Основы минералогии

Дофинейские двойники с удвоенными гранями х выво-
дятся друг из друга при повороте вокруг вертикальной оси на 
60°. Грани призмы обоих индивидов сливаются, а грани ром-
боэдров r и z совпадают. Оптические оси обоих индивидов па-
раллельны, поэтому двойниковое строение устанавливают пу-
тем травления. Двойниковые швы извилистые.
Бразильские двойники с удвоенными гранями х, выводятся 
путём отражения в вертикальной плоскости. Двойниковое 
строение обнаруживается также путем травления. В отличие 

---

55 
от строения дофинейских двойников - двойниковые швы пря-
молинейные. Бразильские двойники также определяются оп-
тически.
Японские двойники диагностируются по тригональной ди-
пирамиде s {1122}; индивиды наклонены друг к другу под уг-
лом 84°34′.
Обычные кристаллы кварца.
а) левого и б) правого: 
m (1010), r (1011), z (0111),
s (1121), х (5161) 
Дофинейский двойник. Гра-
ницы между двумя индиви-
дами заметны по сутурной
линии 
Протравленные сечения кристаллов 
кварца (перпендикулярно 
оптической оси): а) дофинейский 
двойник; границы индивидов 
неправильные; б) бразильский 
двойник с прямыми границами 
двойниковых индивидов 
Дофинейский (а) и 
бразильский (б) 
двойники 
Рис. 27. Двойники кристаллов кварца 

---

56 
В двойниках прорастания (проникновения) кристаллы как 
бы пронизывают друг друга, либо насквозь проникают один в 
другой, соприкасаясь по сложной (ступенчатой) поверхности 
(рис. 28).
Двойник прорастания 
флюорита – по оси треть-
его порядка 
Двойники срастания (а) и
прорастания тетраэдров (б) 
Двойник срастания гипса 
«ласточкин хвост» - по 
плоскости (100) 
Формы кристаллов гипса: слева – оди-
ночный кристалл, следующие – его 
двойники. 
Рис. 28. Двойники срастания и прорастания
(проникновения) минералов 
 
Эпитаксические сростки – это закономерно ориентиро-
ванное нарастание одного минерала на другой минерал, явля-
ющийся основанием (подложкой или матрицей). Поверхность 
минерала-матрицы представляет, как бы структурный дефект, 

---

57 
а эпитаксия его исправляет. Нарастание минералов обуслов-
лено близостью строения плотно упакованных плоскостей 
срастания, поэтому поверхность раздела кристаллов имеет 
низкую энергию и получает преимущество перед образова-
нием отдельного кристалла и перед случайным, неориентиро-
ванным нарастанием. Эпитаксия проявляется как на микро, 
так и на макроуровне. Примером макроуровня эпитаксии яв-
ляется покрытие кристалликами халькопирита CuFeS
2
(в виде 
сплошной «рубашки»), кристаллов блёклой руды Cu
3
SbS
3
. 
Примером микроуровня эпитаксии является письменный гра-
нит или «еврейский камень», который представляет законо-
мерное срастание полевого шпата и кварца при одновремен-
ной кристаллизации (рис. 42).
Эндотаксические вростки – закономерно ориентирован-
ные вростки, например, ильменита (FeTiO
3
) в кристалличе-
ских зернах магнетита (FeFe
2
O
4
) как продукт распада твердого 
раствора (эндотаксия наблюдается под микроскопом в поли-
рованных шлифах).
Гомоосевой псевдоморфизм – ориентированное замеще-
ние с периферии одного минерала другим (например, сфале-
рита ZnS халькопиритом CuFeS
2
с сохранением даже двойни-
кового строения замещаемого минерала) и др.