Muhammad al xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnalogiyalari unversiteti samarqand filali

MUHAMMAD AL XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNALOGIYALARI UNVERSITETI SAMARQAND FILALI
TT 21-05 – GURUH TALABASI ABDUQODIROVA MADINANING va SXEMALAR FANIDAN BAJARGAN 3-MUSTAQIL ISHI.
Topshirdi: M. Sh. Abduqodirova.
Tekshirdi: X. A. JUMANOV.
2. Mavzu: Integral sxemalar passiv elementlari.
Reja:
I.Kirish.
IIAsosiy qisim.

1. 
   Integral sxema (IS, integral mikrosxema).
   
2. 
   Komplementдr MDY — tranzistorlar asosidagi inantiq elementlari.
   
3. 
   Bir turdagi MDY — tranzistorlar asosidagi mantiq elementlar.
   
4. 
   . Invertor statik rejim.
   

III.Xulosa
I.Kirish
Elektronika — fan va texnika sohasi boMib, axborot uzatish, qabul qilish, qayta ishlash va saqlash uchun ishlatiladigan elektron qurilmalar hamda asboblar yaratish usullarini o‘rganish, ishlab chiqish bilan shug'ullanadi. Elektronika elektromagnit maydon nazari- yasi, kvant mexanikasi, qattiq jism tuzilishi nazariyasi va elektr o‘tkazuvchanlik hodi -salari kabi fizik bilimlarga asoslanadi. Elektronikaning rivojlanishi elektron asboblar
texnologiyasining takomillashuvi bilan chambarchas bog‘liq bo‘lib, hozirgi kungacha to‘rt bosqichni bosib o‘tdi. Birinchi bosqich asboblari: rezistorlar, induktivlik g‘altak -lari, magnitlar, kondensatorlar, elektromexanik asboblar (qayta ulagichlar, rele va shunga o‘xshash) passiv elementlardan iborat edi. Ikkn tchi bosqich Li de Forest tomoniaan 1906-yilda triod lampasining ixtiro qilinishidan boshlandi. Triod elektr signallarni o ‘zgartiruvchi va eng muhimi, quwat kuchaytiruvchi birinchi aktiv elektron asbob bo‘ldi. Elektron lampalar yordamida kuchsiz signallarni kuchaytirish imkoniyati hisobiga radio, telefon so‘zlashuvlarni, keyinchalik esa, tasvirlarni ham uzoq masofa -larga uzatish imkoniyati (televideniye) paydo bo‘ldi. Bu davrning elektron asboblari passiv elementlar bilan bipga aktiv elementlar — elektron lampalardan iborat edi. Integral sxema (IS, integral mikrosxema) — juda ixcham (mikrominiatyur) elektron qurilma. Elementlari (diodlar, tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar va b.) konstruktiv, texnologik va elektr jihatdan oʻzaro uzviy bogʻlangan (birlashtirilgan) va oʻta zich joylashtirilgan boʻladi. Uzluksiz yoki diskret (uzlukli) elektr va optik signallar tarzidagi axborotlarni qabul qilish, qayta ishlash uchun moʻljallanadi. I. s. quyidagi xillarga boʻlinadi: elementlarni birlashtirish (integratsiya) usuli boʻyicha — yaxlit (monolit) va gibrid (tarkibiy) (osma diskret elektron asboblarlan foydalanilgan) sxemalar; ishlov beriladigan signallarning xili boʻyicha — raqamli va analog sxemalar; IS dagi elementlar soni N (integratsiya darajasi) boʻyicha — kichik (N< 102)? oʻrta (N = 102 — —103), katta {N= W— 104) va juda katta (N> 104) sxemalarga boʻlinadi. I. s. elektron hisoblash mashinalari, nazorat-oʻlchash apparatlari, aloqa texnikasi va b. sohalarda qoʻllaniladi. Mikroelektron apparatlar rivoji KIS va 0 ‘KIS larni keng qoilashga asoslangan. Bu bilan apparatlarning texnik-iqtisodiy ko‘rsatkichlari ortmda : ishonchlilik, xa laqitbardoshlik ortmoqda, massasi, o‘lchamlari, narxi kamaymoqda va h.k. Integra l sx em alarn i lo y ih a la sh v a k o n stru k siy a la sh fani