Mavzu: Intgral injeksion mantiq

I²M MEning X kirishiga statik rejimda mantiqiy lga mos kuchlanish berilganda manba L_Mdan energiya iste’mol qilishi, uning kamchiligi hisoblanadi. Bu kamchilikni 1-jadvalda keltirilgan komplementar ВТ (КВТ) larda tuzilgan invertor sxemalar yordamida bartaraf etish mumkin KBTlarda injeksiya — voltaiк rejimda ishlovchi ikki (n-p-n va p-n-p) turli BTIar ketma-ket ulanadi. Jadvaldan I²M invertori n-M DY tranzis- torli, n-p-n dinamik yuklamali p-n-p BTda bajarilgan invertor esa p-M DY tranzistorli invertor analogi ekanligi ko‘rinib turibdi.

KBTlarda bajarilgan “4HAM-EMAS” ME 4-rasmda va “4YOKI-EMAS” ME 5-rasmda ko‘rsatilgan.

4-rasm: “4HAM-EMAS” MEsxemasi.