Kafedrasi nurmetova saida karimjon qizi


METAL   OKSID   PARDALAR   BILAN   HIMOYALASH


Download 334.32 Kb.
Pdf просмотр
bet4/4
Sana08.06.2018
Hajmi334.32 Kb.
1   2   3   4

METAL   OKSID   PARDALAR   BILAN   HIMOYALASH 

 

Metal  oksid  pardalar  yarimo`tkazgich  material  sirtida  himoya 

qoplamasini  hosil  qiladi.  Bu  pardalar  solishtirma  qarshiligi  10

14

  ÷  10



15

 

Om



  ּ

sm bo`lib, namga barqaror va issiqqa chidamlidir.  



 

37 


Yarimo`tkazgich  asboblar  ishlab  chiqarishda  p-n  o`tishli  kristallarni 

himoyalash  uchun  alyuminiy,  titan,  berilliy,  tsirkoniy  va  boshqalar  oksidlari 

asosidagi  himoya  pardalari  qo`lla  niladi.  Namunaviy    material  qum 

ko`rinishida olinadi. Tashuvchi vosita sifatida esa, galogen yoki vodorodning 

galoid  birikmalaridan  foydalaniladi.  Himoya  pardalarini  o`tkazish  reaktsion 

kameralarda  olib  boriladi,  unda  manba  va  yarimo`tkazgich  material  orasiga 

gradientli 

temperatura 

o`rnatiladi. 

Manba 


(qum) 

temperaturasi 

yarimo`tkazgich    temperaturasidan  yuqori  bo`ladi,  chunki  reaksiya 

mahsulotlari p-n o`tishlar sirtiga  o`tirishi kerak.  

Manba  va  yarimo`tkazgich  material  orasidagi  temperature  gradient 

oshoshi natijasida himoya pardasining hosil bo`lish tezligi o`sadi. Al



2

O

3

, BiO, 

TiO

2

,  Z

2

O

2

  himoya  pardalarni  o`tkazish  uchun  manba  temperaturasini 

800÷1200

0

C  diapazonda,  p-n  o`tishli  kristall  temperaturasini  350÷500



0

diapazonda  ushlash  kerak.  Manba  va  yarimo`tkazgich  kristall  orasidagi 



masofa temperatura gradientiga bog`liq ravishda 10 ÷ 20 sm bo`lishi kerak.  

 

Elektron-kovak  o`tishli  yarimo`tkazgich  plastinada  himoya  pardasi 



hosil  bo`lishning  texnologik  jarayoni  kvarts  nayda  olib  borilib,  uning  bir 

uchiga  manba,  masalan,  Al



2

O

3

,  li  tigel  va  ikkinchi  tomoniga  p-n  o`tishli 

kristallar  joylashtiriladi.  Kvarts  naydan  oldin  havo  chiqarilib,  keyin  kerakli 

miqdorda  tashuvchi  reagent  kiritiladi.  3-jadvalda  metal  oksidli  himoya 

pardalarini qoplash rejimi berilgan 

 

Yuqorida  ko`rilgan  metall  oksidli  himoya  pardalaridan  tashqari,          



p-n o`tishli yarimo`tkazgich materiallarni himoyalash uchun 7.5 % polietilen 

va  92.5  %  polibutilendan  tashkil  topgan  aralashmada  erigan  qo`rg`oshin 

surikni  manba  sifatida  ishlatish  mumkin.  Bu  aralashma  aralashtiriladi  va       

p-n  o`tish  sirtiga    surkaladi.  Quritish  temperaturasini  120  ÷  140

0

C  deb 



tanlanadi. Manba sifada ruhxromat ZnCrO

4  

hamda ZnCO



4

, SrCrO

4

 va Pb



3

O

4

 



lardan  aralashmadan  ham  foydalanish  mumkin.  Bunday  aralashma 

suspenziya hosil qilish uchun uchuvchi eritmalarni aralashtirib hosil qilinadi 

va p-n o`tishli kristall sirtiga surkaladi. Shundan so`ng 200

0

C temperaturada 



termik  ishlov  berish  natijasida  metall  oksidlihimoya  pardasi  hosil  bo`ladi. 

Himoya  pardalari  manbalari  sifatida  ishqoriy  yer  metallari:  titanatlar, 

tsirkonatlar va stannatlardan foydalanish ham mumkin.  

 

1-jadvalda 



yarimo`tkazgichlar 

texnologiyasida 

himoyalovchi, 

ajratuvchi  va  niqob  qatlamlari  sifatida  keng  foydalaniluvchi  materiallarning 

taqqoslama tavsifnomalari berilgan.  

 

 



 

 

38 


 

 

 

 

 

 

 

 



3 - jadval. 