mikroelektronika sanoatida ishlab chiqariladigan maxsulotlaming texnologiyasini hamda texnologik qurilmalaming asosini tashkil etadi. Shuningdek yarim o’tkazgichli asboblar va integral sxemalar ishlab chiqarishdagi texnologik jarayonlarni o’z ichiga oladi. Ushbu fan asosiy ixtisoslik fani hisoblanib, elektronika va mikroelektronika sanoat ishlab chiqarish tizimining ajralmas bo’g’inidir. Integ ral sxmalarn iloyihalash va konstruksiyalsh fanining tarixi va rivojlanish an’analari. Shu fanda erishilgan ilm - fan, texnika va texnologiya yutuqlari. Fanni o’zlashtirishda qo’yilgan asosiy vazifalar. Yarim o ’tkazgachli asbobsozlik va mikroelektronikaning hozirgi davrdagi holati va asosli rivojlanish an’analari. Integral sxemalar ishlab chiqarishda planar-epitaksial jarayonlarning umumiy tizimi m isolida texnologiyaning fizik-kimyoviy asoslariga qisqacha ta fsilo t berish. Planar-epitaksional IMS tranzistorlarning konstruktiv texnologik xususiyatlari va uning tavsiflari. Q o’shqutbli tranzistor yarim o’tkazgichli IMS tuzilishining asosiy elementi, boshqa elementlar yaratilishidagi asos sifatida. Q o’shqutbli tranzistorlar konstruksiyasining rivojlanish tarixi. Q o’shqutbli tranzistorlar konstm ktiv asoslari. Elementlararo izolyasiya uslubini tanlashda vertikal n-p-n tranzistorlar turiga bog’liqligi. Gorizontal n-p-n tranzistorlar. Shottki diodli tranzistorlar. Tranzistor tuzilmali asosda tuzilgan IMS diodlari va ularning konstruktiv-texnologik tavsiflari. Diodlarni konstruktiv hisoblash asoslari. Shottki diodlari. Yarim o’tkazgichli IMS laming rezistiv va sig’imli elementlari, konstruksiya turlari, tavsiflari, konstruktiv hisob asoslari. Kommutasiya elementlari, o ’zaro ulashlar tizimi, konstruksiya turlari, zamonaviy KIS metallizasiyasi ko’rsatkichli tizimi. MDP - tranzistorlarining konstruktiv - texnologik xususiyatlari, integral bir qutbli tranzistorlar variantlari. Bir qutbli tranzistorlarda MDP - tranzistor IMSdagi yagona sxema elementi sifatida, MDP-tranzistor yarim o ’tkazgichli xotiraning asosiy elementi sifatida KMDP-IMS elementlari. Birlashgan ikki qutbli va bir qutbli tranzistorlardagi IMS elementlari. Kremniyli integral mikrosxemalar ishlab chiqarishning struktura elementlari va texnologik jarayonlar! Kremniyli mikrosxemalar tayyorlashning tipik texnologik jarayoni, integral mikrosemalar texnologiyasining o‘ziga xos jihatlari. Kremniyli tagliklarga ishlov berish. Yarimo‘tkazgichli quymalar kristallografik yo‘nalishini aniqlash Kremniiyga mexanik ishlov berish, kremniy sirtini tozalash , kremniyni yemirish. Kremniyga aralashmalar diffuziyasi Diffuzii tenglamasini yechish, diffuzantlar xarakteristikalari, diffiiziya jarayonini o‘tkazishninig amaliy usullari, diffiizion qatlamlar xarakteristikalarini o‘rganish usullari. Kremniyga aralashmalarni ionli kiritish Ionli kiritishda aralashmalar taqsimoti, radiasion effektlar va ulaming legirlangan qatlamlar xossalariga ta’siri, ionlami kiritish jarayonini o'tkazishning amaliy usullari. Kremniy qatlamlarini epitaksial o‘stirish. Kremniyda xloridli va silanli avtoeiitaksiya metodlari, molekulyar-nurli epitaksiya, kremniyning sapfir sirtida geteroepitaksiyasi, epitaksial qatlamlar xarakteristikalarini o‘rganish metodlari Yupqa pardalarni olish va ularni qayta ishlash. Kremniy ikki oksidining