Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universitetifarg

I
+
+
=




dx
dn /
,
)
(
dx
dn
qD
S
x
I
n
Э
n
=

---

11-rasm. Turli rejimlarda zaryad tashuvchilarning BT bazasida taqsimlanishi: 1 –
muvozanat holat (UEB = 0, UKB = 0), 2 – aktiv,
3 – invers, 4 – to‘yinish, 5 – berk rejimlarga mos keladi. 
Dreyfli BT bazasida elektronlar toki diffuziya va dreyf tashkil etuvchilaridan 
tashkil topadi: 
, 
bu yerda, n(x) – ixtiyoriy x kesimda elektronlar konsentratsiyasi, 
– akseptor kiritmalar konsentratsiyasi NA notekis 
taqsimlangan bazada ichki elektr maydon kuchlanganligi. 
Invers rejimda KO‘ to‘g‘ri yo‘nalishda siljitilgan bo‘lib, elektronlar 
kollektordan bazaga injeksiyalanadi. Baza sohasidagi noasosiy zaryad tashuvchilar 
konsentratsiyasi kollektordan emitterga kamayib boradi va bu holda tok teskari 
yo‘nalgan bo‘ladi. To‘yinish rejimida, ikkala r-n o‘tish to‘g‘ri siljitilganda, r-n o‘tishlar 
yaqinida elektronlar konsentratsiyasi muvozanat holatdagiga qaraganda yuqori 
bo‘ladi, shuning uchun n(x) konsentratsiyaning bazada taqsimlanishi 4-chiziq bilan 
ifodalanadi. Ushbu taqsimlanishni aktiv va invers rejimlardagi konsentratsiyalar 
taqsimlanishi yig‘indisi sifatida ko‘rsatish mumkin. Ikkala r-n o‘tishga teskari siljitish 
berilgan berk rejimda, bazaning r-n o‘tishlarga yaqin sohalarida, elektronlar 
konsentratsiyasi amalda nolga teng bo‘lib, muvozanat holatda bazada 
taqismlanganga qaraganda kamroq bo‘ladi (5-chiziq). r-n o‘tishlar yaqinida hosil 
bo‘ladigan konsentratsiya gradiyentlari r-n o‘tishlarning teskari toklarini aniqlaydi. 
Zaryad tashuvchilarning bazada taqsimlanishini bilish r-n o‘tishlarga berilgan 
kuchlanishlarning tranzistor elektrodlaridagi toklar qiymatiga ta’sirini grafik 
ravishda yaqqol ko‘rsatish imkonini beradi. Yuqorida keltirilgan zaryad tashuvchilar 
taqsimlanishi o‘tishlarga berilgan kuchlanishlar ta’sirida baza sohasi kengligining 
o‘zgarishlarini e’tiborga olmagan holda ko‘rib chiqildi. Real BTlarda r-n o‘tishlarga 
Б
n
Э
n
Э
n
E
x
n
q
S
dx
dn
qD
S
x
I
)
(
)
(

+
=
)
/
/(
)
/
(
dx
dN
qN
kT
Е
A
A
Б
=

---

berilgan kuchlanishlar ta’sirida r-n o‘tish kengligi o‘zgaradi, bu o‘z navbatida baza 
sohasi kengligi LB ning o‘zgarishiga olib keladi. Agar r-n o‘tishlar kengaysa, baza 
torayadi va aksincha bo‘ladi. Ushbu hodisa Erli effekti yoki baza kengligi 
modulyatsiyasi deb ataladi. 
Erli effekti qanday natijalarga olib kelishi mumkinligini ko‘rib chiqamiz. 
Aktiv rejimda KO‘dagi teskari kuchlanish qiymati UKB ortgan sayin baza 
kengligi LB kichiklashadi. Bu o‘z navbatida bazaga injeksiyalangan elektronlar 
konsentratsiyasi gradiyentini oshiradi, natijada, emitter toki ortadi. Baza kengligi 
kamayishi bilan, emitter tokining rekombinatsiya hisobiga yo‘qolishi kamayib, 
tashish koeffitsiyenti 
qiymati ortadi. 
To‘yinish rejimida emitter va kollektordan bazaga elektronlar injeksiyalanadi. 
Natijada, UK ortishi bilan EO‘ning elektronlar toki keskin kamayadi. Emitter 
samaradorligi ham keskin kamayib, UK = UE bo‘lganda 
=0 bo‘ladi. 
Berk rejimda 
=0. Invers rejimda r-n o‘tishlar vazifalari almashadi – KO‘ 
boshqaruvchi bo‘lib, EO‘ boshqariluvchi bo‘lib qoladi. 
XULOSA 
Men bu musataqil ishdan tushundmki BTlar asosan, chastotalarning keng 
diapazonida (0÷10 GGts) va quvvat bo‘yicha (0,01÷100 Vt) elektr signallarni 
o‘zgartuvchi, generator va kuchaytirgich sxemalarni hosil qilish uchun ishlatiladi.
Tranzistorning sohalari ichida eng yuqori konsentratsiyaga ega bo‘lgan 
chekka soha (n+ – soha) n+-p-n yoki (p+- soha) p+-n-p turli tranzistorlarda emitter 
(E) deb ataladi. Emitterning vazifasi tranzistorning baza (B) sohasi deb ataluvchi 
o‘rta (p- yoki n- turli) sohasiga zaryad tashuvchilarni injeksiyalashdan iborat. 
 
T


