O`zbekiston respublikasi oliy va o`rta maxsus ta`lim vazirligi buxoro muhandislik-texnologiya instituti
Download 2.38 Mb. Pdf ko'rish
|
arduino uno mikrokontrolleri yordamida mexanik harakatni avtomatlashtirish
- Bu sahifa navigatsiya:
- Yarim o‘tkazgichli diod
|
Fotoelektron rele Fotorelening juda ko’p sxemalari mavjud. Bunda kiruvchi signal X k fotoqarshilik ФC ga tushadigan yorug’lik оqimi Ф k bo’lib, chiquvchi signal X ч elektromagnit rele kontakti P orqali olinadi. Kiruvchi signal n-p-n tipidagi tranzistor T yordamida kuchaytiriladi. Yorug’lik tushmaganda fotoelementning qarshiligi R 1 katta bo’ladi va baza pоtеnsiаli U 6 tranzistorning ochilishi uchun yetarli bo’lmaydi. Tranzistor yopiq, kollektor-emitter zanjiridan o’tadigan tok juda kichik va elektromagnit releni ishga tushira olmaydi. Fotoelement (ФC) ga yorug’lik tushganda uning qarshiligi R 1 juda kamayib, R 1 va R 2 zanjiridan o’tadigan tok kattaligi oshib ketishi tufayli baza potentsiali U 6 oshadi. Nаtijadа tranzistor T ochiladi, kollektor toki ortib, rele P ni ishga tushiradi va uning kontakti ulanib chiquvchi signal X ч hosil bo’ladi. O’z. Varaq Hujjat № Imzo Sana Varaq 1.20 N.XQM 00.00.000 HYo 5- rasm.Fоtоеlektron rеlе 6-rasm. Maksimal tok relesi: 1 -qo’zg’almas po’lat o’zak; 2 - elektromagnit o’rami; 3- qo’zg’aluvchi po’lat o’zak; 4 - pruji- na;5-so’riluvchi kontakt; 6- qo’zg’almas kontakt; 7-tоk miqdorini shkalada o’rnatuvchi ko’rsatkich; 8 - berilgan tok miqdorlarining shkalasi Yarim o‘tkazgichli diod Bu asbobda р-n utish mavjud bulib, uning r va n soxalaridan ulanish uchi chikarilgan bo‘ladi. Yarim o‘tkazgichli diodning tuzilishi va volt – amper xarakteristikasi quyidagicha bo‘ladi. р-n utish hosil kiluvchi soxalarning birida asosiy tok tashuvchi zarrachalarning kontsentratsiyasi ko‘p bulib, u emitter deb ataladi. Ikkinchisi esa baza deb ataladi. Harakteristikaning tugri р-n o‘tishiga tugri kelgan kismidan diodning differintsial qarshiligi xisoblanadi: O’z. Varaq Hujjat № Imzo Sana Varaq 1.20 N.XQM 00.00.000 HYo Rд = (U / I) Volt – amper xarakteristikasidan kurinib turibdiki yarim o‘tkazgichli diod ham nochiziqli elementlar katoriga kiradi Diodlardan signallarni tugrilash, detektorlash, modulyatsiyalash ishlarida foydalaniladi. Tugrilagich diodlar past chastotali ( ( <50 кГц ) o‘zgaruvchan toklarni tugrilashda ishlatiladi. Tayyorlanish texnalogiyasiga kura diodlar yassi diodlarda р- n utishning yuzini belgilovchi ulchamlar uning kalinligiga nisbatan katta bo‘ladi. Tugrilagich diodlar sifatida asosan yassi diodlar ishlatiladi Tugri yunalishda utuvchi tugrilangan tok kuchi. 