Определение температурной зависимости ширины запрещенной зоны в полупроводниках с учетом колебаний решетки под действием магнитного поля г. Гулямов2, У. И. Эркабоев1, Р. Г. Рахимов1, Н. А. Сайидов1, У. Б. Негматов1

Рис 2. Графики плотности состояний при температурах Т=100К, 300К.

^_______

- - - -

E_g, eV

Рис.3. График – температурной зависимости ширины запрещенной зоны.

^_______

    для p-Bi_0,7Sb_1,3Te_2,93Se_0,07

^{. . . .} - для p-Bi_0,6Sb_1,2Te_2,91Se_0,09

^{····} для p-Bi_0,5Sb_1,5Te_2,91Se_0,09