Raqamli texnologiyalar vazirligi muhammad al xorazmiy nomidagi


Download 78.03 Kb.
bet2/5
Sana19.06.2023
Hajmi78.03 Kb.
#1600224
1   2   3   4   5
Bog'liq
1 Kattta Mustaqil ish elektronika sxema

Element deb
biror elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondens ator va boshqalar)
funksiyasini amalga oshiruvchi IMS qismiga aytiladi va u kristall yoki asosdan ajralmagan konstruksiyada yasaladi.
IMS komponentasi deb uning diskret element funksiyasini bajaradigan, lekin avvaliga mustaqil mahsulot kabi montaj qilinadigan qismiga aytiladi.
Asosiy IMS konstruktiv belgilaridan biri bo‘lib asos turi hisoblanadi:

  • yarim o‘tkazgichli;

  • dielektrik.

Asos sifatida yarim o‘tkazgichli materiallar orasida Si va GaAs keng qo‘llaniladi.
IMSning barcha elementlari yoki elementlarning bir
qismi yarim o‘tkazgichli monokristall plastina ko‘rinishida asos ichida joylashadi.

Raqamli mikrosxemalarning umumiy tavsifi, kosatkichlari va shartli belgilari. mavzu k. oqituvchi. J. T. Rozimurodov 2 IMS haqida umumiy malumotlar IMS lar tasnifi. Raqamli mikrosxemalarning umumiy tavsifi. AR va RA aylantirgichlar Funksional IMSlar : 3 IMS haqida umumiy malumotlar Integral mikrosxema (IMS) elektr jihatdan ozaro boglangan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar)majmui bolib, yagona texnologik siklda bajariladi, yani bir vatqning ozida yagona konstruktsiya (asos)damalum axborotni qayta ishlash funktsiyasini bajaradi. IMSlarning asosiy xossasi shundaki, umurakkab funktsiyalarni bajarish bilan birga kuchaytirgich, trigger, ҳisoblagich, xotira qurilmasi va boshqa funktsiyalarni ҳam bajaradi. Xuddi shu funktsiyalarni bajarish uchun diskret elementlardamos keluvchi sxemani yigish talab qilinardi. IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv va texnologik. Konstruktiv belgisi shundaki, IMSning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jiҳatdan birlashtirilgan va yagona qobiqga joylashtirilgan bolib, yagona ҳisoblanadi. IMS elementlarining ҳammasi yoki bir qismi va elementlararo boғlanishlar yagona texnologik tsiklda bajariladi. SHu sababli integralmirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik tannarxga ega. 4 IMS lar tasnifi. IMS lar quyidagi belgilari asosida sinflarga ajratiladi 1. Integratsiya darajasi boyicha 2. Tayyorlanish texnologiyasi boyicha 3. Qayta ishlaydigan signali boyicha 5 IMSlar Integratsiya darajasi