pardasini termik oksidlash metodi yordamida olish, vakuumli termik changlatish, ion-plazmali changlatish, bug‘— gaz aralashmalaridan yupqa pardalarni o‘tqazish, pardalar qalinligini aniqlash metodlari, yupqa pardalarni qayta ishlashning ion-plazmali va plazmokimyoviy metodlari. Litografiya Fotolitografiya, elsktronolitografiya, rentgen nurli va ion litografii. Kremniyli integral mikrosxemlarni tayyorlashning texnologik jarayonlari Bipolyar mikrosxemalarda elementlami izolyasiyalash metodlari, bipolyar mikrosxemalami tayyorlashning texnologik jarayonlari, moyatranzistorlari asosida mikrosxemalami tayyorlashning texnologik jarayonlari, elektrik ulashlami hosil qilish va kremniyli mikrosxemalami yig‘ish. Gibrid integral mikrosxemalami tayyorlashningtexnologikjarayonlari Taglik materiallari. yupqa pardali mikrosxemlarda pardalar materiallari, yupqa pardalarda tasvirlar hosil qilish, yupqa pardali integral mikrosxemlar tayyorlashning tipik texnologik jarayoni, gibrid mikrosxemalami yig‘ish. Integral mikrosxemalami konstruksiyalashning predmeti va dastlabki ma’lumotlari Integral mikrosxemalami konstruksiyalash prinsiplari, integral mikrosxemalar, ulaming elementlari va komponentalari, elementlar parametrlarini hisoblash masalalari. Integral mikrosxemalar strukturlarining elektrofizik parametrlari Integral mikrosxemalar ishchi qatlamlari, p-n o‘tishlar solishtirma baryer sig‘imi, p-n o‘tish teshilish kuchlanishi, qatlamlar solishtirma elektr qarshiligi, emitter tokining baza qatlamida emitter qatlami bilan chegaralangan siqib chiqarish effekti (n-p-n tranzistorlar faol baza sohasi), p-n o‘tishlar issiqlik toklari. Integral yarimo‘tkazgichli mikrosxemalar bipolyar tranzistorlari va diodlarini loyihalash Integral n-p-n tranzistorlar spesifikasi, n-p-n tranzistorlarni loyihalash, n-p-n tranzistor uzatish koeffisiyentini hisoblash, p-n-p tranzistorlarni loyihalash, p-n o‘tishlar asosidagi integral diodlami loyihalash, Shotki baryerli diod va tranzistorlarni loyihalash, ko‘p emitterli n-p-n tranzistorlarni loyihalash. Yarimo‘tkazgichIi bipolyar integral mikrosxemalar passiv elementlarini loyihalash DifTuzion kondensatorlami loyihalash, rezistorlami loyihalash Mdya mikrosxemalar elementlarini loyihalash MDYA kondensatorlami loyihalash, MDYA tranzistorlarni loyihalash, zaryad bog'lanishli asboblami loyihalash, elementlararo ulashlami loyihalash. Yarimo‘tkazgichli integral mikrosxemalarni loyihalash Yarimo‘tkazgichli integral mikrosxemalar topologiysini ishlab chiqish, MDYA tranzistorlar asosidagi raqamli mikrosxemalar topologiysini ishlab chiqish, chiqishida differesial kaskadi bo‘lgan analogli integral mikrosxemalar topologiyasini loyihalashning o‘zga xosliklari, Integral injeksion mantiq, integral mikrosxemalami konstruktiv bezash, integral mikrosxemalar hujjatlari. Gibrid integral mikrosxemalarni loyihalash Gibrid integral mikrosxemalarning pardali elementlarini loyihalash, gibrid integral mikrosxemalar topologiysini ishlab chiqish. Katta integral mikrosxemalarni loyihalash Konstruksiyalashning o'ziga xosligi, elementlar strukturasining o‘ziga xosligi, mashinada konstruksiyalash masalasi, elementlaming fiziko-topologik modeli, elementlaming matematik modellari, topologiyani mashinada yaratish, konstruktorlik hujjatlami va fotoshablonlami