Лабораторные работы по дисциплине «Электротехника и электроника»

обр
≈I
т
. 
У кремниевых I 
обр
>>I
т
, Так как значения обратного тока у 
диодов изменяются в широких пределах (от экземпляра к эк- 
земпляру), в паспортных данных на каждый вид диода указы- 
вается его максимально допустимое значение. 
Тепловой ток и остальные составляющие обратного тока 
сильно зависят от температуры. Для теплового тока справед- 
лива зависимость 
I
т
(Т)=I
т
(Т
0
)℮
α∆Τ
где ∆Τ=Т-Т 
0
; I
т
(Т
0
)-тепловой ток при температуре Т 
0
; α— по- 
стоянный коэффициент (для германия α
GE
≈0.09K
-1
при T<350К, 
для кремния α
si
≈0.13K
-1
при T<400 К) (1.1) 
С помощью выражения (1.1) можно ориентировочно опреде- 
лять обратный ток при разных температурах р-n-перехода у 
германиевых диодов. В кремниевых диодах в диапазоне рабо- 
чих температур доля теплового тока в полном обратном токе 
невелика: I
обр
≈10
3
I
т
, У них обратный ток в основном опреде- 
ляется генерационно-рекомбинанионными явлениями в р-n- 
переходе. 
Для инженерных расчетов обратного тока в зависимости от 
температуры окружающей среды можно пользоваться упро- 
щенным выражением 
I
т
(Т)≈I
т
(Т
0
)2
∆Τ
/T*
(1.2) 
где T* — приращение температуры, при котором обратный ток 
I
обр
(То) удваивается (Т*≈8/10°С для германия и Т*≈ 6/7 °С для 
кремния). 
В практике часто считают, что обратный ток германиевых 
диодов увеличивается в два раза, а кремниевых — в 2,5 раза 
при увеличении температуры на каждые 10 С. При этом фак- 
тическое изменение обратного тока обычно занижается. Так 
как обратный ток в кремниевых диодах на несколько порядков 
меньше, чем в германиевых, им часто пренебрегают. 
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики диода откло- 
няется от идеализированной из-за наличия токов рекомбина- 

---

ции в p-n-переходе, падения напряжения на базе диода, 
изменения (модуляции) сопротивления базы при инжекции в 
нее неосновных носителей заряда и наличия в базе 
внутреннего 
поля, 
возникающего 
при 
большом 
коэффициенте инжекции. С учетом падения напряжения на 
базе диода запишем уравне- ние прямой ветви вольт-
амперной характеристики диода: 
I=I
T
(e
(U-Irб)/φT
-1) 
(1.3) 
где r
б
— омическое сопротивление базы диода.