Integratsiya darajasiga kura IMS lar : kichik integral' sxema (IS) kristallda 100 element gacha, Urta integral' sxema (UIS) kristallda 1000 element gacha, Katta integral' sxema (KIS) kristallda 10 ming. element gacha, Uta kata integral' sxema (UKIS) kristallda 10 ming. element dan kup Ranee ispol'zovalis' takje teper' ustarevshie nazvaniya: ul'tra bol'shaya integral'naya sxema (UBIS) ot 1-10 mln. do 1 mlrd. elementov v kristalle [9][10] i, inogda, giga bol'shaya integral'naya sxema (GBIS) bolee 1 mlrd. elementov v kristalle. V nastoyashee vremya, v 2010-x, nazvaniya «UBIS» i «GBIS» prakticheski ne ispol'zuyutsya, i vse mikrosxemi s chislom elementov bolee 10 tis. otnosyat k klassu SBIS. [9][10] 6 IMSlar tayyorlanish texnologiyasi boyicha sinfi Yarim otkazgichli IMS barcha elementlari va elementlararo ulanishlar yagona YO kristalda (mas. kremniy, Ge, arsenid-galli, gafniy oksidi) yasalgan. Plyonkali integral' mikrosxema barcha elementlari plenka-pardalar kurinishida tayyorlangan: Kalin pardali IMS; Yupka pardali IMS. Gibridli mikrosxema (yoki mikroyigma dyadi), soderjit neskol'ko beskorpusnix diodov, beskorpusnix tranzistorov i(ili) drugix elektronnix aktivnix komponentov. Takje mikrosborka mojet vklyuchat' v sebya beskorpusnie integral'nie mikrosxemi. Passivnie komponenti mikrosborki (rezistori, kondensatori, katushki induktivnosti) obichno izgotavlivayutsya metodami tonkoplyonochnoy ili tolstoplyonochnoy texnologiy na obshey, obichno keramicheskoy podlojke gibridnoy mikrosxemi. Vsya podlojka s komponentami pomeshaetsya v yediniy germetizirovanniy korpus. Gibridli mikrosxema rezistori kondensatori katushki induktivnosti Aralashgan tarkibli mikrosxema krome poluprovodnikovogo kristalla soderjit tonkoplyonochnie (tolstoplyonochnie) passivnie elementi, razmeshyonnie na poverxnosti kristalla. Aralashgan tarkibli mikrosxema 7 IMS qayta ishlaydigan signali boyicha sinfi Analogli. Analogli Rakamli. Rakamli Analogli-rakam li. Analogli-rakam li Analogoli mikrosxemalar vxodnie i vixodnie signali izmenyayutsya po zakonu neprerivnoy funksii v diapazone ot polojitel'nogo do otrisatel'nogo napryajeniya pitaniya. Analogoli mikrosxema Lara kam li mikrosxemalar vxodnie i vixodnie signali mogut imet' dva znacheniya: logicheskiy nol' ili logicheskaya yedinisa, kajdomu iz kotorix sootvetstvuet opredelyonniy diapazon napryajeniya. Naprimer, dlya mikrosxem tipaTTL pri napryajenii pitaniya +5 V diapazon napryajeniya 0…0,4 V sootvetstvuet logicheskomu nulyu, a diapazon ot 2,4 do 5 V logicheskoy yedinise; dlya mikrosxem ESL-logiki pri napryajenii pitaniya 5,2 V diapazon ot 0,8 do 1,03 V logicheskoy yedinise, a ot 1,6 do 1,75 V logicheskomu nulyu.TTL Analogli-rakam li mikrosxemalar azida sovmeshayut v sebe formi sifrovoy i analogovoy obrabotki signalov, naprimer,usilitel' signala i analogo-sifrovoy preobrazovatel'.sifrovoy analogovoy obrabotki signalov usilitel' analogo-sifrovoy preobrazovatel' 8 Analogli IMSlar Analogoli integral' sxemalar Analogoli integral' sxema Operasionn kuchaytirgichlar. Operasionn kuchaytirgichlar Komparatorlar. Komparatorlar Signallar generator lari. Signallar generator lari Fil'trlar (p'ezoeffekt asosidagi xamki radi). Fil'trlarp'ezoeffekt asosidagi xam Analogli kupaytirgichlar. Analogli attenyuator larva boshkariluvchi kuchaytirgichlar.attenyuatorlar Ta'minlash manbalari stabilizator lari: kuchlanish va tok stabilizator lari. stabilizator lari Impul'sli ta'minlash manbalari boshkarish mikrosxema lari. Signallar aylantirgichlari. Sinxronizasiya sxema lari. Turli datchiklar (masalan, temperatura datchik lari). 