Kirish Optik tola va uning tuzilishi

Material dispersiyasi
Material dispersiyasi to ‘Iqin uzunligini tola materialining sindirish ko ‘rsatkichiga bogliqligi bilan aniqlanadi. Natijada tola materiali orqali har xil to ‘lqin uzunliklari turli tezliklarda uzatiladi. Optik tola, asosan, kvars shishasidan (Si02) ishlab chiqariladi. Har bir to ‘lqin tola materialidan turli tezliklarda uzatiladi. 1 — shaffoflik oynasida katta to‘lqin uzunliklari katta tezlikda, qisqa to‘lqin uzunliklari kichik tezliklarda uzatiladi. Masalan; 865 nm to‘lqin uzunligi 835 nm ga nisbatan katta tezlikda uzatiladi.
Bunga teskari 3 — shaffoflik oynasida qisqa to‘lqin uzunliklari katta tezlikda, uzun to‘lqin uzunliklari nisbatan kichik tezlikda uzatiladi. Masalan, 1535 nm to‘lqin uzunligi 1560 nm ga qaraganda tezroq uzatiladi. 2 — shaffoflik oynasining 1310 nm to‘lqin uzunligi nol dispersiyali to‘lqin uzunligi deyiladi. Chunki 1310 nm to‘lqin uzunligida kvars shishasini sindirish ko‘rsatkichi minimal. Material dispersiyasi bir modali optik tolalarda dispersiyaning asosiy tashkil etuvchisi hisoblanadi. Uzatish tizimlarining tezliklari oshgan sari bitlar orasidagi interval kamayadi, natijada dispersiya oshadi.

Yoruglik diodi, uning tuzilishi va ish mexanizmi
Yorugiik diodi nomonoxromatik va nokogerent nurlanish manbayi boiib, uni tayyorlashda GaAs, GaAlAs, InGaAsP, GaP, SiC kabi to‘g‘ri zonah yarimo‘tkazgich materiallardan foydalaniladi.
GaAs asosidagi yorugiik diodining odatiy tuzilishi ko‘rsatilgan. U n turdagi GaAs qatlami sirtiga rux atomlarini diffuziya qilib, p - GaAs qatlamini shakllantirish va shu tariqa p-n o‘tishli tuzilma hosil qilish yo’li bilan tayyorlanadi.
So‘ngra p - GaAs v an - GaAs qatlamlarining tashqi sirtlari mos ravishda aluminiyli va AuGe aralashmali pardasim on metallashtirilgan qatlam lar bilan qoplanadi va ularga oltin simli chiqqichlar o‘rnatiladi. Asbob asosini tashkil etgan kristallning yuza sirti o‘lchamlari 0,3 - 0,5 mm li kvadrat ko‘rinishiga ega bo‘ladi.
Tolali optik aloqa tizimlarida nurlanuvchi sirt yuzasi nisbatan kichik o‘lchamli (J=50 mkm) yorug‘lik diodlaridan foydalaniladi. Buning uchun yorug‘lik diodi emitter sohasi (p — GaAs sohasi)ning chetki qismlari protonlar bilan bombardimon qilinadi. Natijada bu qismlar nurlanish sohasini cheklovchi amorf tuzilishli dielektrik qatlamga aylanadi. Injeksion yorug‘lik diodi (uni bundan keyin qisqacha qilib, yorug‘lik diodi deb ataymiz) p-n tuzihshli optoelektron asbob bo‘lib, uning ish mexanizmi to‘g‘ri ulangan p-n o‘tish orqali n sohadan p sohaga injeksiyalanayotgan elektronlar va p sohadan n sohaga injeksiyalanayotgan kovaklarning o‘zaro rekombinatsiyasi jarayonidan foydalanishga asoslangan.

Bu jarayon natijasida elektronlar yuqori energiyali qo‘zg‘algan holatdan (o'tkazuvchanlik energetik sohasidan) quyi energiyali qo‘zg‘almagan holatga (valent elektronlarining energetik sohasiga) o‘tib, p-n o‘tish va unga yaqin hajmiy fazoda energiyasi quyidagi munosabat bilan aniqlanadigan fotonlar — yorug‘lik nurlanishi hosil bo‘ladi:



Xulosa

Biz optik aloqa tizimlari va tarmoqlari hamda ularda qo'llaniladigan qurilmalarning rivojlanish tamoyillari ko‘rib chiqdik. Shu bilan bir qatorda optik tolaning asosiy parametrlari haqida ma’lumotga ega bo’ldik.

Foydalanilgan adabiyotlar
1. Ctawpoe O.K. Современные волокно – оптические системы передачи. Аппаратура и элементы. SOLON-R 2001.
2. Nakatsuhara K., Hisain S. Opnical switching in a nonlinear directicnol coupler loaded with Bragg reflection. NICE 1999.
3. Poustie A.J., Blow K.J., Kelly A.E Manning R.J. All-optical binary counter. TuC3.1, ECOC’99, Nice, 1999.
4. Sklyarov O.K. Formirovatel opticheskix impulsov. Patent N21802418, prioritet ot 08.01.1991, zaregistrirovan 13.10.1993.