1600 A gacha, teskari yunalishda 1000V gacha kuchlanishga muljallangan diodlar ishlab chikariladi.Bunday katta tokni utkazuvchi diodlar ish jarayenida kiziydi. Shu sababli diodlarga issiqlikni sochuvchi radiatorlar kiydirilib montaj kilinadi. Kremniyli tugrilagich diodlarning ishchi temperaturasi 1250С gacha bulishi mumkin. Yukori chastotali diodlar signallarni detektorlash, o‘zga rtirish, modulyatsiyalash kabi ishlarda kullaniladi. Bu ishlarni bajarishda diodning xususiy sig‘imi pikofaradaning undan bir ulushlarida bulishi mumkin muxim ahamiyatga ega. Bunday diodlarda sig‘im kichik bulishi talab qilinganligi tufayli asosan nuktaviy diodlar ishlatiladi. Bunday diodlarning sig‘imi pikofaradaning undan bir ulushlarida bulishi mumkin. Xozirgi kunda ishchi chastotasi 1000 MGts gacha bulgan yukori chastotali diodlar mavjud. Yukori chastotali diodlar kichik teskari kuchlanishda va kichik tugri toklar rejimida ishlaydi. Masalan germaniyli nuktaviy diodning ishchi teskari kuchlanishi 350V gacha tugri yunalishdagi tok kuchi 100mA (Uтуг = 1,28) gacha bulishi mumkin. Impuls rejimida ishlaydigan diodlar radio sxemalarda kalit vazifasini bajaradi. Bu rejimda asosan nuktaviy va kichik yassi diodlar ishlatiladi. Diod ikki xil holatda bo‘ladi: «ochik» yoki «yopik». Ochik holda diod qarshiligi kam yopik holda katta O’z. Varaq Hujjat № Imzo Sana Varaq 1.20 N.XQM 00.00.000 HYo bo‘ladi. Impuls sxemalarida diodning bir holatdan ikkinchi holatga kanchalik tez o‘tishi ahamiyatlidir. Yarim o‘tkazgichli kuchlanish stabilazatori . (stabilitron, cstabistor) . Bu yarim o‘tkazgichli diod zanjirga teskari r-n utish hosil bo‘ladigan qilib ulanadi. Ish rejimi diod xarakteristikasini teskari yunalishda yorib(teshib) utuvchi tok utadigan kismiga tugri keladi.Yorib utish deyilganda, diodga teskari r-n utishga tugri keladigan kuchlanish quyilib, uning ma’lum qiymatida teskari tokning keskin ortib ketishi tushuniladi. Diodda kuchkili, tunnel va issiqlik ta’sirida yorib utishlar kuzatilishi mumkin. Yarim o‘tkazgichda aralashma miqdori juda kichik bo‘lganda, katta teskari kuchlanish ta’sirida bulgan elektronlar va kovaklar neytral yarim o‘tkazgich atomining yana bitta kovalent boglangan elektronini urib chiqarishi mumkin. Natijada zaryad tashuvchi zarrachalarning yangi jufti hosil bo‘ladi. Yеtarli miqdordagi teskari kuchlanishda bunday urib chiqarish kuchkisimon kurinishda namoyon bo‘ladi. Tunnel orqali yorib utishda kuchli elektr maydon ta’sirida (2(105 V/cm, germaniy uchun va 4(103 V/cm ) elektr soxalarining chegarasi siljiydi va chegara yakinida kichik potentsial tusikka ega bulgan tuynuk ochiladi. Karshiligi kichik yarim o‘tkazgichlarda tunnel orqali tok utish kuchkisimon utish kuzatiladigan kuchlanishdan kichikrok kuchlanishlarda ruy beradi. Karshiligi katta bulgan yarim o‘tkazgichlarda esa, aksincha. Issiklik ta’sirida yorib utishda р-n utish soxasi kizib, unda asosiy bo‘lmagan tok tashuvchilarning ko‘p ayishi va natijada teskari yunalishdagi tokning ortib ketishi kuzatiladi. Kuchkisimon va tunnel orqali yorib utishlar diodni ishdan chikarmaydi. Shu sababli bu utishda elektron kurilmalarda kullaniladi. Issiklik ta’sirida yorib utish esa, р-n utishni buzadi. O’z. Varaq Hujjat № Imzo Sana Varaq 1.20 N.XQM 00.00.000 HYo |