mashinada yaratish. Galliy arsenidi asosidagi integral mikrosxemalar Galliy arsenidi asosidagi mikrosxema elementlarini tayyorlash texnologiyasi, Shottki zatvorli galliy arsenidi asosidagi maydon tranzistorlarining elektrik va konstruktiv parametrlari. Am aliy m ashg’ulotlarning taxm iniy ro’yxati. Amaliy mashg’ulotlarda m a’ruzalarda ko’rilgan asosiy sxemalar taxlil etiladi hamda sxemalami loyihlash va hisoblashlarni oddiy usullari o’rganiladi. Talabalar q o ’llanm alar va elektron versiyalar bilan ishlashlarni o ’rganishlari kerak. Amaliy mashg’ulotlami tashkil etish bo’yicha kafedra professor-o’qituvchilari tomonidan ko’rsatma va tavsiyalar ishlab chiqiladi. Unda talabalar asosiy ma’ruza mavzulari bo’yicha olgan bilim va ko’nikmalarini amaliy mashg’ulotlar orqali yanada boyitadilar. Shuningdek, darslik va o’quv qo’llanmalar asosida talabalar bilimlarini mustahkamlashga erishish, tarqatma materiallardan foydalanish, ilmiy maqolalar va tezislami chop etish orqali talabalar bilimini oshirish, mavzular bo’yicha taqdimotlar va ko’rgazmali qurollar tayyorlash tavsiya etiladi.KIS MElari tezkorligining kichikligiga qaramasdan MDY -texnologiyada bajarilar edi. ME tezkorligini oshirish muammosi Philips va IBM firmalari tomonidan BT asosida integral-injeksion mantiq(I2M) negiz elementi yaratilishiga sabab bo'ldi.I2M negiz elementi sxemasi 12.14, a-rasmda keltirilgan. ElementVT1 (pr n-p) va VT2 (n-p2-n+) komplementar BTlardan tashkil topgan.VT1 tranzistor, kirish signalini inverslovchi VT2 tranzistor uchun bazatoki generatori (injektori) vazifasini bajaradi. VT2 tranzistor odatda birnechta kollektorga ega bo‘lib, element mantiqiy chiqishlarini tashkiletadi. I2M turdagi elementlarda hosil qilingan mantiqiy sxemalarda,VT1 tranzistor emitteri hisoblangan injektor (I), kuchlanish manbayibilan R rezistor orqali ulanadi va uning qarshiligi talab etilgan toknita ’minlaydi. Bunday tok bilan ta ’minlovchi qurilma injektor tokiqiymatini, keng diapazonda o ‘zgartirib uning tezkorligini o‘zgartirishga imkon beradi. Amalda injektor toki 1 nA— 1 mAgacha o ‘zgarishimumkin, ya’ni VT1 tranzistor EO‘idagi kuchlanishni ozgina orttirib(har 60 mVda tok 10 marta ortadi) tok qiymatini 6 tartibga o ‘zgartirish
mumkin.
12.14-rasm. PM negiz elementning prinsipial sxemasi (a),
topologiya qirqimi (b) va shartli belgilanishi (c). PM IS kremniyli n+- asosda tayyorlanadi (12.14, b-rasm), u o ‘z
navbatida barcha invertor emitterlarini bilashtiruvchi umumiy elektrod
hisoblanadi (rasmda bitta invertor ko‘rsatilgan). n-p-n turli tranzistor
bazasi bir vaqtning o ‘zida p-n-p turli tranzistorni kollektori b o iib
hisoblanadi. Elementlaming bunday tayyorlanishi funksional integratsiya
deyiladi. Bu vaqtda turli elementlarga tegishli sohalami izolatsiya qilishga
(TTM va EBM elementlaridagi kabi) ehtiyoj qolmaydi. PM elementi
rezistorlardan xoli ekanligini inobatga olsak, yaxlit element kristalda
TTMdagi standart KET egallagan hajmni egallaydi. Elementning ishlash prinsipi. Ikkita ketma-ket ulangan I2M
elementlar zanjiri 12.15-rasmda tasvirlangan. Agar sxemaning kirishiga
berilgan kuchlanish U°KlR < U' bo'lsa, u holda qayta ulanuvchi VT2
tranzistorning ikkala o'tishi berk bo‘ladi. VT1 injektordan berilayotgan
tok / , qayta ulanuvchi tranzistor bazasidan kirish zanjiriga uzatiladi.
