Nosimmetrik dk sxemasi. Funksional elekronika, Bioelektronika haqida tushunchalar

Muhammad al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnologiyalari universiteti
Qarshi filiali KI-17-21(s)-guruh talabasi
Axmatov Azizning
“Elektronika va sxemalar 2” fanidan

1-MUSTAQIL ISHI

Mavzu: Nosimmetrik DK sxemasi. Funksional elekronika,
Bioelektronika haqida tushunchalar.

Reja:



1. Nosimmetrik DK sxemasi
2. Funksional elekronika
3. Bioelektronika haqida tushunchalar.


1. Nosimmetrik DK sxemasi
DK simmetrik bo‘lgani sababli kirish signali UKIR EO‘lar orasida teng taqsimlanadi: ularning birida kuchlanish 0,5·UKIR qiymatga ortadi, ikkinchisida esa shu qiymatga kamayadi. UKIR1 kuchlanishi ortsin, UKIR2 esa, kamaysin. Bunda VT1 tranzistorning emitter va kollektor toklari musbat orttirma, VT2 tranzistorning mos toklari esa, manfiy orttirma oladi. Natijada, chiqish kuchlanishi hosil bo‘ladi:
Emitter toklarining o‘zgarishi zanjirlar uchun umumiy RE rezistorda manfiy TA signalini tashkil etuvchi orttirma hosil qiladi.
Agar DK ideal simmetrik bo‘lsa, va ΔUE=0.
Natijada, emitterlar potensiali o‘zgarmas qoladi va DK uchun manfiy TA signali mavjud bo‘lmaydi. Shu sababli DKning kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti TAsiz UE ulangan kaskad uchun ilgari yozilgan ifoda bilan aniqlanadi
RK =5 kOm, IE =1 mA, = 0,025 V-1 bo‘lganda, KU = - 200 bo‘ladi.
Amalda DKning to‘rt xil ulanishidan foydalaniladi: simmetrik kirish va chiqish; simmetrik kirish va nosimmetrik chiqish; nosimmetrik kirish va simmetrik chiqish; nosimmetrik kirish va chiqish.
Simmetrik kirishda signal manbai DK kirishlari orasiga (tranzistorlar bazalari orasiga) ulanadi. Simmetrik chiqishda yuklama qarshiligi DK chiqishlari orasiga (tranzistorlar kollektorlar orasiga) ulanadi.
Nosimmetrik kirishda signal manbai DKning bitta kirishi va umumiy shinasi orasiga ulanadi. Nosimmetrik chiqishda yuklama qarshiligi tranzistorlardan birining kollektori va umumiy shina oralig‘iga ulanadi.
DKning kuchaytirish koeffitsiyenti kirish signal berish usuliga, ya’ni kirish simmetrik YOKI nosimmetrikligiga bog‘liq emas.
Nosimmetrik chiqishda yuklama bir elektrodi bilan tranzistorlardan birining kollektoriga, boshqa elektrodi bilan esa, umumiy shinaga ulanadi. Bu holda, KU simmetrik chiqishdagiga nisbatan 2 marta kichik bo‘ladi.
Nosimmetrik kirish va chiqishda, agar kirish signali DK chiqish signali olinadigan yelka kirishiga berilgan bo‘lsa, bu holda kuchaytirishga DKning faqat bir yelkasi ishlaydi. Agar kirish signali DKning bir yelkasiga berilgan bo‘lsa-yu, chiqish signali boshqa yelka chiqishidan olinsa, birinchi holdagidek KUga ega bo‘lgan, inverslanmagan signal olinadi. Agar chiqish signali har doim berilgan bitta chiqishdan olinsa, DK kirishlariga «inverslaydigan» va «inverslamaydigan» degan nom beriladi.
Nosimmetrik kirish va chiqishli kaskad namunasi 7.2-rasmda keltirilgan. Bunda foydalanilmaydigan kirish kuchlanishi o‘zgarmas sathli qilib olinadi, masalan, umumiy shinaga ulanadi. Agar kirish signali UKIR1 ga berilsa, chiqishda inverslanmagan signal olinadi. Demak, UKIR1 inverslamaydigan kirish, UKIR2 esa, inverlaydigan kirish bo‘ladi.
DKning asosiy parametrlaridan biri bo‘lib sinfaz signal-larni so‘ndirish koeffitsiyenti (SSSK) hisoblanadi. SSSK deb KU.DF ni KU.SF ga nisbatining detsibellarda ifodalangan qiymati tushuniladi, ya’ni
Zamonaviy DKlarda SSSKning qiymati odatda 60÷100 dB orasida bo‘ladi.
DKning keyingi asosiy parametri uning dinamik diapazonidir. Dinamik diapazon deganda kuchaytirgich kirishidagi maksimal va minimal signallar amplitudalari nisbati tushuniladi
Minimal signal DKning xususiy halaqitlari bilan, maksimal signal esa, signal shaklining buzilishlari bilan chegaralanadi. Nochiziqli buzilishlar signal ta’sirida tranzistor to‘yinish YOKI berk rejimga o‘tganda hosil bo‘ladi.
Hisoblar ko‘rsatishicha, ruxsat etilgan maksimal kirish signali dan katta bo‘lishi mumkin emas. Bu yerda, rE – EO‘ning differensial qarshiligi; IE – sokinlik rejimidagi emitter toki. rE = 50 Om va IE = 12 mA bo‘lganda φT = 50 mV. Amalda signal buzilishlari katta bo‘lmasligi uchun kirish signali amplitudalari 0,5·φT atrofida bo‘lmog‘i kerak. Gap shundaki, φTga yaqinlashgan sari, emitter toki, u bilan birgalikda, rE qarshilik qiymati va kuchaytirish koeffitsiyenti juda sezilarli darajada o‘zgaradi.

Turli modifikatsiyali DKlar o‘zlarining aniqlik parametrlari bilan xarakterlanadilar.
Shunday parametrlardan biri bo‘lib nolning siljish kuchlanishi USIL xizmat qiladi. DK chiqishida nolga teng kuchlanish olish uchun kirishga beriladigan kuchlanish qiymati siljituvchi kuchlanish deb ataladi. Gap shundaki, yelkalar assimmetriyasi hisobiga kirishda signal bo‘lmagan holda, chiqishda qandaydir kuchlanish paydo bo‘ladi. Bu kuchlanish signal sifatida qabul qilinishi mumkin. Turli DKlarda USIL qiymati 30÷50 mV bo‘lishi mumkin. USIL ning temperaturaga bog‘liqligini e’tiborga olish zarur. Bu bog‘liqlik temperatura sezgirlik εU=0,05-70 mV/0S bilan ifodalanadi.
DKning yana bir aniqlik parametri – siljitish toki ΔISIL dir. U kirish toklari ayirmasidan iborat. Parametrning an’anaviy qiymatlari mikroamperlardan nanoamper ulushlarigacha bo‘ladi. Siljish toki signal manbai qarshiligi RG orqali o‘tib, unda yolg‘on signal hosil qiladi. Masalan, agar ΔISIL= 20 nA va RG= 100 kOm bo‘lsa, ΔISIL · RG =2 mV ni tashkil etadi.