Mdya – tranzistorlar asosida imslarni tayyorlash Bajardi: Sa’dulloyev Muhammad
Download 10.16 Kb.
|
Mdya – tranzistorlar asosida imslarni tayyorlash Bajardi Sa’dul-fayllar.org
Shundan keyin kremniy oksidi yemiriladi, asos sirtiga qalinligi 8÷10 mkmni tashkil etuvchi n-turli epitaksial qatlam o’stiriladi va epitaksial qatlam sirtida oksid qatlam hosil qilinadi. Ikkinchi fotolitografiya yordamida oksid qatlamda ajratuvchi diffuziyani o’tkazish uchun darchalar ochiladi.Aktseptor kiritmalarni (bor) darchalar orqali qatlam oxirigacha diffuziya qilib to’rtta n – soha (sxemadagi elementlar soniga mos) hosil qilinadi. Bu n – sohalar bir-biridan p-n o’tishlar yordamida izolatsiyalangan bo’ladi. Ushbu sohalarning biri tranzistorning kollektori bo’lib xizmat qiladi. Tranzistorning bazasi, kondensator, diod va rezistor hosil qilish uchun bir-biridan izolatsiyalangan n – sohalarga akseptor kiritmalar diffuziyasi amalga oshiriladi. Buning uchun avval hosil qilingan oksid qatlamda uchunchi fotolitografiya yordamida shunday o’lchamli darchalar hosil qilinadiki, bunda hosil qilingan elementlar parametrlari talab etilgan nominallarni qanoatlantirsin.Keyin tranzistor emitteri, diod katodi, kondensator qoplamasi, kollektor sohaning omik kontaktini hosil qiluvchi n+ - turli emitter sohalar hosil qilinadi.Buning uchun yangidan hosil qilingan oksid qatlamida to’rtinchi fotolitografiya yordamida zarur ko’rinishdagi “darcha”lar ochib, ular orqali n+ - turli kiritma hosil qiluvchi atomlar diffuziyasi amalga oshiriladi. IMS tuzilmasi hosil qilinuvchi texnologik jarayon elementlarga omik kontaktlar olish va elementlarni o’zaro ulash bilan yakunlanadi. Bu S qatlamda beshinchi fotolitografiyani amalga oshirish, alyuminiyni vakuumda purkash, alyuminiyni ishlatilmaydigan sohalardan olib tashlash va termik ishlov berish bilan amalga oshiriladi.Buning uchun yangidan hosil qilingan oksid qatlamida to’rtinchi fotolitografiya yordamida zarur ko’rinishdagi “darcha”lar ochib, ular orqali n+ - turli kiritma hosil qiluvchi atomlar diffuziyasi amalga oshiriladi. IMS tuzilmasi hosil qilinuvchi texnologik jarayon elementlarga omik kontaktlar olish va elementlarni o’zaro ulash bilan yakunlanadi. Bu S qatlamda beshinchi fotolitografiyani amalga oshirish, alyuminiyni vakuumda purkash, alyuminiyni ishlatilmaydigan sohalardan olib tashlash va termik ishlov berish bilan amalga oshiriladi.Download 10.16 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling