O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus tahlim vazirligi buxoro muxandislik texnologiyasi instituti ro’yxatga olindi № 2014 yil. «Tasdiqlandi»

4.4. Tahminot manbayi blogining pritsipialg’ sxemasi. 
Loyixalanayotgan xarorat o’lchash qurilmasining tahminot manbayi 2 darajali, 
yahni, 5 V va 12 V kuchlanish bera olishi uchun 2 ta kuchlanish stablizatori 7805 va
7812 mikrosxemalarini tanlagan edik. Endi ular ishtirokidagi taminot banbayining 
printsipial sxemasini loyixalaylik. Buning uchun ISIS dasturi bibliotekasidan shu
mikrosxemalar modellarini hamda elektrolitik kondensator modellarini tanlaymiz. 
Stablizatorlar
kirishiga 
va
chiqishiga 

silliqlovchi 

sifatida
elektrolitik 
kondensatorlarni ulaymiz. 5 Volg’tli chiqishga yuqori chasotalarni filg’trlash uchun 1
mkF li S4 kondensatorni 
ulaymiz. 4.8. – rasmda
loyixalangan stabillash 
blogining
printsipialg’ 
sxemasi keltirilgan
4.8. – rasm. Tahminot 
manbayining stabillash
blogi printsipial 
sxemasi.
4.5.To’g’rilash 

(zaryadlash) blogining pritsipialg’ sxemasi. 
To’g’rilash (zaryadlash) blogining pritsipialg’ sxemasi uchun tok manbayi va 
ikki yarim davrli ko’priksimon to’g’rilagich sxemasini qo’llaymiz. Buning uchun
ISIS dasturi bibliotekasidan rezistor, ko’prik sxemasida ulangan diodlar blogi 
(Bridge) hamda bipolyar kondensator modellarini tanlaymiz. 12 – rasmda taminot
manbayining to’g’rilash (zaryadlash) blogining loyixalangan printsipial sxemasi 
keltirilgan.
Endi shu blok elementlarini tanlaymiz. 4.9-rasmda ko’rsatilgan S5 
kondensatori ballast qarshilik bo’lib uni tanlash shartlari qurilmaning maksimal va
minimal istemol toki aniq bo’lganda quyidagicha bo’ladi: 
Xs= Uc
min

/In
max

; Xc=Uc
max

/In
min

;
Mahlumki:
Xc=1/ωC = 1/(2πfC) = 1/314C;
U xolda C5 tanlash shartlari quyidagicha bo’ladi: 

S=1/314Xc; U

ishchi

> 310 V.

---

---

53

4.9. – rasm. Tahminot manbayining (to’g’rilash-zaryadlash) blogining printsipial 
sxemasi.
VR1 ko’prikni toki va kuchlanishi bo’yicha quyidagi shartga asosan tanlaymiz: 
U
ishchi

> 310 V; I

ishchi

> 1A;
Bu shartga mos 2W01G diodli ko’prikni tanlaymiz.

4.6 – rasmdagi DIODE ni toki va kuchlanishi bo’yicha quyidagicha tanlaymiz:
U
ishchi

> 40 V; I

ishchi

> 1A;
V1 akkumulyatorni sig’imi va kuchlanishi bo’yicha tanlaymiz: 

U
ishchi

= 12 V;
I am’.hr

> 4 am’.hr. 

SHunday qilib, qurilmaning barcha bloklarining printsipial sxemasi tayyor
bo’ldi. Sxemani soddalashtirish va o’qish uchun qulaylashtirish uchun DS18B20 
rusumli xarorat datchigini, indikatorlarni, akkumulyatorni hamda tarmoqni ulash
uchun konnektorlar tanlab olamiz va printsipial sxemada ularni ko’rsatamiz. Bu 
printsipial sxema 4.10 rasmda ko’rsatilgan.

---

---

54

4.10 – rasm. DS18B20 Mikroprottsessorli termostat Qurilmasining printsipial sxemasi.

---

---

55