Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti qarshi filiali kompyuter Injiniring Fakulteti

Kanali qurilgan MDYa – transistor 
33 –rasmda n – turdagi kanali qurilgan MDYa tranzistor tuzilmasi (a) va 
uning shartli belgisi (b) keltirilgan. 
Agar U
ZI
= 0 bo‘lganda U
SI
kuchlanish o‘rnatilsa, u holda kanal orqali 

---

elektronlar hisobiga tok oqib o‘tadi. Zatvorga istokka nisbatan manfiy 
kuchlanish berilsa, kanalda ko‘ndalang elektr maydon yuzaga keladi va uning 
ta’sirida kanaldan elektronlar itarib chiqariladilar. Kanal elektronlar bilan 
kambag‘allashib boradi, uning qarshiligi ortadi va stok toki kamayadi. 
Zatvordagi manfiy kulchlanish qancha katta bo‘lsa, bu tok shuncha kichik 
bo‘ladi. Tranzistorning bunday rejimi kabag‘allashish rejimi deb ataladi. 
Agar zatvorga musbat kuchlanish ta’sir ettirilsa, hosil bo‘lgan elektr 
maydoni ta’sirida, istok va stok, hamda kristalldan kanalga elektronlar kela 
boshlaydilar, kanalning o‘tkazuvchanligi va shu bilan birga stok toki ortib 
boradi. Bu rejim boyish rejimi deb ataladi. 
Ko‘rib o‘tilgan jarayonlar 34 a – rasmda keltirilgan statik stok – zatvor 
xarakteristikada: U
SI
=const bo‘lgandagi I
S
= f (U
ZI
) bilan ifoda-langan. 
ЗИ
U

0 bo‘lganda tranzistor boyish rejimida, 
ЗИ
U

0 bo‘lganda esa 
kambag‘allashish rejimida ishlaydi. 
a) b) 
33 – rasm. 
Boyish rejimida stok xarakteristikalari U
ZI
= 0 da olingan boshlang‘ich 
xarakteristikadan - yuqorida, kambag‘allashish rejimida esa – pastda 
joylashadi (34 b- rasm). 
a) b) 
34 – rasm. 
S, Ri va

statik differensial parametrlar xuddi p–n –o‘tish bilan 
boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagi (3.14), (3.15) va (3.16) 
ifodalardan mos ravishda aniqlanadi. 
Xarakteristika tikligi va ichki qarshilik barcha turdagi maydoniy 
tranzistorlardagi kabi qiymatlarga ega bo‘ladi. Kirish qarshiligi va 
elektrodlararo sig‘imlarga kelsak, MDYa – tranzistorlar p-n o‘tish bilan 
boshqariladigan maydoniy tranzistorlardagiga nisbatan yaxshi ko‘rsatkichlarga 
ega. R
ZI
kirish qarshiligi bir necha darajaga yuqori bo‘lib 10
12
-10
15
Om ni 
tashkil etadi. Elektrodlararo sig‘imlar qiymati S
ZI
, S
SI 
lar uchun -10 pF dan,

---

S
ZS 
uchun -2 pF dan ortmaydi. Bu ko‘rsatkichlar tranzistor inersiyasini 
belgilaydilar.