O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI QARSHI FILIALI
“ KI ” FAKULTETI
2 – BOSQICH KI.11.19 GURUH TALABASINING
Elektironika va sxemalar
FANIDAN TAYYORLAGAN
9-Labaratoriyasi.
Bajardi: Eshpulatov.E
Qabul qildi: Rustamova.M
QARSHI – 2020
MAVZU: стабилитрон характеристикалари ва параметрларини тадқиқ этиш.
Ишни бажаришдан мақсад: Ярим ўтказгичли стабилитроннинг характеристикаларини тажриба йўли билан аниқлаш.
Бошланғич маълумотлар
Стабилитрон pn-ўтишли диод бўлиб, пробой кучланишининг аниқ қиймати билан характерланади. Оддий диоддан фарқли равишда вольт-ампер характеристикасининг тескари қисмида ишлайди (1-расм). Тескари кучланиш стабилизация кучланиши деб аталувчи Vz туннел пробой кучланишиан кичик бўлганда стабилитрондан деярли ток ўтмайди, ундан катта бўлса пробой юз беради ток ўта бошлайди. Пробой соҳасида стабилитрондаги кучланиш тушиши токнинг жуда катта ўзгаришларида ҳам ўзгармайди, яъни ўзидаги кучланишни бир хил даражада ушлаб туради. Стабилитронлар параллел стабилизация учун ва таянч кучланиш манбаси сифатида ишлатилади.
Do'stlaringiz bilan baham: |