Bu holatda chiqish kuchlanishi keyingi kaskad qayta ulanuvchi VT2/
tranzistoriningto‘g ‘ri siljitilgan p-n o ‘tishi kuchlanishiga teng bo'ladi,
ya’ni U‘CH1Q = ￡/*~0,7 V. Agar sxemaning kirishidagi kuchlanish
U'KlR > U' b o ‘lsa, u holda qayta ulanuvchi VT2 tranzistor ochiladi. p2
sohaga kelib tushayotgan kovaklar bu sohani tez zaryadlaydi. VT1
injektor to‘yinish rejimiga o ‘tadi. p2soha potensiali injektor potensialiga
deyarli teng b o ‘ladi. VT2 tranzistorning emitter-baza o'tishi to ‘g‘ri
yo‘nalishda siljiydi va elektronlarning bazaga, keyin esa kollektorga
injeksiyasi boshlanadi. Kollektorga kelayotgan elektronlar ^ so h ad an
kelgan kovaklarni neytrallaydi. Natijada kollektor potensiali pasayadi
va baza potensialidan kichik bo‘lib qoladi. VT2 tranzistor to ‘yinish
rejimiga o ‘tadi va element chiqishida to‘yingan tranzistor kuchlanishiga
teng bo‘lgan kichik sathli kuchlanish o‘rnatiladi. Real sharoitda u
0,1+0,2 V ga teng. Shunday qilib, I2M negiz ME uchun quyidagi
munosabatlar haqiqiydir: U° = 0,1+0,2 V; U1 = 0,6+0,7 V. Bundan
I2M negiz ME uchun mantiqiy o‘tish UM0 = 0,4+0,6 V ekanligi kelib
chiqadi.



Bir turdagi MDY — tranzistorlar asosidagi mantiq
elementlar
Axborotni qayta ishlash va saqlash vazifalarini bajaruvchi zamonaviy
mikroelektron apparatlarda turli integratsiya darajasiga ega bo‘lgan
IMSlar ishlatiladi. Ayniqsa KIS va 0 ‘KIS integratsiya darajasiga ega
bo‘lgan IMSlar keng qo‘llanilmoqda.
TTM va EBM elementlari yuqori tezkorlikni ta’minlaydilar, ammo
iste’mol q uw a ti va o'lchamlari katta bo‘lganligi sababli, faqat kichik
va o ‘rta integratsiya darajasiga ega bo‘lgan IMSlar yaratishdagina
qo‘llaniladi.
1962-yilda planar texnologik jarayon asosida kremniy oksidli (S i0 2)
MDY — tranzistor yaratildi, keyinchalik esa uning asosida guruh usulida ishlab chiqarish yo‘Iga qo‘yildi.
Integral BTlardan farqli ravishda bir turdagi MDY in te g ra l
tranzistorlarda izolatsiyalovchi ch o ‘ntaklar hosil qilish talab etilmaydi.
Shuning uchun, bir xil murakkablikka ega bo ‘lganda, M D Y —
tranzistorli IMSlar BTlarga nisbatan kristalda kichik o ‘lchamlarga ega
va yasalish texnologiyasi sodda b o ‘ladi. Kremniy oksidili M D Y
ISlarning asosiy kamchiligi — tezkorlikning kichikligidir. Yana bir
kamchiligi — katta iste’mol kuchlanishi bo‘lib, u MDY ISlarni ВТ
ISlar bilan muvofiqlashtirishni murakkablashtiradi. MDY ISlar asosan
uncha katta bo‘lmagan tezkorlikka ega bo‘lgan va kichik tok iste’m ol
qiladigan mantiqiy sxemalar va KISlar yaratishda qo ‘llaniladi. M D Y
ISlarda eng yuqori integratsiya darajasiga erishilgan bo‘lib, bir kristalda
yuz minglab va undan ko‘p komponentlar joylashishi mumkin.
MDY — tranzistorli mantiq (MDYTM) asosida yuklamasi MDY —
tranzistorlar (11.6-paragrafda ko‘rib o‘tilnan) asosida yaratilgan elektron
kalit — invertorlar yotadi. Sxemada passiv elementlarning ishlatilmasligi,
IMSlar tayyorlash texnologiyasini soddalashtiradi.
