Radioelektronika asoslari

Mashqlami bajarish tartibi
Ishning maketi ochiq panelda joriy qilingan bo‘lib, laboratoriya stendiga joylashtirilgan. U tkki kaskadli TfC-generator sxemasini tashkil qiladi. Uning prinsipial sxemasi va elementlaming kattaligi 8-rasmda ko'rsatilgan.
Generator sxemasitii yig'ish talaba tomonidan ko'chma elementlarni maketdagi uyalargajoylashtirish yo‘li bilan bajariladi. Ulaming kattaligini o'qituvchi ko‘rsatadi. O'zgarmas tok manbai vazifasida stcndning pastki qismi joylashgan 0,5^15 Kkuchlanishli to*g‘rilagich ishlatiiadi.
V


8-rasm. XC-gencratomhig prinsipial ncmasi.
,, V] -= MP-40 R, = 4,7 kOm ' ‘ R_} - kaii!
Ri ~ 820 Om Rj_r Rsr R11 2 kijfti
—o Ri = 6,8 kOm 2 620 Om
Rt - 22 kOm R$ = 33 kOm Rti = 3 kOm R/2 = ^00 Om Rii = 2,4 kOm ,i Cj, C_} = 0,1 fih
j Cj, Cj ^: ‘ 20 jii'

1. 
   9-rasmda tasvirlangan b!ok-sxema yig^lilsin. Unda o‘rganilayotgart generator (G) ishlab chiqaradigan tebranishlar elektron ossillografning (EO) “T’ kirishiga, ma'lum chastotali TG - tovush generatorirjing tebranishlari esa uning ‘X’ kirishiga beriladi. 0‘rganilayotgan va tovusb generatoming chastotalari o‘/aro teng bo'Iganda ossillograf ekranida ellips (Lissaju figurasi) hosil bo‘ladi.
   

T G - tovush gencratori (G3-33, G3-109) G - o'rganiladigan gcnerator.
M - manba.
EO - elektron ossillogiaf (01-67, Cl-72, CJ -73).
9 rasm. Ish bajarish blok-sxcmasi.

2. 
   Ossillografning “razvyortka” katitining dastasi “tashqi” holatig^ qo‘yilsin.
   
3. 
   Teskari bog'lanish zanjiridagi R_: o'zgaruvchan qarshilikning burasb dastasi chap yondagi chetki hoiatiga o‘tkaziisin.
   
4. 
   Tovush generatorining cliastotasini o'zgartira borib, ossillograf ekianida ellips hosil qilinsin va bu chastotaning qiymati yozib olmsin.
   
5. 
   3- va 4-bandiar Ri qarshilikning boshqa qiymatlarida (2, 3, 4, ...)
   

0‘lchash natijalari 1 -j ad valga joyiash ti rils i n.

R,
f.

6. 
   J