Raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti qarshi filiali

Sodda invertorli TTM ME sxemasi
Axborotni qayta ishlash va saqlash vazifalarini bajaruvchi zamonaviy mikroelektron apparatlarda turli
integratsiya darajasiga ega bo’lgan IMSlar ishlatiladi. Ayniqsa, KIS va O’KIS integratsiya darajasiga ega
bo’lgan IMSlar keng qo’llanilmoqda. TTM va EBM elementlari yuqori tezkorlikni ta’minlaydi, ammo
iste’mol quvvati va o’lchamlari katta bo’lganligi sababli, faqat kichik va o’rta integratsiya darajasiga ega
bo’lgan IMSlar yaratishdagina qo’llaniladi. 1962-yilda planar texnologik jarayon asosida kremniy oksidili
(SiO2) MDYA – tranzistor yaratildi, keyinchalik esa uning asosida guruh usulida ishlab chiqarish yo’lga
qo’yildi. Integral BTlardan farqli ravishda bir turdagi MDYA integral tranzistorlarda izolatsiyalovchi
cho’ntaklar hosil qilish talab etilmaydi. Shuning uchun, bir xil murakkablikka ega bo’lganda, MDYA –
tranzistorli IMSlar BTlarga nisbatan kristallda kichik o’lchamlarga ega va yasalish texnologiyasi sodda
bo„ladi. Kremniy oksidili MDYA ISlarning asosiy kamchiligi – tezkorlikning kichikligidir. Yana bir
kamchiligi – kata iste’mol kuchlanishi bo’lib, u MDYA ISlarni BT ISlar bilan muvofiqlashtirishni
murakkablashtiradi. MDYA ISlar asosan uncha kata bo’lmagan tezkorlikka ega bo’lgan va kichik tok
iste’mol qiladigan mantiqiy sxemalar va KISlar yaratishda qo’llaniladi. MDYA ISlarda eng yuqori
entegratsiya darajasiga erishilgan bo’lib, bir kristallda yuz minglab va undan ko’p komponentlar
joylashishi mumkin. MDYA – tranzistorli mantiq (MDYATM) asosida yuklamasi MDYA–tranzistorlar
asosida yaratilgan elektron kalit – invertorlar yotadi. Sxemada passiv elementlarning ishlatilmasligi,
IMSlar tayyorlash texnologiyasini soddalashtiradi. Mantiqiy IMSlar tuzishda n– yoki p–kanali
induksiyalangan MDYA tranzistorlardan foydalanish mumkin. Ko’proq n–kanalli tranzistorlar qo’llaniladi,
chunki elektronlarning harakatchanligi kovaklarnikiga nisbatan yuqori bo’lganligi sababli mantiqiy
IMSlarning yuqori tezkorligi ta’minlanadi. Bundan tashqari, n–MDYATM sxemalar kuchlanish nominali
va mantiqiy 0 va 1 sathlari bo’yicha TTM sxemalar bilan t o’liq m
uvofiqlikka ega.

---

Element ikkita mantiqiy kirishga ega bo‘lib, u ko‘p emitterli tranzistor (KET) asosida hosil qilingan
tok qayta ulagichi va VT1 tranzistorli elektron kalit (invertor)dan tuzilgan.
KET TTM turdagi MElarning o‘ziga xos komponentasi hisoblanadi. U umumiy baza va umumiy
kollektorga ega bo‘lgan tranzistorli tuzilmadir.
Standart sxemalarda kirishlar (emitterlar) soni KBIRL≤8. TTM elementlar tarkibidagi KET invers
rejimda yoki to‘yinish rejimda ishlashi mumkin.
Sxemaning statik rejimini tahlil qilishda quyidagi soddalashtirishlar qabul qilingan, agar:
- p-n o‘tish orqali to‘g‘ri tok oqib o‘tayotgan bo‘lsa, u holda o‘tish ochiq va undagi kuchlanish U*=0,7
V;
- p-n o‘tish kuchlanishi teskari, yoki U* dan kichik bo‘lsa, u holda o‘tish berk va oqib o‘tayotgan tok
nolga teng;
- tranzistor to‘yinish rejimida bo‘lsa, u holda kollektor – emitter oralig‘idagi kuchlanish
U*KE.TO’Y=0,3 ÷ 0,4 V.

---

Invertorlar global miqyosda muhim ro’l o'ynaydi, chunki u uzluksiz elektr ta'minotini
ta'minlaydi va odamlarga energiya talablarini qondirishga yordam beradi. Siz ishlab
chiqaruvchi tomonidan ishlab chiqarilgan tayyor inverterni ishlatgan bo'lishingiz mumkin,
ammo o'zingiz buni qanday qilishingiz mumkin. Ushbu maqolada tranzistorlar va
transformatorlar kabi ba'zi asosiy elektron komponentlar yordamida 12 vattni 120 vattga
aylantiradigan tranzistor yordamida oddiy inverter sxemasini qanday qilish kerakligi
tasvirlangan.