Расчёт усилительного каскада на биполярном транзисторе, выполненного по схеме с общим эмиттером


Download 369.56 Kb.
bet1/2
Sana21.03.2023
Hajmi369.56 Kb.
#1285540
TuriСамостоятельная работа
  1   2
Bog'liq
Пример решения самостоятельная работа № 1

Самостоятельная работа №1


по дисциплине «Электроника и схемы 2»
на тему:
«РАСЧЁТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ, ВЫПОЛНЕННОГО ПО СХЕМЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ»
Цель работы: закрепить практические навыки расчета и измерения технических характеристик усилительных каскадов путем расчета усилительного каскада на биполярном транзисторе 2N2369A, выполненном по схеме с общим эмиттером

Исходные данные:



Вариант

Тип транзистора

Ток покоя базы Iбп, мкА

Напряжение питания Ек, В

Коллекторное сопротивление Rк, Ом

Нижняя граничная частота усиления fН, Гц

ххххх

2N2369A

50

5

620

100

1. Расчёт параметров транзистора 2N2369A

1.1 Построение семейства статических входных и выходных характеристик транзистора 2N2369A, соответствующих схеме с ОЭ.


Снятие семейства входных характеристик транзистора 2N2369A, соответствующих схеме с ОЭ Iб = f(Uбэ) при Uкэ = 0 В и Uкэ = 10 В.


Для этого собрали схему 1 для измерения параметров транзистора.



Рис. 1. Снятие семейства входных характеристик транзистора

Полученные значения IБ и UБЭ сведем в таблицу 1. По ним построим семейство статических входных характеристик транзистора 2N2369A.


Таблица 1.


Семейство статических входных характеристик транзистора 2N2369A соответствующих схеме с ОЭ Iб = f(Uбэ) при Uкэ = 0 В и Uкэ = 10 В.

UКЭ=0В

UКЭ=10В

IБ, мкА

UБЭ, мВ

IБ, мкА

UБЭ, мВ

25

475

25

686

50

495

50

716

75

507

75

733

100

516

100

745

125

523

125

754

150

529

150

761

175

534

175

767

200

538

200

773

250

545

250

781

300

551

300

789

350

557

350

795

400

562

400

800

По соответствующим данным построим график Iб = f(Uбэ) входных характеристик транзистора (Рис.2).



Рис.2. График Iб = f(Uбэ) входных характеристик транзистора 2N2369A


Снятие семейства выходных характеристик транзистора, соответствующих схеме с ОЭ Iк = f(Uкэ) при Iб = const.


Для этого соберем схему 2 для измерения параметров транзистора.



Ib = const

Рис. 3. Снятие семейства выходных характеристик транзистора

Полученные значения тока коллектора транзистора Iк и напряжения между коллектором и эмиттером транзистора Uкэ при постоянном значении тока базы Iб = 25 мкА; Iб = 50 мкА; Iб = 75 мкА; Iб = 100 мкА; Iб = 125 мкА; Iб = 150 мкА сведем в таблицу 2. По ним построим семейство статических входных характеристик Iк = f(Uкэ) при Iб = const транзистора 2N2369A.


Таблица 2.


Семейство статических выходных характеристик транзистора 2N2369A соответствующих схеме с ОЭ Iк = f(Uкэ) при Iб = const.



UКЭ

IК при
IБ=25 мкА

IК при
IБ=50 мкА

IК при
IБ=75 мкА

IК при
IБ=100 мкА

IК при
IБ=125 мкА

IК при
IБ=150 мкА

0

-0,2609

-0,052726

-0,07986

-0,106091

-0,132894

-0,159651

0,5

2,307

5,440

8,310

10,91

13,296

15,496

1,0

2,313

5,456

8,335

10,943

13,337

15,545

2,0

2,327

5,489

8,385

11,009

13,418

15,639

3,0

2,341

5,522

8,436

11,084

13,499

15,733

4,0

2,362

5,554

8,487

11,152

13,58

15,827

5,0

2,379

5,588

8,540

11,218

13,662

15,922

6,0

2,394

5,618

8,588

11,284

13,743

16,017

7,0

2,407

5,654

8,637

11,35

13,824

16,112

8,0

2,421

5,687

8,693

11,418

13,906

16,207

9,0

2,434

5,720

8,741

11,484

13,985

16,3

10

2,450

5,752

8,789

11,552

14,067

16,396

15

2,517

5,919

9,043

11,884

14,472

16,868

20

2,590

6,086

9,307

12,218

14,882

17,344

По соответствующим данным построим график Iк = f(Uкэ) выходных характеристик транзистора (Рис. 4).



Рис.4. График Iк = f(Uкэ) выходных характеристик транзистора 2N2369A
1.2 Определение h – параметров транзистора 2N2369A графическим путём с помощью полученных вольтамперных характеристик транзистора для схемы с общим эмиттером

О пределим параметр h11э из семейства входных характеристик транзистора 2N2369A Iб = f(Uбэ), полученных в пункте 1.1.1. По заданному току базы покоя Iбп=50 мкА, который определяет статический режим работы транзистора, на входной характеристике, соответствующей Uкэ=10 В, найдем рабочую точку "А", соответствующую этому току. Координаты точки "А": Iбп=50 мкА, Uбэп=716 мВ. Выберем вблизи рабочей точки "А" две вспомогательные точки приблизительно на одинаковом расстоянии и определим приращение тока базы ΔIб и напряжения ΔUбэ, по которым найдем дифференциальное сопротивление по формуле:


