Laboratoriya

rasm. Umumiy baza ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning chiqish xarakteristikasi

oilasini o‘lchash prinspial sxemasining NI Multisim dasturiy muhitida yig‘ilgan holati

2-jadval

IE=-4mA	Ik,(mA)	0	1	2	2,5	3	4	-	-	-	-	-	-	-
	UKB,V	-0,74	-0,73	-0,71	-0,69	-0,62	-0,6
IE=-8mA	^Ik^,(mA	0	1	2	2,5	3	4	5	6	7
	UKB,V	-0,78	-0,77	-0,76	-0,75	-0,74	-0,74	-0,72	-0,71	-0,68
IE=12m	Ik,(mA	0	1	2	2,5	3	4	5	6	7	8	9	10	11,9
	UKB,V	0	-0,81	-0,8	-0,79	-0,78	-0,78	-0,77	-0,76	-0,75	-0,73	-0,72	-0,7	-0,66

Kirish xarakteristikasi oilasi (KXO) IE=f(UEB) bunda UKB=0 va 2 V.


Chiqish xarakteristikasi oliasi (ChXO) IK=f(UKB) bunda IE=-4;-8 va -12mA

4. 
   h parametrlarni hisoblash:
   
   1. 
      h11B parametr - tranzistorning kirish differensial qarshiligini hisoblash:
      

^ℎ11𝐵

₌ ∆𝑈_𝐸𝐵

∆𝐼_𝐸

, 𝑏𝑜^′𝑙𝑔𝑎𝑛𝑖𝑑𝑎 𝑈_𝐾𝐵
= 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡

^{Bu yerda ∆𝑈}𝐸𝐵 ^{= ∆𝑈}𝐸𝐵.𝑀𝑎𝑥 ^{− 𝑈}𝐸𝐵.𝑚𝑖𝑛 ^{𝑣𝑎 ∆𝐼}𝐸 ^{= 𝐼}𝐸𝑚𝑎𝑥 ^{− 𝐼}𝐸.𝑚𝑖𝑛^;
∆𝑈_𝐸𝐵 = −0,67 + 0,82 = 0,15𝑉
∆𝐼_𝐸 = −2 + 10 = 8𝑚𝐴

_{ℎ =} ∆𝑈_{𝐸𝐵 =} 0,15

= 15,75𝑂𝑚

11𝐵

∆𝐼_𝐸

8 ∙ 10⁻³