Nókis filialí Telekommunikaciya texnologiyaları

ÓZBEKSTAN RESPUBLIKASÍ
SANLÍ TEXNOLOGIYALAR MINISTRLIGI


MUHAMMED AL-XOREZMIY ATÍNDAǴÍ
TASHKENT INFORMACIYALÍQ TEXNOLOGIYALARÍ UNIVERSITETI
NÓKIS FILIALÍ


"Telekommunikaciya texnologiyaları
hám kásiplik tálim" fakulteti
“-----------” baǵdarı
2-kurs ----- topar studenti
--------------tıń
Elektronika hám sxemaları páninen
Óz betinshe jumısı

Tayarlaǵan _________________


Qabıllaǵan _________________
Nókis –2023
Tema: Yarım ótkizgish IMSlar jaratıwda texnologiyalıq process hám opreaciyalar
Jobası:
I.Kirisiw
1.1 Uluwma maǵlumat
II.Tiykarǵı bólim
2.1 Yarım ótkizgish IMSlar jaratıw
2.2BTlar tiykarında IMSlar jaratıw
2.3 MDYa tranzistorları tiykarında IMSlar jaratıw
III.Juwmaqlawshı bólim
IV. Paydalanılǵan ádebiyatlar

1. 
   Uluwma maǵlumat
   

Integral mikrosxemalar elektr ásbaplardıń sapa dárejesindegi jańa túri bolıp elektron qurılmalardıń tiykarǵı negiz elementi esaplanadı.
Integral mikrosxema (IMS) elektr tárepten óz-ara baylanısqan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar hám basqalar ) kompleksi bolıp, birden-bir texnologiyalıq siklda atqarıladı, yaǵnıy bir waqıttıń ózinde birden-bir konstruksiya (tiykar) de málim informaciyanı qayta islew funksiyasın atqaradı.
IMSlardıń tiykarǵı ózgesheligi sonda, ol quramalı funksiyalardı orınlaw menen birge kúsheytgish, trigger, esaplaǵısh, yad apparatı hám basqa funksiyalardı da atqaradı. Tap sol funksiyalardı orınlaw ushın diskret elementlerde uyqas keliwshi sxemanı jıynaw talap etiledi.
IMSlar ushın eki tiykarǵı belgi tómendegishe : konstruktiv hám texnologiyalıq. Konstruktiv belgisi sonda, IMSnıń barlıq elementleri tiykarǵı tiykar ishinde yamasa sırtında jaylasadı, elektr tárepten birlestirilgen hám birden-bir qabıqǵa jaylastırılǵan bolıp, birden-bir esaplanadı. IMS elementleriniń hámmesi yamasa bir bólegi hám elementler óz-ara baylanısıwlar birden-bir texnologiyalıq siklda atqarıladı. Sol sebepli integral mirosxemalar joqarı isenimlilikke hám kishi ózine túser bahasına iye.
Házirgi kúnde soǵılıw túri hám payda bolatuǵın strukturaǵa kóre IMSlardıń úsh principial túri ámeldegi: yarım ótkizgishli, perdeli hám gibrid. Hár bir IMS túri konstruksiyası, mikrosxema quramına kiretuǵın element hám komponentler sanın ańlatiwshı integraciya dárejesi men en xarakterlenedi.
Element dep qandayda bir elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator hám basqalar ) funksiyasın ámelge asırıwshı IMS bólegine aytıladı hám ol kristall yamasa tiykardan ajralmaǵan konstruksiyada jaratıladı.
IMS komponentasi dep onıń diskret element funksiyasın atqaratuǵın, biraq aldın ǵárezsiz ónim sıyaqlı montaj etiletuǵın bólegine aytıladı.
Tiykarǵı IMS konstruktiv belgilerinen biri bolıp tiykar túri esaplanadı. Bul belgine kóre IMSlar eki túrge bólinedi: yarım ótkizgishli hám dielektrik.
Tiykar retinde yarım ótkizgishli materiallar arasında kremniy hám galliy arsenide keń qollanıladı. IMSnıń barlıq elementleri yamasa elementlerdiń bir bólegi yarım ótkizgishli monokristall plastina kórinisinde tiykar ishinde jaylasadı.
Dielektrik tıyanaqlı IMSlarda elementler onıń sırtında jaylasadı. Yarım ótkizgish tıyanaqlı mikrosxemalardıń tiykarǵı abzallıǵı - elmentlerdiń kútá úlken integraciya dárejesi esaplanadı, biraq onıń nominal parametrleri diapazonı júdá sheklengen bolıp olar bir- birinen izolyatsiyalanıswı talap etedi. Dielektrik tıyanaqlı mikrosxemalardıń abzallıǵı - elementlerdiń áp-áneydey izolyatsiyasi, olardıń ózgeshelikleriniń turaqlılıǵın, hám de elementler túri hám elektr parametrleri tańlawınıń keńligi.
Perdeli hám gibrid mikrosxemalar
Perdeli IS - bul dielektrik tiykar sırtına súrtilgen elementleri perde kórinisinde orınlanǵan mikrosxema. Perdeler tómen basımda túrli materiallardan juqa paradalar kórinisinde shókpeler payda etiw jolı menen alınadı.
