Mavzu. Nanostrukturali materiallar ishlab chiqarish texnologiyasi va xossalari
Download 392.88 Kb. Pdf ko'rish
|
Ma\'ruza 4 compressed
- Bu sahifa navigatsiya:
- Gaz fazali epitaksiya
- Molekulyar nurli epitaksiya.
- Yo‘naltirilgn o‘stirish.
|
4.2. Fazali epitaksiya Suyuq fazali epitaksiya. Afzalliklari va kamchiliklari. Suyuq fazali epitaksiya asosan GaAS, GdP2 kabi qatlamli yarmo‘tkazgichli birikmalar olish uchun qo‘llaniladi; shuningdek, monokristall kremniy olishning asosiy usulihisoblanadi. Jarayon azot va vodorod atmosferasida (qorishma yoki podlojka sirtidagi oksid plyonkalarini tiklash uchun) yoki vakuumda (dastlab oksid plyonkalarini tiklab olgach) o‘tkaziladi. Qorishma podlojka sirtiga surtiladi, bunda uni qisman eritadi va uning kamchiliklari , iflosliklari yo‘qotiladi. Gaz fazali epitaksiya – bu yarimo‘tkazgichlarining epitaksiyal qatlamlarini bug‘ va gaz fazalaridan cho‘kma hosil qilish yo‘li bilan olinishidir. Eng ko‘p kremniyli, germanyli, arsenid-galliley yarimo‘tkazgichli uskunalarda atmosfera bosimiva is da qo‘llaniladi. Jarayon vertikal yoki gorizontal tipdagi maxsus reaktorlarda atmosfera bosimi ostida yoki past bosimda o‘tkaziladi. Reaksiya 750- 1200 gradusgacha qizdirilgan yarimo‘tkazgichli plastinkalar sirtiga boradi. Molekulyar nurli epitaksiya. Afzalliklari va kamchiliklari. Molekulyar nurli epitaksiya (MNE) yoki molekulyar bog‘li epitaksiya o‘ta yuqori vakuum sharoitidagi epitaksial o‘sishdir. Bu geterochegaralari monoatomli silliq bo‘lgan oldindan berilgan qalinlikdagi getero tkzilmaniyoki ligerlanish profili oldindan belgilangangetero tuzilmani o‘stirish imkonini beradi. Epitaksiya jarayoni uchun sirti atomlar silliq bo‘lgan yaxshi tozalangan maxsus podlojkalar zurur (rasm 4). Rasm 4. Molekulyar nurli epitaksiyaning sxemasi Yo‘naltirilgn o‘stirish. oddiy ko‘z bilan qaraganda ham yapaloq, qattiq sirt- kristall jismni ko‘rish mumkin. Mikroskopda: atom va kimyoviy bog‘lanishni ko‘rish mumkin. Bu bog‘lanish minimum Erdir. Podlojka atomlaring sirtga joylashishida erkin atomlarini joylashishiga yo‘naltirilgan ta’siri (rasm 5-8). Rasm 5. O‘z-o‘zidan xosil bo‘luvchi monoqavatning fragmenti. LXR. S- substrat bilan bog‘laydigan LX- nopolyar zanjirning R-reaksion guruxi. L ga bog‘liq ravishda materialning shimdirilish xossalari o‘zgarishi mumkin 4 . 4 Jeremy Ramsden Nanotechnology, Second Edition: An Introduction (Micro and Nano Technologies) 2nd Edition, Elsevier, 2011, 110 Rasm 6. Lengmyur-Blodjett plenkalari. A) monoqavat, b) biqavat, v) U- multiqavat 5 Rasm 7. Lengmyur-SHyofer usuli. a) Lengmyur monoqavatini hosil qilib polyar substrat asta sekin ko‘tariladi. b) ikkinchi monoqavat cho‘ktiriladi, qoplangan nopolyar substrat Lengmyur plenkasiga gorizontal yo‘naltiriladi 6 . 5 Jeremy Ramsden Nanotechnology, Second Edition: An Introduction (Micro and Nano Technologies) 2nd Edition, Elsevier, 2011, 110 6 Jeremy Ramsden Nanotechnology, Second Edition: An Introduction (Micro and Nano Technologies) 2nd Edition, Elsevier, 2011, 111 Rasm 8. Polikationlar va zarrachalarni substratga cho‘ktirish. Poliionlarni adsorbsiya vaqtidagi ortiqcha zaryadi 7 . Download 392.88 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|