Muhammad al-xorazmiy nomidagi tatu qarshi filiali di 12-22 guruh talabasining elektronika va sxemalar 1

MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TATU QARSHI FILIALI DI 12-22 GURUH TALABASINING ELEKTRONIKA VA SXEMALAR 1

MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TATU QARSHI FILIALI DI 12-22 GURUH TALABASINING ELEKTRONIKA VA SXEMALAR 1

FANIDAN TAYYORLAGAN 4- MUSTAQIL ISHI
TAYYORLADI:
QABUL QILDI:
ABDUMANNOPOV A
POLVONOV .X

• Reja:
• . Yarim o`tkazgichli xotira elementlari.
• . Mantiqiy elementlar sistemasi.
• . Yarim o`tkazgichli asboblar yordamida mantiqiy elementlar hosil qilish.

• Yarim o`tkazgichli xotira elementlari aytib

o`tilgandek “YOKI-YO`Q”, “VA-YO`Q” mantiqiy sxemalarida
kombinasiyalash yo`li bilan “XOTIRA” qurilmalarini hosil qilish mumkin. Bunday qurilmalarga triggerlar deb ataladi. Trigger ikkita turg`un muallak holatga ega bo`la oladigan va kirish (boshqarish) signali ma`lum darajadan oshganda bir holatdan ikkinchi holatga sakrab o`tadigan qurilmaga

• aytiladi. Triggerlar ikki sinfga bo`linadi: Simmetrik va

Nosimmetrik. Xotira qurilmalarida asosan simmetrik triggerlar qo`llaniladi. Simmetrik triggerlarda birinchi mantiqiy sxemani chiqishi ikkinchisini kirishi bilan ikkinchisini chiqishi esa birinchisini kirishi bilan bog`langan bo`ladi.1–rasmda ikkita bir hil tranzistorli sxemalar asosida qurilgan ikkita kirishli “YOKI- YO`Q”

operasiyasini bajaradigan simmetrik triggerni strukturaviy (a) va prinspial (b) sxemalari ko`rsatilgan.

• 1(a)-rasmda chiqish С1 kirish A2 bilan kirish A1 chiqish C2 bilan tutashtirilgan. Qolgan B1 va B2

kirishlar triggerni boshqarish uchun lashlatiladi. Trigger ikkisistabil yacheyka (b-rasm) sifatida Т1 va Т3 tranzistorlardan tuzilgan: Т1 tranzistorga chiqish (kollektor) Т3 tranzistorni kirish (baza) bilan, Т3 tranzistorni chiqish esa Т1 tranzistorni kirish (baza) bilan tutashgan. Trigger ikki turg`un holatda hohlagancha vaqt turishi mumkin. Bunday holatlar uchun 1) T1- yopiq, T3-ochiq; 2) T1-ochiq, T3-yopiq.

• Shunday qilib simmetrik triggerga elektrik asimetriya (rejim ma`nosida) mos keladi. Triggerda chiqsh

potensiali ikki hil holatda bo`ladi, birinchisi mantiqiy
1ga, ikkinchisi mantiqiy 0ga to`g`ri keladi. Triggerda o`rnatilgan holat uni kirishdagi signal o`zgarmaguncha saqlab qoladi. Trigger boshqa holatga yordamchi boshqaruvchi kirishlar hisoblanadi. Bunday boshqarish trigger ishini ajrim boshqarish deb ataladi.

• Mantiqiy elementlar ko`pincha kontaksiz asboblar asosida tuzilib, dastur bilan boshqariluvchi sistemarlida qo`llaniladi. Bu elementlar bilan VA, YO`Q va

XOTIRA mantiqiy funksiyalarini bajarish
mumkin. Mantiqiy element VA dan chiqish signali olish uchun uning birinchi va boshqa hamma kirishlariga signal berishlari zarur. 2-rasmda tranzistorlar (a) va yarimo`tkazgichli dioddan (b) tuzilgan “VA” mantiqiy elementllarini sxemasi ko`rsatilgan.

• 2-rasm. a-tranzistordan; b- yarimo`tkazgichli dioddan tuzilgan VA mantiqiy elementlarini sxemalari.

• Reja:
• Tranzistor tuzilmalarining energetik diagrammalari
• Tranzistorda elektrodlar toklari
• Baza tokini uzatish koeffitsienti
• Foydalanilgan adabiyotlar ro’yxati

• BTning elektr signallar quwatini kuchaytirish imkoniyati uning energetik diagrammasida yaqqol ko‘rinadi.