Perde payda etiw usılı hám oǵan baylanıslı bolǵan qalıńlıǵına kóre juqa perdeli IS (perde qalıńlıǵı 1 - 2 mkmgacha) hám qalıń perdeli IS (perde qalıńligi10 - 20 mkm ge shekem hám úlken) larga bólinedi.
Házirgi kúnde turaqlı perdeli diodlar hám tranzistorlar joq, usınıń sebepinen perdeli ISlar tek passiv elementler (rezistorlar, kondensatorlar hám x. z.) den dúziledi.
Gibrid IS (yamasa GIS) – bul perdeli passiv elementler menen diskret aktiv elementler kombinatsiyasınan shólkemlesken, birden-bir dielektrik tiykarda jaylasqan mikrosxema. Diskret komponentlerdi aspa elementler dep ataydılar. Qabıqsız yamasa mikrominiatyur metall qabıqlı mikrosxemalar gibrid IMSlar ushın aktiv elemental bolıp esaplanadı.
Gibrid integral mikrosxemalardıń tiykarǵı abzallıǵı : salıstırǵanda qısqa islep shıǵıw waqtında analog hám cifrlı mikrosxemalarning keń túrlerin jaratıw múmkinshiligi; keń nomentkaluturaga iye bolǵan passiv elementler payda etiw múmkinshiligi; MDYa - ásbaplar, diodli hám tranzistorlı matritsalar hám joqarı jaramlı mikrosxemalar shıǵıwı.
2.1 Yarım ótkizgish IMS jaratıw
Integral mikrosxema (IMS) kóp sanlı tranzistor, diod, kondensator, rezistor hám olardı bir-birine baylanıstıratuǵın ótkeriwshilerdi birden-bir konstruksiyaǵa birlestiriwdi (konstruktiv integraciya ); sxemada quramalı informaciya ózgertiwler orınlanıwın (sxemotexnik integraciya ); birden-bir texnologiyalıq siklda, bir waqtıniń ózinde sxemanıń elektroradio elementleri (ERE) payda etiwin, jalǵanıwlar ámelge asırılıwın hám bir waqıtta gruppa usılı menen kóp sanlı birdey integral mikrosxemalar payda etiw (texnologiyalıq integraciya ) ni sáwlelendiredi. IMS birden-bir texnologiyalıq siklda, birden-bir tiykarda tayarlanǵan hám informaciya ózgertiwde málim funksiyanı orınlawshı óz-ara elektr tárepten jalǵanǵan ERElar kompleksi bolıp tabıladı.
IMS elektron ásbaplar qatarına kiredi. Onıń elektron ásbap retindegi tiykarǵı ózgesheligi sonda, ol ǵárezsiz túrde, mısalı, informaciyanı eslep qalıwı yamasa signaldı kúsheytiwi múmkin. Diskret elementler tiykarında sol funksiyalardı orınlaw ushın tranzistorlar, rezistorlar hám basqa elementlerden ibarat sxemanı qolda jıynaw zárúr. Elektron ásbaptıń úskene quramında islew isenimliligi aldınam bar kepserlengen jalǵanıwlar sanı menen anıqlanadı. IMSlarda elementler bir-biri menen metallash jolı jalǵanadı, yaǵnıy kepserlenbeydi da, japsar da etińmeydi. Bunıń nátiyjesinde jıynaw, montaj qılıw jumıslarınıń sapasın asırıw máselesi sheshildi, úlken muǵdardaǵı ERElarga iye radioelektron qurılmalar óndiriste isenimlilik támiyin-landi.
Házirgi kúnlerde tayarlaw usılı hám bunda payda bolatuǵın strukturasına kóre IMSlarni bir-birinen Principial parıqla -nuvchi úsh túrge ajratıladı : yarım ótkezgish, perdeli hám gibrid. IMSlarning hár túri, mikrosxema quramına kiretuǵın elementler hám komponentler sanın ańlatiwshı, integraciya dárejesi hám konstruksiyası menen parıq etedi.
Element dep, konstruksiyası boyınsha kristall yamasa tiykardan ajralmaydigan, ERE funksiyasın orınlawshı IMSning bólegine aytıladı.
IMS komponenti dep, diskret element funksiyasın orınlawshı, lekin montajdan aldın ǵárezsiz ónim bolǵan IMSning bólegine aytıladı.
Jıynaw, montaj qılıw operatsiyaların orınlawda komponentler mikrosxema tiykarına ornatıladı. Qabıqsız diod hám tranzistorlar, kondensatorlardıń arnawlı túrleri, kishi ólshemli induktivlik túteleri hám basqalar ápiwayı komponentlerge, mu-rakkab komponentlerge bolsa, bir neshe elementten shólkemlesken, mısalı, diod yamasa tranzistorlar jıynamaları kiredi.
Elementleri yarım ótkezgish tıykardıń sırtına jaqın qatlamda payda etińan mikrosxemalar yarım ótkezgish IMS dep ataladı.