9 Raqamli IMS lar. Mantik elementlari Triggerlar Xisoblagichlar Registrlar Buferli aylantirgichlar Shifratorlari Deshifratorlar Rakamli komparator Rakamli komparatorlar Mul'tipleksorlar Demul'tipleksorlar Summatorlar Yarimsummatorlar Kalitlar ALU Mikrokontrollerilar (Mikro)prosessorlar(Mikro)prosessorlar (komp'yuterlar uchun RA lar xam) Birkristalli mikrokomp'yuterlar Xotira Mikrosxema lari va modul' lari DMISDMIS (dasturlashgan mantikli integral' sxemalar) 10 Analogli-raqamli IMSlar rakam li-analogi (RAA-SAP) va analogi-rakam li aslantirgichlar (ARA-ASP); rakam li-analogi (RAA-SAP) va analogi-rakam li aslantirgichlar (ARA-ASP); Rakamli xisoblash sintezator lari (SVS); Rakamli xisoblash sintezator lari transiverlar (naprimer, preobrazovatel' interfeysa Ethernet); transiverlarpreobrazovatel' interfeysa Ethernet Modulyatorlar va demodulyatorlar; Modulyatorlar va demodulyatorlar radiomodemlar Teletekst dekoder lari, UKV-radio-matnUKV-radio-matn Fast Ethernet transiver l arxiva optik liniyalar Fast Ethernet Dial-Up modemlar Rakamli TV kabul kilgichlari Optik sichkoncha kabul kilgichlari REK kurilmalari ta'minlash manbalari mikrosxema lari stabilizatora, va x.k.; Rakamli attenyuatorlar;attenyuatorlar Chastotani Fazoviy avtosozlash kurilmasi (FAPCh); Chastotani Fazoviy avtosozlash kurilmasi kommutatorlar; kommutatorlar Generatorlar va sinxronizasiya takte chastotasini tiklovchi kurilmalar; Bazoviy matrisa li kristalla (BMK): soderjit kak analogovie, tak i sifrovie sxemi; Bazoviy matrisa li kristalla 11 Yarim otkazgichli IMS Yarim otkazgichli IMS larda barcha elementlar va elementlarni ulash yarim otkazgich hajmi yoki sirtida amalga oshiriladi.Bunday IMS larda elementlar yarim otkazgichning 0,5-10 mk qalinlikdagi sirt qatlamiga joylashtiriladi va elementlar maxsus izolyasiya sohalari bilan ajratiladi. Yarim utkazgich IMS larda ishlatiladigan aktiv elementning turiga qarab ular 2 asosiy guruhga bolinadi: Bipolyar tranzistorlar asosidagi IMS lar. Metall – dielektrik yarim otkazgich (MDYa) tranzistorlar asosidagi IMS lar. Bipolyar mikrosxemaning asosiy elementi bolib n-p-n tranzistor hisoblanadi. MDYa mikrosxemalarda esa, n-kanalli MDYa tranzistor asosiy aktiv element hisoblanadi. 12 Gibrid IMS Gibrid IMS osma komponentlar va qatlamli passiv elementlardan tashkil topgan boladi. Dielektrik taglik - plataga yupqa qatlamli passiv elementlar-rezistor, induktivlik, kondensator hosil qilinib, aktiv element-korpussiz tranzistor, diodlar payvandlab ornatiladi. Gibrid IMS hosil qilingan qatlam qalinligiga qarab, yupqa qatlamli (d 1 mkm) va qalin qatlamli (d 1 mkm) IS larga bolinadi. Gibrid IMS lar nisbatan arzon va oson yasaladi, ammo olchamlari katta va yigish texnologiyasi murakkabligi sababli yarim otkazgich IMS larga qaraganda kamroq ishlatiladi. Yarim otkazgich IMS lar qator afzalliklarga ega bolishi bilan birga, ularning oziga xos kamchiliklari ham mavjud.
