Mavzu: ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish Ishning maqsadi

RЭ I2R

hosil qilamiz.
I₂ tokning berilgan qiymati asosida (5.5)dan foydalangan holda, R_E rezistorning qarshiligini topish mumkin:
R_Э ^T ln E^{M UБЭ1} . (5.6)

I2 I2R

Ushbu sxema soddaligiga qaramasdan, temperatura bo’yicha bar-qarorlikni yaxshi ta’minlaydi, chunki R_E rezistor orqali manfiy TAga ega. Hisoblashlardan temperatura bir gradusga o’zgarganda tokning nobarqarorligi ∆I₂=2,5 mkAni tashkil etishi ma’lum. Bundan tashqari, R_E=1 kOm (statik qarshilik) bo’lganda BTGning dinamik qarshiligi 1 MOmga yaqin bo’ladi.

Bipolyat tranzistordan yig’ilgan generator sxemasi

Rн, Ом	0	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	1	1,1	1,2	1,3	1,4	1,5
URН, В
IН, мА
Iy
δ