Elementleri dielektrik tiykar sırtında perde kórinisinde payda etińan mikrosxemalar perdeli IMS dep ataladı. Perdeler túrli materiallardı tómen basımda juqa qatlam retinde ótkeriw jolı menen payda etinadi. Perde payda etiw usılı hám ol menen baylanıslı perde qalıńlıǵına muwapıq IMSlarni juqa perdeli (qalıńlıǵı 1-2 mkm) hám qalıń perdeli (qalıńlıǵı 10 mkmdan joqarı ) larga ajratıladı. Ádebiyatlarda kóbinese IMS jazıw ornına IS dep jazıladı.
Házirgi kúnde perdeli diod hám tranzistorlardıń parametrleri turaqlı bolmaǵanı sebepli, perdeli IMSlar tek passiv elementlerge (rezistorlar, kondensatorlar hám basqalar ) iye.
Perdeli texnologiyada element parametrleriniń ruxsat etilgen tarqaqlıǵı 1÷2 % ten aspaydı. Passiv elementler parametrleri hám olardıń turaqlılıǵın sheshiwshi áhmiyet kásip etkende bul júdá zárúrli boladı. Usınıń nátiyjesinde perdeli ISlar birpara filtrler, faza ózgeriwine bayqaǵısh hám tańlawshı sxemalar, generatorlar hám basqalar tayarlawda isletiledi.
Gibrid IMS (yamasa GIS) dep ulıwma dielektrik tiykarda jaylasqan perdeli passiv hám diskret aktiv elementler kombinatsiyasınan ibarat mikrosxemaga aytıladı. Diskret komponentler aspa dep ataladı. Gibrid IMSlar ushın aktiv elementler qabıqsız yamasa kishkene metall qabıqlarda tayarlanadı.
GISlarning tiykarǵı abzallıqları : islep shıǵıwdıń salıstırǵanda kishi dáwirinde analog hám cifrlı mikrosxemalarning keń klasın jaratıw múmkinshiliginen, keń nomenklaturali passiv elementler payda etiw múmkinshiliginen (MDYa - ásbaplar, diodli hám tranzistorlı matritsalar) hám islep shıǵarılıp atırǵan mikrosxemalarda jaramlılar payızınıń kópliginen ibarat. GISlar baylanıs apparatlarınıń qabıllaw - uzatıw sistemalarında, joqarı chastotalı kúsheytgishlerde, O'YuCh qurılmalarda hám basqalarda qolla -niladi.
Isletilingen tranzistor túrine muwapıqyarimo'tkazgich integral mikrosxemalar bipolyar hám MDYa IMSlarga ajratıladı. Házirgi kúnde r - n ótiw menen basqarılatuǵın MTlar tiykarında jaratılǵan IMSlar úlken áhmiyetke iye bolıp atır. Bul klasqa arsenid galliy tiykarında, zatvori Shottki diodi kórinisinde bolǵan MTlar kiredi. Sońǵı waqıtta quramında da bipolyar, da maydaniy tranzistorlar isletilingen IMSlar da tayarlanıp atır.
2.3 BTlar tiykarında IMSlar jaratıw
Qánigeler integral mikrosxemalarni qısqartirib IMS dep júrgiziwedi. IMS bul - júdá kishi ólshemge keltirilgen elektr shınjırı bolıp, ol hár qıylı yarım ótkezgishlerdi qóllaw tiykarında tayarlanadı. Geyde IMSni ápiwayıǵana etip mikrochip da dep ataladı. Sonday IMS-mikrochiplar házirgi kúnde derlik barlıq túrdegi elektron úskenelerde - ápiwayı shay qaynatuvchi elektr choynakdan tartıp, quramalı kosmik apparatlarda da keń qollanılıp atır.
IMSlarda yarım ótkezgishlerdiń ótkezgishlik ózgeshelikin elektr maydanı arqalı basqarıladı. Monolit IMSlarning oylap tabıw etiliwi bolsa, ilgerileri bólek-bólek tayarlanǵan hám sxemalarda da bólek jaylastırılǵan elementler - tranzistorlar, qarsılıq, kondensator hám ho kazolarni, yarım ótkezgish materialdan tayarlanǵan bir kristall mikrochipga ayrıqsha júdá kishi ıqsham ólshemlerde jaylastırıw imkaniyatın berdi. Boz ústine, sxemalardı qolda jıynawdan kóre, IMSni avtomatikalıq jıynalısı - júdá operativ hám nátiyjeli process bolıp, bul óz gezeginde elektron sxemalardıń isenimliligin arttırıw menen birge, olardıń ózine túser bahasın da tómenlewine alıp keldi. IMSni fotolitografiya, yaǵnıy, trafaret boyınsha kerekli geometriyalıq sırtqı kórinislerdi kremniyli tıykarǵa quyılıw arqalı tayarlanadı. IMS júdá ıqsham bolǵanı sebepli, odaǵı shólkemlestirilgen elementlerdiń aralıq aralıǵı da júdá-júdá qısqa boladı. Bul bolsa elektr shınjırında jıynalǵan logikanıń operativ orınlanıwın támiyinleydi.


