Моя страничка

Flash-USB
Flash-USB это относительно недавно появившаяся на ИТ-рынке средство хранения информации. В последнее время технология развивается самыми стремительными темпами: объемы запоминаемой информации растут, а цены падают. Доступны накопители вплоть до 4Gb. Основные преимущества Flash-USB: портативность, простота в использовании, быстрая скорость считывания и записи данных (до 56Мбайт/сек). Современные flash-USB устройства должны отвечать главным образом принципам удароустойчивости и надежности. В будущем представляется, что данный вид хранения информации полностью вытеснит 3,5 дюймовые дискеты, а в будущем и CD-диски.
Изобретателем flash–памяти можно считать компанию Toshiba, которая в 1984 году уже начала производство микросхем. Четыре года спустя компания Intel «изобрела» свой «флэш–вариант», и теперь очень многие незаслуженно считают изобретателем именно ее.
До сих пор неизвестно происхождение термина Flash, так как это слово имеет три различных перевода. Соответственно, существует три версии названия памяти:

• 
  Flash переводится как «короткий кадр». Компания Toshiba дала такое название из–за короткого по времени процесса стирания данных (In da Flash — в мгновение ока).
  
• 
  Flashing можно перевести как прожиг, засвечивание. Flash–память по–прежнему прожигается, как и ее предшественники.
  
• 
  Третье значение этого слова — блок, кадр. Запись/стирание такой памяти осуществляется блоками.
  

По устройству чип флэш–памяти отдаленно напоминает микросхему динамической энергозависимой памяти, только вместо конденсаторов в ячейках памяти установлены полупроводниковые приборы — транзисторы. При подаче напряжения на выводы транзистора он принимает одно из фиксированных положений — закрытое или открытое. И остается в этом положении до тех пор, пока на выводы транзистора не будет подан электрический заряд, изменяющий его состояние. Таким образом, последовательность логических нулей и единиц формируется в этом типе памяти подобно ПЗУ — закрытые для прохождения электрического тока ячейки распознаются как логические единицы, открытые — как логические нули.
В начале развития Flash каждая ячейка памяти хранила один бит информации и состояла из одного полевого транзистора. Прогресс не стоит на месте, через несколько лет после выпуска чудо–микросхемы были проведены успешные испытания флешек, в которых ячейка хранила уже два бита. Естественно, что на такую память можно было записать в два раза больше информации. В настоящее время уже существуют теоретические разработки памяти с четырехбитными ячейками.
Перезапись и стирание Flash значительно изнашивает микросхему, поэтому технологии производства памяти постоянно совершенствуются, внедряются оптимизирующие способы записи микросхемы, а также алгоритмы, направленные на равномерное использование всех ячеек в процессе работы.
Преимущества флэш-памяти заключаются:
1. в независимости от наличия или отсутствия электрического питания,
2. в долговременности хранения информации (производители гарантируют сохранность данных на протяжении 10 лет, но на практике должно быть больше),
3. в высокой механической надежности (в накопителях на базе флэш–памяти нет никаких механических устройств, следовательно, нечему ломаться).
Недостатки
1. в высокой сложности устройства (транзисторы имеют микронные размеры),
2. в невысоком быстродействии (время изменения состояния транзистора больше, чем время заряда–разряда конденсатора)
3. в относительно высокой стоимости микросхем (опять же из–за сложности устройства и серьезных финансовых вложениях производителей в развитие технологии).
Флэш-память быстро прогрессирует. За последние несколько лет появились новые типы микросхем — был осуществлен массовый переход с 5-вольтовой технологии питания на 3,3–вольтовую, были применены новые типы полупроводниковых приборов, разработаны и внедрены в производство механизмы ускорения процедуры записи–чтения информации. Кроме того, производство флэш–памяти находится под жестким прессингом конкуренции. Для нас, пользователей цифровых устройств, это несомненный плюс, поскольку позволяет надеяться на снижение цен на карты флэш–памяти.
Хотя Flash и лидирует на компьютерном рынке, ее могут вытеснить другие новые технологии. Например, новейшая память на кремниевых нанокристаллах. Отличие такой памяти от Flash в следующем: подложка между стоком и истоком теперь состоит из кремниевых нанокристалльных сфер. Такая прослойка предотвращает передачу заряда с одного нанокристалла на другой, повышая таким образом надежность — один дефект не ведет к полному сбою, как в нынешней энергонезависимой памяти на транзисторах с плавающим затвором. Первый в мире работоспособный образец такой памяти был предоставлен компанией Motorola.