Diagramma elektron va kovaklarning tuzilmada egallagan o‘rni bilan potensial energiyalarining bog'liqligini
ko‘rsatadi. Dreyfsiz n-p-n tuzilmali ВТ energetik diagrammasi 4.3-rasmda ko'rsatilgan. Elektronlaming potensial energiyasi (o‘tkazuvchanlik zonasi tubi energiyasi Wc) н-yarim o'tkazgichda kichik va
pyarimo‘tkazgichda katta. Kovaklar potensial energiyasi (valent zona shipi energiyasi Wy), aksincha,

• yarimo'tkazgichda katta va pyarimo‘tkazgichda kichik. Elektronlaming emitterdan yoki kollektordan bazaga o'tishida potensial barer balandligi elektronlaming p- va я-yarimo'tkazgichlardagi potensial energiyalari ayirmasiga teng bo'lgan mos potensial to‘siqlami yengib o‘tishi bilan bogiiq. Kovakning bazadan (p yarimo'tkazgichdan) emitterga yoki kollektorga o‘tishida potensial barer balandligi elektronlar uchun o'tkazuvchanlik zonadagi potensial barer kattaligiga teng potensial barerni yengib o'tish bilan bog'liq.

• Muvozanat holatda Fermi sathi tuzilmaning barcha elementlari uchun bir xil, ya’ni elektronni emitterdan bazaga o'tkazish uchun

sarflanadigan ish, elektronni bazadan kollektorga o'tkazishda ajraladigan energiyaga teng bo'ladi. Emitter va kollektor orasida elektronlaming

• uzluksiz alm ashinuvi, tabiiyki, butun tuzilm a energiyasining o'zgarishiga olib kelmaydi. Elektron em itterdan kollektorga hamda kovak kollektordan emitterga o'tganda energiya balansi buzilmaydi. EO'ga to'g'ri siljitish, KO'ga esa teskari siljitish berilganda, emitter — baza potensial barer pasayadi, kollektor —

• baza potensial barer esa ortadi. Energetik diagramma 4.3, b-rasmda keltirilgan ko'rinishga ega bo'ladi. O'tishlarga berilgan kuchlanishlar natijasida tuzilmada energiya balansi o'zgaradi. Emitter sohasi Fermi kvazisathining yuqoriga siljishi va potensial barerning mos kamayishi, elektronni EO'dan o'tkazish uchun zarur ishning kamayishini anglatadi. Xuddi shu vaqtda kollektor sohasi Fermi kvazisathining pastga siljishi va КО' potensial barerining ortishi, elektronni bazadan kollektorga o'tishda ajralib chiqadigan energiyaning ortishini anglatadi.

• Ushbu ortiqcha quvvat chiqish zanjiri elektr toki quw atidek nam oyon boMadi. Y uqorida ko‘rib o ‘tilganlar BT da quvvat kuchaytirilishining fizik mohiyatini belgilaydi. Bazadan kollektorga yo‘nalgan elektronlar oqimi em itterdan bazaga oquvchi ushbu zarrachalar oqimi bilan bir xil bo'lishi uchun, baza sohasi kengligi yetarlicha kichik va elektronlarning rekombinatsiya hisobiga yo‘qolishi kam bo‘lmog‘i kerak. Kovak kollektordan emitterga o‘tganda energiya balansi, albatta, shundayligicha qoladi. Lekin, kollektor sohada kovaklar konsentratsiyasi emitterdagi elektronlar konsentratsiyasiga nisbatan juda kichik bo‘lgani sababli, birlik vaqt davomida kollektordan emitterga o‘tuvchi kovaklar soni elektronlarning emitterdan kollektorga o‘tishiga nisbatan mos marta kam bo'ladi. Kovaklar o'tishi hisobiga quvvat bo‘yicha yutug‘, elektronlar o'tishi hisobiga quwatdagi yutug‘ga nisbatan, inobatga olmasa bo‘ladigan darajada kam bo‘ladi

• UB sxemada ulangan, eritib tayyorlangan n-p-n BTning aktiv rejimda ishlashini ko‘rib chiqamiz (4.5-rasm).
• BTning ishlashi uch hodisa hisobiga amalga oshadi: — emitterdan asosiy zaryad tashuvchilaming bazaga injeksiyalanishi; — bazaga injeksiyalangan EZTlarning diffuziya va dreyf hisobiga KO‘gacha yetib kelishi; — bazaga injeksiyalangan va KO‘gacha yetib kelgan noasosiy zaryad tashuvchilaming ekstraksiyalanishi.