Elektrotexnika hám ásirese elektronika rawajlanıp barar eken, integral mikrosxemalarning oylap tabıw etiliwi zamannıń biykarlap bolmaydı saldamlı talabına aylanıp bardı. Derlik bir waqtıniń ózinde bir-birinen xabarsız eki injener oylap shıǵarıwshı - Jek Sent-Kler Kilbi (1923-2005) hám Robert Norton Noys (1927-1990 ) integral mikrosxemani oylap tabıwǵan.
Jek Kilbi óziniń IMSini 1958-jılda oylap tabıw etken. Robert Noys bolsa odan yarım jıl keyin óz IMSini jasap kórsetken. Yarım ótkezgish retinde Noys IMSida kremniy elementi qollanǵan bolsa, bul maqset ushın Kilbi germaniy elementinen paydalanǵan. Zamanagóy IMSlarning ıqshamlıǵı Kilbi hám Noys chiplaridan bir neshe ret kishreyip, islew tezligi de olardan chandon artıp ketken. Atap aytqanda, házirde pochta markası ólshemi sıyaqlı keletuǵın kishkine mikrochip-IMS ishinde milliardlap tranzistorlar boladı.
IMSlar oylap tabıw etilgeninen keyin elektronika hám mikroelektronika tarawı sol dárejede úlken dúbeleydey rawajlanıp kettiki, onıń hár bir keyingi aldıńǵı qádemleri pán-texnika salasında náwbettegi revolyuciyalardı jasap bardı. Atap aytqanda, biz bilgen hám bawırlas járdemshimizge aynalǵan kompyuterler hám basqa qálegen elektron qurılma hám úskeneler de áyne IMSlarning rawajlanıwı sebepli sol dárejege jetip kelgen. Eń qızig'i bolsa, IMSlar qanshellilik quramalılasıp, ıqshamlasıp barıwı menen bir qatarda, olardıń islew tezligi, atqaratuǵın wazıypaları kólemi de barǵan sayın artıp bardı. Ádetde, basqa túrdegi texnika quralları bunday rawajlanıw processinde qımbatlasıp baradı. Lekin, IMSlar quramalılasıw menen birgelikte, arzanlasıp da barǵan. Bul faktga itibar qaratǵan injener Gordon Mur házil aralas sonday degen eken: " Eger avtomobil sanaatı da yarım ótkezgishler tarawı sıyaqlı dúbeleydey rawajlanǵanda edi, Rolls-Roys mashinalarında 1 litr benzin menen 200 mıń km aralıqtı basıp ótiw múmkin bolar edi, hám de, onı ishxona aldındaǵı pullıq avtoturargohga qoyǵannan kóre, jaysha kóshege tastap ketiw arzanlaw bolǵan bo'lur edi... "
Ilimpazlardıń keyingi táǵdiri haqqında da qızıqayotgandirsiz? IMSni birinshi bolıp oylap tabıw etken injener - Jek Kilbi sol payıtlarda " Texas Instruments" kompaniyasına endigina jumısqa kirgen jas xızmetker bolǵan. Kilbining derlik barlıq kásiplesleri demalısqa shıǵıp ketken waqıtta ol laboratoriyada kóbinese bir ózi qalıp, IMS modeli ústinde turaqlı islegen. 1958-jıldıń sentyabr ayında Kilbi óziniń dáslepki jumısshı model IMSni jasap, seriklerine kórsetiw etip bergen. Keyingi jıldıń 6 -fevral sánesinde bolsa, " Texas Instruments" kompaniyası Kilbi modeli tiykarında, IMSlarni ceriyali islep shıǵarıw ushın patent rásmiylestirgen.

