Maydoniy tranzistorni statik xarakteristikalari va asosiy parametrlari

3.7. Keng polosali kuchaytirgichlar

3.7. Keng polosali kuchaytirgichlar

Analog integral mikrosxemalar elementar negiz bosqichlar asosida yasaladilar. Negiz bosqichlarga UE sxemada ulangan bipolyar tranzistorlar hamda UI sxemada ulangan maydoniy tranzistorlardan yasalgan bir bosqichli kuchaytirgichlar kiradi. Negiz bosqichlar bir vaqtning o‘zida tok yoki kuchlanish, hamda tok va kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish bilan quvvatni kuchaytiradilar.

Bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi. Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi eng keng tarqalgan. Kuchaytirgich tahlil qilinganda signal manbai yoki qarshilik RG bilan ketma – ket ulangan ideal kuchlanish manbai YeG ko‘rinishida (35 a-rasm), yoki qarshilik RG bilan parallel ulangan ideal tok manbai IG ko‘rinishida (35 b-rasm) ifodalanishi mumkin.

a) b)
8 – rasm.
Agar RG va kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligi qiymatlari bir – biriga yaqin bo‘lsa, signal manbaining turi hisoblash aniqligiga ta’sir ko‘rsatmaydi. Agar RG kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligidan ancha katta bo‘lsa, 8 b-rasmda keltirigan signal manbaidan, aks holda esa 8 a-rasmda keltirigan signal manbaidan foydalanish tavsiya etiladi.

Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi sxemasi 9– rasmda keltirilgan.

Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi sxemasi 9– rasmda keltirilgan.

Sxemani tahlil qilganda, tranzistor holati kirish kuchlanishi bilan boshqarilganda uzatish xarakteristikasi (10-rasm), chiqish xarakteristikalar oilasi hamda kirish xarakteristikalar oilasidan foydalanish qulay.

9 – rasm. 10 – rasm.

Nochiziqli buzilishlarni kamaytirish va kuchaytirish koeffisientini temperaturaviy barqarorligini oshirish maqsadida kuchaytirgich bosqichiga manfiy teskari aloqa kiritiladi.