Oxygen in Silicon Single Crystals

Sirtle E., Adler A. Chromsaure-Flussaure als specifisches System zur Atzgrubenentwicklung auf Silizium // Z. Metallk.-1961.-B.52, N 8.-S. 529-531.

Лифшиц И. М., Слезов В. В. О кинетике диффузионного распада пересы­

щенных твердых растворов // ЖЭТФ.-1958.-Т. 35, N 2.-С. 479-498.

283. 
     Салманов А. Р., Земко А. E., Щелоков А. Н. О донорных состояниях кисло­
     

рода в кремнии // Изв. АН СССР. Неорган. материалы.-1985.-Т. 21, N 11. -С. 1821-1826.

284. 
     Henry A., Pautrat J. L., Vendange P., Saminadayar K. "New Donors" in Silicon: A
     

Quantum Well Controlled Conductivity // Appl. Phys.Lett.-1986.-V.49, N 19. -P. 1266-1268.

285. 
     Henry A., Pautrat J. L., Saminadayar K. "New Donors" in Silicon: An interface Effect due to internal Oxidation // J. Appl. Phys.-1986.-V.60, N 9.-P. 3192­3195.
     
286. 
     Henry A., Pautrat J. L., Saminadayar K. The New Donors in Silicon: The Effect of
     

the inversion Layers Surrounding Precipitates // ln: Proceedings of 14-th inter­national Conference on Defects in Semiconductors, edited by H. J. von Bardel- eben (Trans Tech, Aedermannsdorf,Switzerland, 1986).-P. 985-989.

287. 
     Holzlein K., Pensl G., Schulz M., Johnson N. M. Hydrogenation of the "New Oxygen Donor" Traps in Silicon // Appl. Phys. Lett.-1986.-V.48, N 14.-P. 916­918.
     
288. 
     Razouk R. R., Deal B. E. Dependence of Interface State Density on Silicon Thermal Oxidation Process Variables // J. Electrochem. Soc.-1979.-V.126,
     

237




N 9.-P. 1573-1581.

289. 
     Bergholz W., Pirouz P., Hutchison J. L. Diffusion and Precipitation of Oxygen in
     

Silicon // ln: Proceedings of 13-th international Conference on Defects in Semiconductors, edited by L. C. Kimerling and J. M. Parsey, Jr. (The Metallur­gical Society of AIME, Warrendale, PA, 1985).-P. 717-723.

290. 
     Bergholz W., Schroter W. Oxygen Related Defects, Especially Thermal Donors in
     

Silicon // ln: Proceedings of 7-th international School "Defects in Crystals", ed­ited by E. Mizera (World Scientific, Szczyrk, Poland, 1985).-P. 196-207.

291. 
     Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн P.,
     

Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. - М.: Наука, 1981 .-384 с.

292. 
     Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полу­проводников. - М.: Наука, 1979.-416 с.
     
293. 
     Watkins G. D., Corbett J. W. Defects in irradiated Silicon: Electron Paramagnetic
     

Resonance and Electron-Nuclear Double Resonance of the Si-E Center // Phys. Rev.-1964.-V.134, N 5A.-P. A1359-A1377.

294. 
     Roth L. M., Lax B., Zwerdling S. Theory of Optical Magneto-Absorption Effects
     

in Semiconductors // Phys. Rev.-1959.-V.114, N 1.-P. 90-104.

295.