2.3 MDYa tranzistorları arqalı IMSlar jaratıw

Mikrosxemalarning jaratılıwı ingliz radiotexnigi Jeffri Dammer atı menen baylanıslı. Ol 1952 jılda bir yarım ótkizgish kristallında bir neshe elektron komponentalarni jaylawtrish múmkinligin teoriyalıq tiykarladı. Lekin sol dáwirdegi texnologiya buǵan ılayıq emes edi. Yaǵnıy kristall ishinde elektron komponentlerdi óz-ara jaylastırıw, olardı elektr izolyasiyalash hám olarǵa elektr kontaktlarni jalǵaw máseleleri hal etilmegen edi. Tek ǵana 1958 jılǵa kelip bul úsh tiykarǵı mashqala hal etilip integral mikrosxemalar islep shıǵarıla baslandı.
Túsindirme. Elektronikada elektron komponenta termini keń tarqalǵan. Bunda komponenta degende qandayda bir funksiyanı orınlawshı elektron element názerde tutıladı.
Mikrosxema termini keyingi payıtlarda integral mikrosxema mánisin beredi, sebebi hár qanday mikrosxema ishinde málim muǵdardaǵı elektron komponentalar sáwlelengen. Mikrosxemalarning integrasiya kórsetkishi (mikrosxem quramındaǵı elementler muǵdarı ) onıń quramalılıq dárejesi hám múmkinshiliklerin belgileytuǵın tiykarǵı kórsetkish esaplanadı. Integrasiya kórsetkishi mikrosxema quramındaǵı elementler sanı menen anıqlanadı hám tómendegi túrlerge bólinedi:
­­–Kishi integral sxemalar - 100 danege shekem element;
– orta integral sxemalar - 1000 danege shekem element;
– úlken integral sxemalar - 10 000 danege shekem element;
– oǵada úlken integral sxemalar - 1 mln. danege shekem element;
–ultra úlken integral sxemalar - 1 mlrd. danege shekem element;
–gigointegral (yamasa gigokatta) sxemalar - 1 mlrd. den artıq element.
Sonıń menen birge mikrosxemalar tayarlanıw texnologiyaları hám tiykarǵı materiallardıń túrlerine qaray da parıq etedi. Bunda tiykarlanıp úsh qıylı texnologiya ámeldegi:
–Yarım ótkizgishli mikrosxemalar - barlıq elementler hám elementleraro baylanısıwlar bir yarım ótkizgish kristall ishinde jaylasqan boladı. Mikrosxemalar tayarlawda tiykarlanıp tiykarlanıp germaniy, kremniy hám arsenid- galliy kristallari isletiledi;
–Plyonkali mikrosxema - barlıq elementler hám olar arasındaǵı baylanısıwlar plyonka qatlamda bolıp, bul plyonklar juqa hám qalıń túrlerge bólinedi. Soǵan qaray juqa qatlamlı hám qalıń qatlamlı integral sxemalar dep júritiledi;
–Gibrid mikrosxemalar-quramında yarım ótkizgish kristallardan tısqarı bólek diodlar, tranzistorlar hám boshq elektron komponentalar da bolıwı múmkin. Bunda bólek komponentalarning korpusları bolmaydı, tek kristall strukturaları boladı.
Mikrosxemalar qanday signallarda islewine qaray analogli, cifrlı hám analog raqmli túrlerge bólinedi.
Analogli signallar tiykarında isleytuǵın mikrosxemalarning kirisiw hám shıǵıw signalları waqıt dawamında úzliksiz funksiya kórinisinde boladı. Cifrlı mikrosxemalarda signallar logikalıq “0” hám logikalıq “1” ko'rinshida bolıp, bul matiqiy signalǵa kernewdiń málim diapazonları sáykes keledi. Mısalı 5 v kernewde isleytuǵın, tranzistor - tranzistor tiykarında dúzilgen mikrosxema, 0 den baslap 0, 4 v ge shekem baha daǵı kernewdi “0”deb, 2, 4 v den baslap 5 v ge shekem baha daǵı kernewdi “1” dep qabıl etedi.
Ayırım mikrosxemalar analogli hám cifrlı mikrosxemalar hám qurılmalar arasında dáldalshılıq wazıypasın atqaradı. Bunday qurılmalar analog-cifrlı hám nomer-analogli mikrosxemalar dep ataladı. Olar atalıwına qaray cifrlı signal analogli signalǵa hám kerisinshe, analogli signaldı cifrlı signalǵa aylantıradı.
Integral mikrosxemalar pıtken, birden-bir korpusda sáwlelengen, málim quramalılıq dárejesindegi elektron qurılma bolıp, ayırım jaǵdaylarda olar qandayda bir ǵárezsiz elektron qurılma dárejesinde bolıwı da múmkin. Cifrlı qurılmalarda bunday mikrosxemalarni kóp ushıratamız, mısalı kalkulyatorlar, mikrokomp'yuterlar usılar gápinen bolıp tabıladı.
Mikrosxemalarning rawajlanıwı kompyuterler rawajlanıw basqıshlarında ayqın kórinetuǵın boladı. Dáslepki (1980-90 -jıllarda ) logikalıq qurılmalar tiykarındaǵı kompyuterler ornın, keyinirek (1990 -2000-jıllar ) joqarı integrasiyali mikrosxemalar tiykarında mikroprosessorli kompyuterler iyeledi. Mikroprosessorli kompyuterlerdiń jaratılıw basqıshlarında “mikrokomp'yuter” “mikro EvM” atamaları bar edi. Keyinirek, mikroprosessorlarning operativ rawajlanıwı nátiyjesinde bul atamalar óz kúshin joǵatdı.

