Maydoniy tranzistorni statik xarakteristikalari va asosiy parametrlari

1 b–rasmda maydoniy tranzistorning chiqish (stok) xarakteris-tikalari keltirilgan. Stok xarakteristika - bu ma’lum UZI =const qiymatlaridagi IS =f (USI) bog‘liqlik. USI ortishi bilan IS deyarli to‘g‘ri chiziqli o‘zgaradi (tekis o‘zgarish rejimi) va USI= USI.TO‘Y. qiymatiga yetganda (b nuqta) IS ortishi to‘xtaydi

2 – rasm.
MT asosiy parametrlari. Maydoniy tranzistorlarning asosiy parametrlaridan biri bo‘lib xarakteristika tikligi hisoblanadi (8.2)

bu yerda Smax – UZI=0 bo‘lgandagi maksimal tiklik. Ushbu ifodalardan ko‘rinib turibdiki, UZI ortishi bilan stok toki va maydoniy tranzistor xarakteristika tikligi kamayadi.

bu yerda Smax – UZI=0 bo‘lgandagi maksimal tiklik. Ushbu ifodalardan ko‘rinib turibdiki, UZI ortishi bilan stok toki va maydoniy tranzistor xarakteristika tikligi kamayadi.

Statik xarakteristikalardan maydoniy tranzistorning boshqa parametrlarini ham aniqlash mumkin.

Tranzistorning differensial (ichki) qarshiligi istok va stok oralig‘idagi kanal qarshiligini ifodalaydi

UZI =const bo‘lganda (8.3)

To‘yinish rejimida (VAX ning tekis qismida) Ri bir necha MOmni tashkil etadi va USI ga bog‘liq emas.

Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffisienti tranzistorning kuchaytirish xususiyatini ifodalaydi:

IS =const bo‘lganda (8.4)

IS =const bo‘lganda (8.4)

Bu koeffisient stokdagi kuchlanish stok tokiga zatvordagi kuchlanishga nisbatan qanchalik ta’sir ko‘rsatishini ifodalaydi. “Manfiy” ishora kuchlanish o‘zgarishi yo‘nalishlarining qarama-qarshiligini bildiradi. Har doim ham bu koeffisientni xarakteristikadan aniqlab bo‘lmaganligi sababli, bu kattalikni quyidagicha hisoblash mumkin:

8.2. Kanali induksiyalangan MDYa – tranzistor

P – n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardan farqli ravishda MDYa–tranzistorlarda metall zatvor kanal hosil qiluvchi o‘tkazgichli sohadan doim dielektrik qatlami yordamida izolyatsiyalangan. Shu sababli MDYa–tranzistorlar zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar turiga kiradi. Dielektrik qatlami SiO2 dielektrik oksidi bo‘lganligi sababli, bu tranzistorlar MOYa – tranzistorlar (metall – oksid- yarim o‘tkazgichli tuzilma) deb ham ataladilar.

3– rasm. 
Tranzistorda tok o‘tkazuvchi kanal hosil qilish uchun zatvorga teskari qutbdagi kuchlanish beriladi. Zatvor elektr maydoni SiO2 dielektrik qatlami orqali yarim o‘tkazgichning yuqori qatlamiga kiradi, undagi asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar) ni itarib chiqaradi va asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar (kovaklar) ni o‘ziga tortadi.