Из рис. 5 получим, что Iб1=25 мкА, Iб2=75 мкА, Uбэ1=686 мВ, Uбэ2=733мВ. Тогда h11э определится:




Рис.5. Графическое определение параметра h11э
Определим параметр h12э из семейства входных характеристик транзистора 2N2369A Iб = f(Uбэ), полученных в пункте 1.1.1. Для этого из рабочей точки "А" проведем горизонтальную линию до пересечения с характеристикой, снятой при Uкэ=0В. Приращение напряжения между коллектором и эмиттером транзистора 2N2369A определим по формуле:

ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=10В – 0В=10В


Этому приращению ΔUкэ соответствует приращение напряжения между базой и эмиттером транзистора:


ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=716мВ – 495мВ=221мВ



Рис.6. Графическое определение параметра h12э

Параметр h12э определим из формулы:





Определим параметр h21э из семейства выходных характеристик транзистора 2N2369A Iк = f(Uкэ) при Iб = const. Найдем рабочую точку "А" на выходных характеристиках транзистора как точку пересечения прямой нагрузки (Ек = 5В, Rк = 620 Ом) с выходной ветвью ВАХ для Iбп = 50 мкА.


По оси токов Iк откладываем значение Ек/ Rк = 8,06 мА
По оси напряжения Uкэ откладываем Ек = 5В



Рис.7. Графическое определение параметра h21э

Получаем следующие координаты рабочей точки "А": Iкп =5,5 мА, Uкэ=1,6 В. Проведем из рабочей точки вертикальную прямую до пересечения с ветвями ВАХ при Iб1 = 25 мкА и Iб3 = 75 мкА. Рассчитаем приращение тока базы ΔIб, взятого вблизи заданного значения тока базы Iбп, по формуле:


ΔIб = Iб3 – Iб1=75 мкА – 25 мкА=50мкА


Приращению ΔIб будет соответствовать приращение коллекторного тока, которое можно вычислить по формуле:


ΔIк = Iк2 – Iк1=8,4 мА – 2,4 мА = 6 мА


Параметр h21э определим из формулы:





Определим параметр h22э из семейства выходных характеристик транзистора 2N2369A Iк = f(Uкэ) при Iб = 50 мкА. Для этого на ветви характеристики при Iбп = 50 мкА вблизи рабочей точки "А" выберем две вспомогательные точки приблизительно на одинаковом расстоянии и определим приращение напряжения между коллектором и эмиттером транзистора:





Рис.8. Графический способ нахождения параметра h22э

ΔUкэ = Uкэ2 – Uкэ1= 2,84В – 0,84В = 2 В


Uкэ вызывает приращение коллекторного тока:


ΔIк=Iк4 – Iк3=5,5мА – 5,45мА = 0,05 мА

Тогда параметр h22э будет равен:





1.3 Найдем входное и выходное сопротивление транзистора 2N2369A по формулам:






1.4 Определим коэффициент передачи по току транзистора 2N2369A β





2. Расчет параметров элементов усилительного каскада с ОЭ





Рис.9. Схема усилительного каскада с ОЭ

2.1 Расчет резистивных элементов каскада


Определение тока делителя в режиме покоя





Определение суммарного сопротивления, задающего режим покоя.





Определение напряжения на сопротивлении Rэ.





Определение значения резистивных элементов (в соответствии с рядом номиналов сопротивлений Е24).



В соответствии с рядом значений сопротивлений Е24 получим, что




В соответствии с рядом значений сопротивлений Е24 получим, что






В соответствии с рядом значений сопротивлений Е24 получим, что





2.2 Расчет емкостных элементов каскада


Определение емкости конденсатора, шунтирующей сопротивление Rэ по переменному току.





В соответствии с рядом значений Е24 получим, что Сэ = 24 мкФ.


Определение емкостей разделительных конденсаторов.



В соответствии с рядом значений Е24 получим, что Ср1 = Ср2 = 9 мкФ.

2.3. Используя найденные параметры элементов, соберем схему (рис.8) усилительного каскада на биполярном транзисторе 2N2369A, выполненном по схеме с общим эмиттером


R1 заменим реостатом с номинальным сопротивлением равным 2·R1=13,6 кОм, в соответствии с рядом значений сопротивлений Е24 получим, что 2·R1=13 кОм. Установим Uвх = 0 (условие, при котором входной сигнал отсутствует) и будем добиваться режима покоя ( , Uбэп), изменяя сопротивление переменного резистора R1.





Рис.8. Усилительный каскад на биполярном транзисторе 2N2369A с ОЭ в режиме покоя


В режиме покоя имеем , а Uбэп= 713 мВ. Что очень близко к заданным.
Подстроенное значение R1=3,445 кОм

3. Определение параметров усилительного каскада.


Измерим входное сопротивление усилительного каскада на биполярном транзисторе 2N2369A, выполненном по схеме с общим эмиттером. Для этого сначала подадим на вход схемы сигнал 5 мВ при fср=10 кГц и снимем значения Uвх и Uвых (схема 4). При этом вольтметры следует поставить в режим измерения переменного напряжения (AC).





Рис.9. Усилительный каскад на биполярном транзисторе 2N2369A с ОЭ в режиме холостого хода

Входное напряжение усилительного каскада Uвх=2,599 мВ


Выходное напряжение усилительного каскада Uвых=164 мВ

Download 369.56 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling