O`zbekiston respublikasi oliy ta`lim varizligiga qarashli muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari unversiteti farg`ona Filiali laboratoriya ishi bajardi: Tursunaliyev Erkinjon

h11B parametr - tranzistorning kirish differensial qarshiligini hisoblash:

ℎ11𝐵 =, bo‘lganda 𝑈𝐾𝐵 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡;

bu yerda: ∆𝑈𝐸𝐵 = 𝑈𝐸𝐵.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐸𝐵.𝑚𝑖𝑛 va ∆𝐼𝐸 = 𝐼𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐸.𝑚𝑖𝑛

∆𝑈𝐸𝐵 = −0,771 + 0,817 = 0,046𝑉;

∆𝐼𝐸 = −6 + 9 = 3𝑚𝐴

ℎ11𝐵 = = 15.3

h12B parametr - tranzistorning Kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa koeffitsiyentini hisoblash

ℎ12𝐵 = , bo‘lganda 𝐼𝐸 = ;

bu yerda: ∆𝑈𝐸𝐵 = 𝑈𝐸𝐵.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐸𝐵.𝑚𝑖𝑛 va ∆𝑈𝐾𝐵 = 𝑈𝐾𝐵.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐾𝐵.𝑚𝑖𝑛;

∆𝑈𝐸𝐵 = −0.802 + 0,826 = 0,024𝑉;

∆𝑈𝐾𝐵 = 2 − 0 = 2𝑉;

ℎ12𝐵 = =

h21B parametr - tranzistorning tok bo‘yicha differensial uzatish koeffitsiyentini hisoblash:

ℎ21𝐵 =bo‘lganda 𝑈𝐾𝐵 = ;

bu yerda: ∆𝐼𝐾 = 𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛 va ∆𝐼𝐸 = 𝐼𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐸.𝑚𝑖𝑛;
𝑈𝐾𝐵 = 1𝑉 ;

∆𝐼𝐾 = 𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛 = 11,92 – 5.1 = 6.82𝑚𝐴;

∆𝐼𝐸 = 𝐼𝐸.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐸.𝑚𝑖𝑛 = −4 + 12 = 8𝑚𝐴;

ℎ21𝐵 = = = 0.852

h21B parametr - tranzistorning differensial o‘tkazuvchanligini hisoblash:

ℎ22𝐵= bo‘lganda 𝐼𝐸 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡;

bu yerda: ∆𝐼𝐾 = 𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛 va ∆𝑈𝐾𝐵 = 𝑈𝐾𝐵.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐾𝐵.𝑚𝑖𝑛;

𝐼𝐸= 1𝑚𝐴;
∆𝐼𝐾 = 𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥 − 𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛 = 11.9 − 7 = 4.9𝑚𝐴;

∆𝑈𝐾𝐵 = 𝑈𝐾𝐵.𝑚𝑎𝑥 − 𝑈𝐾𝐵.𝑚𝑖𝑛 = -0.634 + 3.999 = 3.365 𝑉;

ℎ22𝐵= = 0.0014

Xulosa

Analog sxemalarida kuchaytiruvchi element sifatida ishlovchi bipolyar tranzistorning asosiy parametrlari bo’lib ЭЎ ning re va КЎ r_k differensial qarshiliklari va mos ravishda Ub hamda Ue ulangan sxemalarda esa h21b va h21e differensial tok uatish koeffitsientlari xizmat qiladi. Tranzistor chastota xususiyatlari parametrlarining chastotaga bog’liqligi bilan ifodalanadi.Tok uzatish differensial koeffitsientining chegaraviy chastotasi f=fcheg transistor sifatini belgilovchi eng muhim ko’rsatkich hisoblanadi.