Raqamli mikrosxemalarning umumiy tavsifi, kosatkichlari va shartli belgilari. mavzu k. oqituvchi. J. T. Rozimurodov 2 IMS haqida umumiy malumotlar IMS lar tasnifi. Raqamli mikrosxemalarning umumiy tavsifi. AR va RA aylantirgichlar Funksional IMSlar REJA: 3 IMS haqida umumiy malumotlar Integral mikrosxema (IMS) elektr jihatdan ozaro boglangan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar va boshqalar)majmui bolib, yagona texnologik siklda bajariladi, yani bir vatqning ozida yagona konstruktsiya (asos)damalum axborotni qayta ishlash funktsiyasini bajaradi. IMSlarning asosiy xossasi shundaki, umurakkab funktsiyalarni bajarish bilan birga kuchaytirgich, trigger, ҳisoblagich, xotira qurilmasi va boshqa funktsiyalarni ҳam bajaradi. Xuddi shu funktsiyalarni bajarish uchun diskret elementlardamos keluvchi sxemani yigish talab qilinardi. IMSlar uchun ikki asosiy belgi mavjud: konstruktiv va texnologik. Konstruktiv belgisi shundaki, IMSning barcha elementlari asosiy asos ichida yoki sirtida joylashadi, elektr jiҳatdan birlashtirilgan va yagona qobiqga joylashtirilgan bolib, yagona ҳisoblanadi. IMS elementlarining ҳammasi yoki bir qismi va elementlararo boғlanishlar yagona texnologik tsiklda bajariladi. SHu sababli integralmirosxemalar yuqori ishonchlilikka va kichik tannarxga ega. 4 IMS lar tasnifi. IMS lar quyidagi belgilari asosida sinflarga ajratiladi 1. Integratsiya darajasi boyicha 2. Tayyorlanish texnologiyasi boyicha 3. Qayta ishlaydigan signali boyicha 5 IMSlar Integratsiya darajasi Integratsiya darajasiga kura IMS lar : kichik integral' sxema (IS) kristallda 100 element gacha, Urta integral' sxema (UIS) kristallda 1000 element gacha, Katta integral' sxema (KIS) kristallda 10 ming. element gacha, Uta kata integral' sxema (UKIS) kristallda 10 ming. element dan kup Ranee ispol'zovalis' takje teper' ustarevshie nazvaniya: ul'tra bol'shaya integral'naya sxema (UBIS) ot 1-10 mln. do 1 mlrd. elementov v kristalle [9][10] i, inogda, giga bol'shaya integral'naya sxema (GBIS) bolee 1 mlrd. elementov v kristalle. V nastoyashee vremya, v 2010-x, nazvaniya «UBIS» i «GBIS» prakticheski ne ispol'zuyutsya, i vse mikrosxemi s chislom elementov bolee 10 tis. otnosyat k klassu SBIS. [9][10] 6 IMSlar tayyorlanish texnologiyasi boyicha sinfi Yarim otkazgichli IMS barcha elementlari va elementlararo ulanishlar yagona YO kristalda (mas. kremniy, Ge, arsenid-galli, gafniy oksidi) yasalgan. Plyonkali integral' mikrosxema barcha elementlari plenka-pardalar kurinishida tayyorlangan: Kalin pardali IMS; Yupka pardali IMS. Gibridli mikrosxema (yoki mikroyigma dyadi), soderjit neskol'ko beskorpusnix diodov, beskorpusnix tranzistorov i(ili) drugix elektronnix aktivnix komponentov. Takje mikrosborka mojet vklyuchat' v sebya beskorpusnie integral'nie mikrosxemi. Passivnie komponenti mikrosborki (rezistori, kondensatori, katushki induktivnosti) obichno izgotavlivayutsya metodami tonkoplyonochnoy ili tolstoplyonochnoy texnologiy na obshey, obichno keramicheskoy podlojke gibridnoy mikrosxemi. Vsya podlojka s komponentami pomeshaetsya v yediniy germetizirovanniy korpus. Gibridli mikrosxema rezistori kondensatori katushki induktivnosti Aralashgan tarkibli mikrosxema krome poluprovodnikovogo kristalla soderjit tonkoplyonochnie (tolstoplyonochnie) passivnie elementi, razmeshyonnie na poverxnosti kristalla. Aralashgan tarkibli mikrosxema 7 IMS qayta ishlaydigan signali boyicha sinfi Analogli. Analogli Rakamli. Rakamli Analogli-rakam li. Analogli-rakam li Analogoli mikrosxemalar vxodnie i vixodnie signali izmenyayutsya po zakonu neprerivnoy funksii v diapazone ot polojitel'nogo do otrisatel'nogo napryajeniya pitaniya. Analogoli mikrosxema Lara