 

 



Manba 

materiali 

Tashuvchi 

reagentlar 

Manba 

temperaturasi 

 

Plastina 

temperaturasi 

 

 

HCI, HBr 

800 ÷ 1200 

400 ÷ 500 

 

HCI, HBr 

900 ÷ 1200 

400 ÷ 500 

 

HCI, HBr, 



 

800 ÷ 1000 

480 ÷ 500 

 

HCI, HBr 

1000 ÷ 1200 

490 ÷ 800 



 

39 


SHISHA  PARDALAR  BILAN  HIMOYALASH 

 

Shisha  pardalar  bilan  himoyalash  ko`pchilik  turdagi  yarimo`tkazgich 

asboblar  va  IMSlar  uchun  qo`llaniladi.  Shisha  bilan  himoyalash  asboblar 

elektrik  parametrlarini  yaxshilaydi.  Chunki,  shisha  qatlami  p-n  o`tishda 

ko`chuvchi ionlar bilan bog`lanadi va elektrik parametrini maromga keltiradi.  

Shishali  himoyaviy  parda  asbobning  turg`unligini,  mustahkamligini  va 

ishlash  muddatini  orttiradi.  Shisha  to`g`ridan  to`g`ri  yarimo`tkazgich  sirtiga 

yoki  himoya  qatlami  ustiga  surkalishi  bilan  birga  chiqqichlarning  ma`lum 

qismiga ham qoplanishi mumkin.  

 

Kremniyli asboblarni himoyalash uchun borosilikatli, fosforosilikatli va 



qo`rg`oshin-silikatli 

shishalar, 

mos 

ravishda: 



m

  ּ


S

2

O

3

  ּ


N

  ּ


SiO

2

; 



m

  ּ


P

2

O

5

  ּ


N

  ּ


SiO

2

; m

  ּ

PbO

  ּ


N

  ּ


SiO

2

 lar qo`llaniladi. Albatta, ancha murakkab 



tarkibli 

shishalar: 

alyuminoborosilikatli 

m

  ּ


Al

2

O

3

  ּ


N

  ּ


BrO

3

  ּ


P

  ּ


SiO

2

ruhborosilikatli  m



  ּ

ZnO

  ּ


N

  ּ


BrO

3

  ּ


P

  ּ


SiO

2

  va  boshqalardan  ham  foydalanish 

mumkin. Undan tashqari, shisha tarkibiga modifikatorlar: Li

2

O; K

2

O

3

; Na

2

O; 

CaO; BeO va noyob yer metallarining oksidlari qo`shiladi.  

 

Ko`p  hollarda  shishani  organik  erituvchilar  (masalan,  spirtda)  kolloid 



eritma  ko`rinishida  olinadi.  Olingan  eritma  yoki  suspenziya  sepish  usulida 

taglik sirtiga o`tkaziladi va 600÷700

C da spirtni eritgandan  so`ng bir jinsli 



yupqa qatlam (0.1 mkm gacha) olinadi.  

 

Kremniy asosidagi p-n o`tishlarni himoyalashda alyumosilikat shishalar 



keng qo`llanilmoqda. Chunki, bu shishalarning termik kengayish koeffitsienti 

kremniyning  termik  kengayish  koeffitsientiga  deyarli  yaqin.  Oksidlangan 

kremniy sirtiga shishani o`tkazish himoyalanishni yanada yaxshilaydi. Bunga 

asosiy  sabab,  kremniy  oksid  qatlam  shisha  bilan  kremniy  orasidagi 

yopishqoqlikni oshiradi.  

 

4- va 5-jadvallarda ko`p qo`llaniladigan shishalar tarkibi keltirilgan.  



 

Alyumosilikatli  shisha  odatda  oksid  pardani  0.2  mkm  dan  yupqa 

bo`lmagan  qatlamli  kremniy  kristalliga  srkaladi.  Agar  oksid  qatlami  undan 

kam  bo`lsa,  oksid  qatlam  orqali  yarimo`tkazgich  materialga  natriy  ionlari 

kirib  borishi  mumkin.  Bu  esa  p-n  o`tish  elektrik  parametrlarini 

yomonlashtiradi. Shuning uchun alyumosilikatli shishalar asosan SiO



2

 qatlam 


mavjud yarimo`tkazgichli kristallarda qo`llaniladi.  

 

Himoya  pardalari  sifatida  hal`kogenid  shishalar  va  murakkab  tarkibli 



shishalar ham qo`llaniladi. 

 

 



 

 

40 


 

 

 



4 - jadval. 