Mantiqiy IMSlar tuzishda n yoki p kanali induksiyalangan MDY —
tranzistorlardan foydalanish mumkin. Ko‘proq n — kanalli tranzistorlar
qo‘llaniladi, chunki elektronlarning harakatchanligi kovaklarnikiga
nisbatan yuqori b o ‘lganligi sababli mantiqiy IMS larning y u q o ri
tezkorligi ta ’minlanadi. Bundan tashqari, n — MDYTM sxemalar
kuchlanish nominali va mantiqiy 0 va 1 sathlari bo'yicha TTM sxemalar
bilan to'liq muvofiqlikka ega. Sodda 2HAM-EMAS va 2YOKI-EMAS ME sxemalari 12.12-
rasmda keltirilgan.
Bu sxemalarda yuklama sifatida ishlatilayotgan VTO tranzistorlar
doim ochiq holatda bo'ladi, chunki ularning zatvorlari kuchlanish
manbayining musbat qutbiga tutashgan. Ular tok cheklagichlar (dinamik
qarshiliklar) vazifasini bajaradi.
2HAM-EMAS sxemada (12.12, a-rasm) pastki VT1 va VT2
tranzistorlar ketma-ket, 2YOK1-EMAS sxemada esa (12.12, b-rasm) —
parallel ulanadi.
12.12-rasm. n — MDY tranzistorli mantiqelementlarsxernalari.
2HAM-EMAS ME ishini ko‘rib chiqamiz. Agar qayta ulanuvchi
tranzistorlar birining kirishidagi potensial bo‘sag‘aviy potensial U0 dan
kichik bo‘lsa, ya’ni UKIR < U0 (mantiqiy 0) bo‘lsa, u holda bu tranzistor
berk bo ‘ladi. Bu vaqtda yuklamadagi VTO tranzistor stok toki ham
nolga teng b o ‘ladi. Shu sababli, sxemaning chiqishida manba
kuchlanishi EM qiymatiga yaqin bo‘lgan, ya’ni mantiqiy birga mos
kuchlanish o‘rnatiladi. Ikkala kirishga mantiqiy 1 sathga mos (U' KIR > U0) musbat potensial
berilsa, ikkala tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy 0 (U°CHIQ < U)
o ‘rnatiladi.
2YOKI —EMAS elementda (12.12, b-rasm) biror kirishga yuqori
sath kuchlanishi (U‘K[R> U() berilsa, mos ravishda VT1 yoki VT2
tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy 0 (U°CHIQ< U0) o ‘rnatiladi.
Agar ikkala kirishga mantiqiy 0 darajasi berilsa, VT1 va VT2 berk
bo‘ladi. Chiqishda esa yuqori sath kuchlanishi — mantiqiy 1 o ‘rnatiladi.
U°CHiq < i/f,b o ‘lishi uchun, qayta ulanuvchi tranzistor (QUT) kanali
kengligi yuklama vazifasini bajaruvchi tranzistor (YuT) kanali
kengligidan katta, QUT kanal uzunligi esa YuT nikidan kichik bo‘lishi
kerak. Invertor statik rejimi va o ‘tish jarayonlari tahlil shuni ko‘rsatdiki,
tezkorlikva iste’mol quwati nuqtai nazaridan EM = (2-^-3) U0 kuchlanish Ikkala kirishga mantiqiy 1 sathga mos (U' KIR > U0) musbat potensial
berilsa, ikkala tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy 0 (U°CHIQ < U)
o ‘rnatiladi.
2YOKI —EMAS elementda (12.12, b-rasm) biror kirishga yuqori
sath kuchlanishi (U‘K[R> U() berilsa, mos ravishda VT1 yoki VT2
tranzistor ochiladi va chiqishda mantiqiy 0 (U°CHIQ< U0) o ‘rnatiladi.
Agar ikkala kirishga mantiqiy 0 darajasi berilsa, VT1 va VT2 berk
bo‘ladi. Chiqishda esa yuqori sath kuchlanishi — mantiqiy 1 o ‘rnatiladi.