kam li mikrosxemalar vxodnie i vixodnie signali mogut imet' dva znacheniya: logicheskiy nol' ili logicheskaya yedinisa, kajdomu iz kotorix sootvetstvuet opredelyonniy diapazon napryajeniya. Naprimer, dlya mikrosxem tipaTTL pri napryajenii pitaniya +5 V diapazon napryajeniya 0…0,4 V sootvetstvuet logicheskomu nulyu, a diapazon ot 2,4 do 5 V logicheskoy yedinise; dlya mikrosxem ESL-logiki pri napryajenii pitaniya 5,2 V diapazon ot 0,8 do 1,03 V logicheskoy yedinise, a ot 1,6 do 1,75 V logicheskomu nulyu.TTL Analogli-rakam li mikrosxemalar azida sovmeshayut v sebe formi sifrovoy i analogovoy obrabotki signalov, naprimer,usilitel' signala i analogo-sifrovoy preobrazovatel'.sifrovoy analogovoy obrabotki signalov usilitel' analogo-sifrovoy preobrazovatel' 8 Analogli IMSlar Analogoli integral' sxemalar Analogoli integral' sxema Operasionn kuchaytirgichlar. Operasionn kuchaytirgichlar Komparatorlar. Komparatorlar Signallar generator lari. Signallar generator lari Fil'trlar (p'ezoeffekt asosidagi xamki radi). Fil'trlarp'ezoeffekt asosidagi xam Analogli kupaytirgichlar. Analogli attenyuator larva boshkariluvchi kuchaytirgichlar.attenyuatorlar Ta'minlash manbalari stabilizator lari: kuchlanish va tok stabilizator lari. stabilizator lari Impul'sli ta'minlash manbalari boshkarish mikrosxema lari. Signallar aylantirgichlari. Sinxronizasiya sxema lari. Turli datchiklar (masalan, temperatura datchik lari). 9 Raqamli IMS lar. Mantik elementlari Triggerlar Xisoblagichlar Registrlar Buferli aylantirgichlar Shifratorlari Deshifratorlar Rakamli komparator Rakamli komparatorlar Mul'tipleksorlar Demul'tipleksorlar Summatorlar Yarimsummatorlar Kalitlar ALU Mikrokontrollerilar (Mikro)prosessorlar(Mikro)prosessorlar (komp'yuterlar uchun RA lar xam) Birkristalli mikrokomp'yuterlar Xotira Mikrosxema lari va modul' lari DMISDMIS (dasturlashgan mantikli integral' sxemalar) 10 Analogli-raqamli IMSlar rakam li-analogi (RAA-SAP) va analogi-rakam li aslantirgichlar (ARA-ASP); rakam li-analogi (RAA-SAP) va analogi-rakam li aslantirgichlar (ARA-ASP); Rakamli xisoblash sintezator lari (SVS); Rakamli xisoblash sintezator lari transiverlar (naprimer, preobrazovatel' interfeysa Ethernet); transiverlarpreobrazovatel' interfeysa Ethernet Modulyatorlar va demodulyatorlar; Modulyatorlar va demodulyatorlar radiomodemlar Teletekst dekoder lari, UKV-radio-matnUKV-radio-matn Fast Ethernet transiver l arxiva optik liniyalar Fast Ethernet Dial-Up modemlar Rakamli TV kabul kilgichlari Optik sichkoncha kabul kilgichlari REK kurilmalari ta'minlash manbalari mikrosxema lari stabilizatora, va x.k.; Rakamli attenyuatorlar;attenyuatorlar Chastotani Fazoviy avtosozlash kurilmasi (FAPCh)

Xulosa.
Men bu mustaqil ish tayyorlash jarayonida Integral mikrosxema (IMS) ko‘psonli tranzistor, diod, kondensator, rezistor va ularni bir-biriga ulovchi o‘tkazgichlarni yagona konstruksiyaga birlash tirishni chunib yetim . bir vaqtn in o‘zida sxemaning elektroradio elem entlari (E R E ) hosil qilinishini, ulanishlar amalga oshirilishini va bir vaqtda guruh usuli bilan ko‘p sonli bir xil integral mikrosxemalar hosil qilish mumkun ekan . IMS, yagona texnologik siklda, yagona asosda tayyorlangan va axborot o‘zgartirishda ma’lum funksiyani bajaruvchi o‘zaro elektr jihatdan ulangan E R E lar majmuasi ekanini chunib yetim.



Download 78.03 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling