Muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti qarshi filiali kompyuter Injiniring Fakulteti

Kanali induksiyalangan MDYa – tranzistor 
P – n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorlardan farqli 
ravishda MDYa–tranzistorlarda metall zatvor kanal hosil qiluvchi o‘tkazgichli 
sohadan doim dielektrik qatlami yordamida izolyatsiyalangan. Shu sababli 
MDYa–tranzistorlar zatvori izolyatsiyalangan maydoniy tranzistorlar turiga 
kiradi. Dielektrik qatlami SiO
2
dielektrik oksidi bo‘lganligi sababli, bu 
tranzistorlar MOYa – tranzistorlar (metall – oksid- yarim o‘tkazgichli tuzilma) 
deb ham ataladilar. 
MDYa–tranzistorlarning ishlash prinsipi ko‘ndalang elektr maydoni 
ta’sirida dielektrik bilan chegaralangan yarim o‘tkazgichning yuqori qatlamida 
o‘tkazuvchanlikni o‘zgartirish effektiga asoslangan. Yarim o‘tkazgichning yuqori 
qatlami tranzistorning tok o‘tkazuvchi kanali vazifasini bajaradi. 
p – kanali induksiyalangan MDYa - tranzistor tuzilmasi 30 a –rasmda va 
uning shartli belgisi 30 b- rasmda keltirilgan. 
Tranzistor quyidagi chiqishlarga ega: istokdan – I, stokdan – S, zatvordan 
– Z va asos deb ataluvchi – A kristalldan. 
Stok va istoklarning p
+
- sohalari n – turdagi yarim o‘tkazgich bilan ikkita

---

p–n o‘tish hosil qilganligi sababli, U
SI
kuchlanishining biror qutblanishida bu 
o‘tishlardan biri teskari yo‘nalishda ulanadi va stok toki I
S
deyarli nolga teng 
bo‘ladi. 
Tranzistorda tok o‘tkazuvchi kanal hosil qilish uchun zatvorga teskari 
qutbdagi kuchlanish beriladi. Zatvor elektr maydoni SiO
2
dielektrik qatlami 
orqali yarim o‘tkazgichning yuqori qatlamiga kiradi, undagi asosiy zaryad 
tashuvchilar (elektronlar) ni itarib chiqaradi va asosiy bo‘lmagan zaryad 
tashuvchilar (kovaklar) ni o‘ziga tortadi. Natijada yuqori qatlam elektronlari 
kambag‘allashib, kovaklar bilan esa boyib boradi. Zatvor kuchlanishi 
bo‘sag‘aviy deb ataluvchi ma’lum qiymati U
0 
ga yetganda, yuqori qatlamda 
elektr o‘tkazuvchanlik kovak o‘tkazuvchanlik bilan almashadi va istok va stokni 
bir – biri bilan bog‘lovchi p- turdagi kanal shakllanadi. 
0
U
U
ЗИ

bo‘lganda 
yuqori qatlam kovaklar bilan boyib boradi, bu esa kanal qarshiligini 
kamayishiga olib keladi. Bu vaqtda stok toki I
S
ortadi. 31 – rasmda p – kanali 
induksiyalangan MDYa - tranzistorning stok – zatvor VAXsi keltirilgan. 
32 – rasmda n - kanali induksiyalangan MDYa - tranzistorning chiqish 
(stok) xarakteristiklar oilasi keltirilgan. Zatvorga ma’lum kuchlanish berilganda 
СИ
U
ning ortib borishiga ko‘ra stok toki nol qiymatdan avvaliga chiziqli 
ko‘rinishda ortib boradi (VAX ning tikka qismi), keyinchalik esa ortish tezligi 
kamayadi va yetarlicha katta 
СИ
U
qiymatlarida tok o‘zgarmas qiymatga 
intiladi. Tok ortishining to‘xtashi stok yaqinidagi kanalning berkilishi bilan 
bog‘liq.