  texnologiyasida 



kremniy  to`rt  oksidi  SiO

2

  va  kremniy  nitride  Si



3

N

4

  keng  qo`llanilmoqda. 

Asbobni  planar  tayyorlashda  himoya  pardalar  SiO

2 

va  Si



3

N

4

  boshlang`ich 

taglikka p-n o`tishlarni hosil qilishdan oldin qoplanadi.  

 

Himoya  pardalar  SiO



2 

va  Si



3

N

4

  mahalliy  diffuziya  o`tkazilishi 

yarimo`tkazgich  kristall  sirtiga  chiqqan  p-n  o`tishni  tashqi  ta`sirdan 

himoyalagan holda ajratish imkonini beradi.  

Dielektrik  SiO

2 

va  Si



3

N

4

  himoya  pardalarni  olish  usullari  batafsil 

berilgan.  Bu  yerda  biz  qotishmali,  qotishma-diffuzion  va  meza-qotishmali 

usullarda  olingan  p-n  o`tishlarni  himoyalash  usullari  haqida  to`xtalamiz.  Bu 

turdagi  asboblarga  himoya  pardalari  SiO

2 

va    Si



3

N

4

  p-n  o`tishlar  va  omik 

kontaktlar olingandan so`ng qoplanadi.  

Elektron-kovak  o`tishli  kremniy  kristall  sirtida  oksidli  himoyaviy 

pardalarini kuchli kimyoviy oksidlovchilarda ishlov berish yo`li bilan olinadi. 

Ko`pincha oksidlovchi sifatida azot kislotadan foydalaniladi. Kremniy sirtida 

hosil  bo`luvchi  himoya  pardasini  bir  jinsliligi  va  qalinligi  ko`pincha 

kimyoviy oksidlanish rejimiga bog`liq.  

Elektron-kovak  o`tishli  yarimo`tkazgich  plastinkalar  sirtiga  oksidli 

himoyaviy  pardalar  qoplash  uchun  kislorod  tarkibli  birikmalarning  suvli 

eritmalaridan ham foydalanish mumkin. Bu birikmalar kremniy bilan o`zaro 

ta`sirlashib  kislorod  ajraladi  va  sirtni  oksidlaydi.  Natijada  yupqa  himoya 

pardasini  hosil  qiladi.  Bunday  eritmalar  sifatida  quyidagi  aralashmalarni 

ko`rsatish mumkin; 100 ml suv va 50 mg natriy atsetati; 200 ml suv va 70 ml 

ortofosfor  kislota;  100  ml  suv  va  50  ml  oltingugurt  kislota;  150  ml  suv  va    

10  gramm  ikkinatriyfosfat  va  boshqalardan  foydalanish  mumkin.  Bu 

aralashmalarda  250 ÷ 350

0

C temperaturada 10 ÷15 soat ishlov beriladi.  



Kremniy plastinalar va p-n o`tishli kristallarni katalizator qatnashgan is 

gaz  muhitida  ishlov  berish  bilan  bir  jinsli  SiO

himoya  pardalarini  olish 



mumkin. Katalizator sifatida metan yoki etilen ishlatiladi. Bu usul qotishmali 

yoki diffuzion tuzilmalarda himoyaviy pardalarni olish imkoniyatini beradi. 

 

 




Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4


Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2019
ma'muriyatiga murojaat qiling