 

 



Material tavsifnomasi 

 

 



 

Taqiqlangan zona, эВ 

8,0 

4,5 


5,0 

Nisbiy dielektrik 

singdiruvchanligi 

(past chastotali) 

4,0 

6 – 9 


8 – 9 

Singdirish ko’rsatkichi 

1,4 – 1,5 

2,0 


1,7 – 1,8 

Eng katta solishtirma 

qarshiligi, Om

  ּ


sm 

 

 



 

Kremniy bilan eng 

kichik sirtiy zaryad 

zichligi, 

 

 

 



 

Elektrik mustahkamligi, 

V/sm 

 

 



 

Termik kengayish koeff. 

200  da, 

 (Si uchun 

4,5 – 



0,4



 

3

 



4

 

Nisbiy radiatsiyaga 



chidamligi 

10 



100 

 


 

41 


 

 

 



 

 5 - jadval. 

 

 



Shisha 

birikma 

nomeri 

Tarkiblar, % 

 

 



BeO 

CaO 


 

35 



35 

29,9 


0,1 


10 


55 

34,9 


0,1 


45 


20 

34,9 


 

0,1 


10 


60 

29,5 



0,5 



45 

49,5 



0,5 

 


 

 

NAZORAT  SAVOLLARI 

 

 

 

1. Planar texnologiya deganda qanday texnologiyani tushunasiz?  



 

2. Termik oksidlanish nima? 

 

3. Kremniy ikkioksidi qanday usullarda olinadi? 



4. Kremniy p-n o`tishlarni qanday himoyalash usullari bor? 

5. Laklar va kompaundlar nima maqsadlarda ishlatiladi? 

6. Silanli himoyalash deganda nimani tushunasiz? 

7. Metal oksid pardalar xossalari nimalardan iborat? 

8. Shisha pardalar p-n o`tishlarni qanday himoyalaydi? 

9. Oksidlanish kinetikasining mohiyati nimalardan iborat? 

10. Oksidlanish qalinligini hisoblash ifodasi qanday yoziladi? 

11. Piroliz usuli nimadan iborat? 

12. Anod oksidlanishi nimadan iborat? 

13. Ion-plazma usuli nimadan iborat? 

14.  Yarimo`tkazgichlar  texnologiyasida  SiO

2

  va  Si



3

N

4

  pardalar  nima 



maqsadlarda qo’llaniladi? 

 

 



 

 

43 


GLOSSARIY 

 

 

ADSORBLANISH – lot. ad yo‘nalish kelishigi qo‘shimchasi       va 

sorbeo  –  yutaman  -  modda  sirtiga  suyuq  va  gaz  holdagi  moddalarning 

yutilishi.  



AKSEPTOR  KIRISHMA  -  atomlari  akseptorlik  xossasiga  ega 

bo‘lgan kirishma. 



AKSEPTOR  -  uyg‘onmagan  holatda  panjaraning  egallanmagan 

mahalliy  sath  mavjud  bo‘ladigan,  uyg‘ongan  holatda  esa,  valent  sohadan 

elektronni o‘ziga tortib oladigan nuqsoni. 

AMORF  HOLAT  -  moddaning  qattiq  nokristall  holati;  hossalarning 

izotropligi va erish nuqtasining bo‘lmasligi bilan tavsiflanadi. 



ANGSTREM 

atom 



fizikasida, 

molekulyar 

optika 

va 


nanoelektronikada  qo‘llaniladigan  va  10

-

10



  m  ga  teng  bo‘lgan  tizimdan 

tashqari uzunlik birligi. 



ATOM  -  kimyoviy  element  xossalarini  o‘zida  saqlaydigan  uning  eng 

kichik qismi. 



DIELEKTRIKLAR  -  amalda  elektrik  tokni  o‘tkazmaydigan 

moddalar. 



DIFFUZIYA  -  biror  muhitda  atomlar,  molekulalar,  ionlar  va  boshqa 

yirikroq  zarralarning  issiqlik  harakati  oqibatida,  uning  konsentratsiyasi 

kamayishi yo‘nalishida moddaning (zarralarning) tarqalishi.  

 DIFFUZIYA  KOEFFITSIYENTI  -  zarraning  diffuziya  vaqtida 

ko‘chishining  o‘rtacha  kvadrati  bilan  vaqt  orasidagi  mutanosiblik 

koeffitsienti. 



DIOD  -  elektrik  tokni  faqat  bitta  yo‘nalishda  o‘tkazuvchi  va  elektrik 

zanjirga ulash uchun ikkita tutashuvga ega bo‘lgan vakuum, yarimo‘tkazgich 

va gaz razryadli elektron asbob. 

DISTILLYATSIYA  -  lot.  distillatio  -  tomchilab  oqish  -  suyuq 

aralashmalarni, ularning tashkil qiluvchilari turlicha qaynash temperaturasiga 

yoki  bug‘lanish  tezligiga  ega  bo‘lishiga  asoslanib,  birbiridan  farq  qiluvchi 

tarkiblarga ajratish.  



