Kremniy asosida yaratilingan yorug’lik va harorat datchiklarining ishlash mexanizmi

Mamarasulov Qudratbek Shuhratbek o‘g‘li
Andijon mashinasozlik instituti “muqobil energiya manbalari” kafedrasi stajor o‘qituvchisi
e-mail:[e-mail] Tel:[phone].


Kremniy asosida yaratilingan yorug’lik va harorat datchiklarining ishlash mexanizmi


Механизм работы датчиков освещенности и температуры, созданных на основе кремния


The mechanism of operation of light and temperature sensors created on the basis of silicon


ANNOTATSIYA
Kremniyni marganes bilan legirlagandan keyin u n-tipli o‘tkazuvchanlik va Fermi sathi holati T=300 K da F=E_V+0,38 eV, T=100 K da F=E_V+0,15 eV ekanligi aniqlandi. Bu qayd shuni ta’kidlaydiki, marganes atomlari klasterlari maksimal zaryad holatida bo‘ladi, ya’ni . Bunda klasterlar E=E_V+0,16÷E_V+0,5 eV intervalda chuqur donor energetik sathlarini paydo qiladilar, bu sathlar amalda elektronlar bilan to‘ldirilmagan bo‘ladi. Donor sathlarining ionizatsiya energiyasi qancha katta bo‘lsa, ularning shuncha zaryad holatlari katta bo‘ladi, va o‘z navbatida ular elektronlarni anomal katta ushlab olish chegaralariga, kovaklarni shuncha kam ushlab olish chegaralariga ega bo‘ladilar: S_p<<S_n. Namunalarni h=0,16÷0,8 eV energiyali fotonlar bilan yoritilganda elektronlar valent zonasidan klasterlarning mos ravishdagi energetik sathlariga o‘tadilar, kovaklar esa ko‘p zaryadli klasterlardan qochadilar, bu esa ularning rekombinatsiyasini amalda bekor qiladi.
АННОТАЦИЯ
После легирования кремния марганцем установлено, что проводимость n-типа и состояние уровня Ферми составляют F=E_V+0,38 Ев при Т=300 К и F=E_V+0,15 эВ при Т=100 К. В этой заметке подчеркивается, что кластеры атомов марганца находятся в состоянии максимального заряда, т.е. При этом кластеры создают глубокие донорные энергетические уровни в интервале E=E_V+0,16÷E_V+0,5 Ев, эти уровни практически не заполнены электронами. Чем больше энергия ионизации донорных уровней, тем больше их зарядовые состояния, а они, в свою очередь, имеют аномально большие пределы захвата электронов и захвата дырок: S_p<<S_n. При освещении образцов фотонами с энергией h=0,16÷0,8 Ев электроны переходят из валентной зоны на соответствующие энергетические уровни кластеров, а дырки избегают многозарядных кластеров, что практически исключает их рекомбинацию.


ABSTRACT
After alloying silicon with manganese, it was found that n-type conductivity and Fermi level state is F=E_V+0,38 eV at T=300 K and F=E_V+0,15 eV at T=100 K. This note emphasizes that clusters of manganese atoms are in the state of maximum charge, i.e. In this case, the clusters create deep donor energy levels in the interval E=E_V+0,16÷E_V+0,5 eV, which are practically not filled with electrons. The greater the ionization energy of the donor levels, the greater their charge states, and in turn, they have anomalously large electron capture limits and hole capture limits: S_p<<S_n. When the samples are illuminated with photons of energy h=0,16÷0,8 eV, electrons move from the valence band to the corresponding energy levels of the clusters, and holes avoid the multi-charge clusters, which practically cancels their recombination