Методические указания к лабораторным работам Электронное издание сетевого и локального распространения Саратов 2021

f < 200 МГц добротность ненагруженного контура
Q_xx  100...250
и его ха-

рактеристическое сопротивление   50...200 Ом.
Наибольшее значение добротности нагруженного контура обеспечи- вается при работе автогенератора на нагрузку с бесконечным входным со- противлением и при возможно меньшем коэффициенте включения p тран- зистора в колебательный контур. Для обеспечения нужного значения p в схеме типа емкостной трехточки при выбранном значении p в цепь Х3 по- следовательно с катушкой индуктивности включают конденсатор СЗ (см.

'
рис. 7, а). При этом  _p  1/
, где C_
– результирующая емкость конту-

ра 1/ C_
 1/ C ^'
 1/ C₁
 1/ C₃ ; C₂
 C₂
^Cсв
, где
C ^' – эквивалентная емкость свя-

св

2

_ '
зи с нагрузкой, полученная при пересчете последовательной цепочки C_св R_н в

св

н
параллельную C ^' R^' . Для пересчета можно использовать соотношения

R

 Q

н

св
' _{/ Rн} 2
 1;
'

X

/ X
св св
 1  1/ Q ² .

св

R

'
Чтобы непостоянство нагрузки не уменьшало заметно стабильность

'
частоты, необходимо выполнить условия
_н  R_к . Обычно достаточно, что-

'

Q
бы R_н  3R_к . При этом можно рассчитывать емкости C_св
и C_св
по формулам

св
^Qсв ^
; C  ¹ ; C ^'
_ ^Cсв _.

св
^ p ^Rн^Qсв
св ₁
 1/ ²

Коэффициент включения транзистора в колебательную систему АГ

2
p  C_ / C ^' .
Коэффициент обратной связи в АГ

'
K_ос  C₂ / C₁ ,
характеристическое сопротивление контура АГ

  
p ^Lз
 ¹ ;
 _р C_
C_ 
1 _,
 _p 

где  – эквивалентное сопротивление нагрузки для коллектора тран- зистора

2
R_к.э   R_к.с  R_н ,

где
^Rк.с ^{ Q}х.х
 Q_L3 ,

а требуемое значение
R_н определяется из расчета режима транзисто-

ра. Добротность нагруженного контура
Q_х.х  r_П ,

где r_П
– сопротивление суммарных потерь в контуре автогенератора.

Обычно потери в индуктивности существенно больше потерь в ем- костях, поэтому ориентировочно можно считать, что

^Qх.х
 Q_L3   _p L_з / r_L ,

где r_L

• 
  сопротивление потерь в катушке индуктивности;
  

^QL3

• 
  добротность катушки индуктивности.
  

Расчет автогенератора на рабочих частотах, где заметна инерцион- ность транзистора, усложняется учетом комплексности крутизны переход- ной характеристики транзистора. Кроме того, с повышением частоты по- тери в транзисторе возрастают, а его реактивные проводимости оказыва- ются соизмеримыми с проводимостями пассивной части автогенератора и зависят от режима работы транзистора, что ведет к дополнительной неста- бильности частоты. Примеры расчета АГ при использовании схемы авто- генератора с фазированием даны в [6].

Фазовый сдвиг  _s
между первой гармоникой коллекторного тока и

управляющим напряжением на базе можно уменьшить, если, например, в эмиттерную цепь транзистора ввести корректирующую цепочку [7].
Для повышения стабильности генерируемой частоты транзистор должен работать в облегченном режиме. Напряжение питания коллектор- ного перехода и амплитуду импульса коллекторного тока выбирают из ус- ловий
I_{к макс}  (0,2...0,8)I_к.доп ; E_П  (0,3...0,5)U_к.доп ,

^{где I}к.доп
^{и U} к.доп

• 
  допустимые паспортные значения импульса кол-
  

лекторного тока и коллекторного напряжения транзистора, приводимые в справочниках.

Режим работы транзистора АГ выбирают недонапряженным. При перенапряженном режиме увеличивается дестабилизирующее влияние на генерируемую частоту изменения питающего напряжения. Из-за повы- шенного содержания высших гармоник в импульсах коллекторного тока малейшее изменение угла отсечки приводит к заметным относительным изменениям уровней высших гармоник, что эквивалентно изменениям  _s .
Кроме того, использование перенапряженного режима приводит к увеличению выходной проводимости транзистора, снижающей доброт-

ность колебательной системы АГ. Если в схеме вместо
^Lбл
использовать

R_бл , тогда необходимо учесть падение напряжения на этом резисторе. По- стоянное напряжение источника питания
E_п  U _к0  I _к0  R_бл .

Обычно


R_бл  (5...10)U _k1 / I _K1 .

3.