ELEKTR  AJRATGICH  -  dielektrik  singari  juda  katta  solishtirma 

elektr qarshilikka ega bo‘lgan modda. 



ELEKTR 

AJRATGICH 

MATERIAL 

elektr 



zaryadlarni 

neytrallashtirmaslik maqsadlarida qo‘llaniladigan dielektrik. 



ELEKTR AJRATGICH XOSSALARI - elektr ajratgich materialning 

yoki elektr ajratgichning texnik zaruriy elektr tavsiflari to’plami. 



 

44 


ELEKTRON-O‘TISH  -  n-tur  yarimo‘tkazgichning  turli  solishtirma 

elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan ikki sohasi orasidagi o‘tish. 



ELEKTRON-KOVAK O‘TISH - yarimotkazgichning biri n-tur elektr 

o‘tkazuvchanlikka, ikkinchisi esa, p-tur elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan 

ikki sohasi orasidagi o‘tish. 

ELLIPSOMETRIYA  -  suyuq  va  qattiq  jismlar  (kremniy  oksidi) 

sirtlarini  shu  sirtlardan  qaytgan  yoki  singan  yorug‘lik  dastasining 

qutblanganlik darajasi bo‘yicha o‘rganish usullari majmui. 

EPITAKSIYA  -  yunon.  epi  -  ustida  va  taxis  -  joylashish,  tartib  -  bir 

kristallning boshqasining ustida yo‘nalgan tarzda o‘sishi. 



KOGEZIYA  -  lot.  cohaesus  –  bog‘langan  -  jism  qismlarining 

orasidagi kimyoviy bog‘lanishlar sababli birlashib, eng katta mustahkamlikli 

bir butun bo‘lib tutinishi. 

XEMOSORBSIYA  -  kimyoviy  birikmalar  hosil  bo‘lishi  bilan  birga 

sodir bo‘luvchi adsorbsiya. 



YARIMO‘TKAZGICH ASBOBLAR - ishlashi bir jinsli va nobirjins 

p-n  o‘tishlarga,  geteroo‘tishlarga  ega  bo‘lgan  yarimo‘tkazgichlarning 

xossalariga asoslangan xilma-xil asboblarning umumiy nomi. 



YARIMO‘TKAZGICH DIOD - elektrik o‘tishga (o‘tishlarga) va ikki 

chiqishga ega bo‘lgan elektro‘zgartirgich asbob. 



YARIMO‘TKAZGICHLARNING 

SIRTIY 

XOSSALARI 

yarimo‘tkazgichning  boshqa  bir  muhit  bilan  bo‘linish  chegarasi  yaqinida 



zaryad  tashuvchilar(elektronlar  va  kovaklar)ning  o‘zini  qanday  tutishi  bilan 

bog‘liq bo‘lgan xossalari.  



 

 

45 


ADABIYOT 

 

1.  Зайнобиддинов  С.,  Тешабоев  А.  Яримўтказгичлар  физикаси.  Т. 



“Ўқитувчи”, 1999. 

2.  Тешабоев  А.Т.,  Зайнобиддинов  С.,  Эрматов  Ш.  Қаттиқ  жисм 

физикаси. Т. “Молия”, 2001.  

3. Азизов М.А. Ярим ўтказгичлар физикаси. Т. “Ўқитувчи”, 1974. 

4. Тешабоев А., Зайнобидинов С., Мусаев Э.А. Яримўтказгичлар ва 

яримўтказгичли асбоблар технологияси. Т. “ЎАЖБНТ” Маркази, 2005. 

5.  Пичугин  И.Г.,  Таиров  Ю.М.  Технология  полупроводниковқх 

приборов. М. “Высшая школа”, 1984. 

6. 

Курносов  А.И.,  Юдин  В.В.  Технология  производства 



полупроводниковых приборов. М. «Высшая школа», 1974. 

7.  Ҳабибуллаев  П.Қ.,  Назиров  Д.Э.,  Отажонов  Ш.О.,  Назиров  Д.Э. 

Физика изоҳли луғати. Т. “Ўзбекистон Миллий энциклопедияси” давлат 

илмий нашриёти, 2002. 

8.  Nazirov  E.N.,  Nazirov  D.E.,  Teshaboyev  A.T.  Yarimo’tkazgichlar 

fizikasi lug’ati. T. “Universitet”, 2008. 

9.  Юнусов  М.С.,  Власов  С.И.,  Назиров  Д.Э.,  Толипов  Д.О. 

Электрон асбоблар. Т. “ЎзМУ”, 2003.    



  

 

 



 



Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4


Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2019
ma'muriyatiga murojaat qiling