Расчёт усилительного каскада на биполярном транзисторе,выполненного по схеме с общим эмиттером

Министерство по развитию информационных технологий и коммуникаций
Республики Узбекистан
Ташкентский университет информационных технологий имени Мухаммада аль-Хорезми

Самостоятельная работа №1

по дисциплине «Схемотехника и электроника 2»
на тему:
«РАСЧЁТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ,ВЫПОЛНЕННОГО ПО СХЕМЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ»

Выполнил студент гр_________

ХХХХХХХХ
ТАШКЕНТ-2020
Цель работы: закрепить практические навыки расчета и измерения технических характеристик усилительных каскадов путем расчета усилительного каскада на биполярном транзисторе 2N2369A, выполненном по схеме с общим эмиттером

Исходные данные:

Вариант	Тип транзистора	Ток покоя базы Iбп, мкА	Напряжение питания Ек, В	Коллекторное сопротивление Rк, Ом	Нижняя граничная частота усиления fН, Гц
ххххх	2N2369A	50	5	620	100

1. Расчёт параметров транзистора2N2369A

1.1 Построение семейства статических входных и выходных характеристик транзистора 2N2369A, соответствующих схеме с ОЭ.

Снятие семейства входных характеристик транзистора 2N2369A, соответствующих схеме с ОЭ I_б = f(U_бэ) при U_кэ = 0 В и U_кэ = 10 В.

Для этого собрали схему рис. 1 для измерения параметров транзистора.



Рис. 1.Снятие семейства входных характеристик транзистора

Полученные значения I_Б и U_БЭ сведем в таблицу 1. По ним построим семейство статических входных характеристик транзистора 2N2369A.

Таблица 1.

Семейство статических входных характеристик транзистора 2N2369A соответствующих схеме с ОЭ I_б = f(U_бэ) при U_кэ = 0 В и U_кэ = 10 В.

UКЭ=0В		UКЭ=10В
IБ, мкА	UБЭ, мВ	IБ, мкА	UБЭ, мВ
25	475	25	686
50	495