Майдоний транзисторда ясалган икки транзисторли ва уч транзисторли ток кўзгусининг ишлашини тадқиқ этиш, ni multisim датурий муҳитида симуляциялашни ўрганиш

I_H=f(U_RH)

δ=f (RH)

Лаборатория ишини бажариш тартиби 2-кисм

Майдоний транзисторда ясалган уч транзисторли ток кўзгуси

- Лаборатория ишини бажариш учун 6.2- расмда келтирилган схемани NI Multisim датурий муҳитида йиғинг.

- Белгиланган вариантингиздаги берилган параметрлар (Масалан: EП=V1=9 В Iу = 7 мА, Uзи = 2В.) асосида EП кучланиш манбаси қийматини ўрнатинг ва R1 қаршиликнинг қийматини қуйидаги формула асосида ҳисоблаб топинг:
R₁= Е_П – 2∗Uзи / Iу = (9-2*2)/7=0.71 kOm

6.2-расм. Майдоний транзисторда ясалган уч транзисторли ток кўзгуси схемаси

6.2- расм. Майдоний транзисторда ясалган уч транзисторли ток кўзгуси схемаси мултисимда

.

𝐼_𝑦−𝐼_н / 𝐼_𝑦∗100%

Бу ерда, Iу ток вариант бўйича, Iиз ток олчаб олинади

(7-7,1)*10^-3 / 7*10^-3*100%=-14%

Юклама қаршилигининг қийматини RН = 0 Ом дан RН = 1,5 кОм гача 0,1 кОм қийматга ошириб боринг ва натижаларни 6.2 – жадвалга ёзиб олинг.

Rн,кОм	0	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7
Urн, В	0	0,54	0,96	1,29	1,57	1,8	2	2,16
Iн, мА	7,1	5,44	4,82	4,32	3,93	3,6	3,32	3,08
δ , %	-14	22	30	38	44	48	52	56

Rн,кОм	0,8	0,9	1	1,1	1,2	1,3	1,4	1,5
Urн, В	2,304	2,43	2,55	2,65	2,75	2,85	2,94	3
Iн, мА	2,88	2,7	2,55	2,41	2,3	2,2	2,1	2
δ , %	59	61	63	66	67	68	70	71,4

Бошкарув ток кийматидан четлашишни хисоблаш :

𝛿=

𝛿=

𝛿=

𝛿=

𝛿=

𝛿=

𝛿=

𝛿=

𝛿=

𝛿=

𝛿=

𝛿=

𝛿=

𝛿=

𝛿=

𝛿=

Юқоридаги 6.2-расмда келтирилган схема учун Rн юклама қаршилиги максимал қийматини аниқланг, бунда ток кўзгуси чиқиш токи қиймати кириш ток қийматидан 5 фоизга фарқ қилади ва бу нуқтани графикларда кўрсатинг.

𝛿=

Олинган натижалар асосида IH=f(RH), IH=f(URH), δ=f (RH) графикларини ҳосил қилинг.