III.Juwmaqlawshı bólim

1959 jılda eki tárep de patent alıw ushın shaqırıq qılıwdı. Jek Kilbi hám Texas Instrumentler miniatyurali elektron aylanıwlar ushın AQShning № 3, 138, 743 cifrlı patentin aldılar. Robert Noyce hám Fairchild Semiconductor Corporation kremniy tiykarındaǵı integral shınjır ushın AQShning 2. 981. 877 cifrlı patentin aldılar. Eki kompaniya bir neshe jıl dawam etken huqıqıy gúreslerden keyin óz texnologiyaların litsenziyalawǵa qarar qılıwdı hám házirgi kúnde jılına derlik 1 trln.
Kompyuter sıyaqlı quramalı elektron mashinanı proektlestiriwde mudamı texnikalıq jetiskenliklerge erisiw ushın strukturalıq bólimlerdi kóbeytiw kerek edi. Monolit (bir kristaldan payda bolǵan ) integral shınjır, ilgeri ajıratılǵan tranzistorlar, rezistorlar, kondansatörler hám barlıq jalǵaw sımların yarım ótkezgish materialınan tayarlanǵan bir kristallǵa (yamasa " chipga") jaylastırdı. Kilbi germaniydan, Noyce bolsa yarım ótkezgish materialları ushın kremniydan paydalanǵan.

IV. Paydalanılǵan ádebiyatlar

1. 
   X.Aripov , A.Abdullayev, N. Alimova , N.Bustanov , X. Toshmatov – “Sxemotxnika”;
   
2. 
   Aripov X.K, Abdullayev A.M, Alimova N.B, Bustanov X.X , Elektronika –T;–“Fan va texnologiyalar”, 2011;
   
3. 
   Elektron texnika va radiotexnikaga oid atomlarning o’zbekcha–ruscha izohli lug’at: Prof.M.Muhitdinov umumiy tahriri ostida –T; “Bilim” ,2007;