U°CHiq < i/f,b o ‘lishi uchun, qayta ulanuvchi tranzistor (QUT) kanali
kengligi yuklama vazifasini bajaruvchi tranzistor (YuT) kanali
kengligidan katta, QUT kanal uzunligi esa YuT nikidan kichik bo‘lishi
kerak. Invertor statik rejimi va o ‘tish jarayonlari tahlil shuni ko‘rsatdiki,
tezkorlikva iste’mol quwati nuqtai nazaridan EM = (2-^-3) U0 kuchlanish qiymati optimal hisoblanadi. Demak, U0 = 1,5—3 V boMganda
EM = 4,5—9 V bo‘ladi.
MDYTM elementlarda real U°CHIQ qiymati U° = UQOLzt0,2—0,3 V
dan katta emas, U'cmQqiymati esa U’CHlQ~EM.
Mos ravishda mantiqiy o ‘tish MDYTM elementning yana bir afzalligi - xalaqitbardoshligi
yuqoriligidadir. BTlardagi MElarda mantiqiy 0 ning xalaqitbardoshligi
(1 -2 ) i/', ya’ni 0 ,7 -1 ,4 V boMganda, MDYTM d a U > = Un - IPx
I ,5 -3 V b o ‘ladi.
HAM-EMAS elementida kirishlar soni ortgan sari xalaqitbardoshlik
kamayadi, chunki bir vaqtda ba rcha tra n z is to rla rn in g q oldiq
kuchlanishlari UQ0L ortadi. Shu sababli HAM-EMAS elementlarda
kirishlar soni 4 tadan ortmaydi, YOKI-EMAS elementlarda esa 1 0 -
12 tagacha yetadi. Amalda YOKI-EMAS elementlar ko‘p qo‘llaniladi,
HAM-EMAS elementlar esa faqat IS seriyalarining funksional to ‘liqligi
uchun ishlatiladi. MDY sxemalarning yuklama qobiliyati katta, chunki
kirish (zatvor) zanjiri deyarli tok iste’mol qilmaydi. Demak, ish
jarayonida zanjirdagi barcha MElar bir-biriga b og‘liq b o ‘lmagan holda
ishlaydilar, U°va i/7sathi esa yuklamaga bog‘liq bo'lmaydi.
MDY — tuzilma elementlari tezkorligi esa kirish va chiqish
zanjirlarini shuntlovchi sig‘imlarning qayta zaryadlanish vaqti bilan
aniqlanadi. Tezkorlikni oshirish yo‘lidagi barcha urinishlar boshqa
kamchiliklarni yuzaga keltirdi. Masalan, te z k o rlik n in g ortishi
yuklamadagi sig‘imlarni qayta zaryadlanish toki qiymatini ortishiga
olib keladi. Lekin, bu usul iste’mol quwatini va chiqishdagi mantiqiy
sathlar nobarqarorligini ortishiga olib keladi. K o ‘rsatilgan qaramaqarshiliklar
turli o ‘tkazuvchanlikka ega (komplementar) tranzistorli
kalitlar yordamida, sxemotexnik usulda bartaraf etilishi mumkin.
Integral mikrosxemaning murakkabligi integratsiya darajasi deb ataladigan indikator bilan tavsiflanadi. 100 dan ortiq elementli integral mikrosxemalar past integral mikrosxemalar deb ataladi; 1000 tagacha elementni o'z ichiga olgan sxemalar - o'rtacha darajadagi integral mikrosxemalar; o'n minglab elementlarni o'z ichiga olgan sxemalar - katta integral mikrosxemalar. Bir milliongacha elementni o'z ichiga olgan sxemalar allaqachon ishlab chiqarilmoqda (ular juda katta deb nomlanadi). Integratsiyaning bosqichma-bosqich o'sishi har yili sxemalar miniatyura va shunga mos ravishda murakkablashib borishiga olib keldi. Ilgari katta bo'lgan juda ko'p sonli elektron qurilmalar endi kichkina silikon plastinaga joylashdi. 1971 yilda Amerikaning "Intel" firmasi tomonidan arifmetik va mantiqiy operatsiyalarni bajarish uchun yagona integral mikrosxemaning - mikroprotsessorning yaratilishi juda muhim voqea bo'ldi. Bu mikroelektronikada hisoblash sohasida ulkan yutuqlarga olib keldi.