Real kalitlar Reja

I_{k to’y}=βR_bto’y

bu yerda, β=h_21E - baza tokining integral uzatish koeffitsiyenti. Taxminan

I_{k to’y} ≈E_m/R_k
deb olish mumkin. U holda
I_{b to’y} ≈E_m/βR_k
Baza toki I_{b .to’y} qiymatidan ortishi mumkin. Baza tokining bunday ortishini to’yinish koeffitsiyenti deb atash qabul qilingan.
S_to’y =I_b I_{b to’y}
S _to'y ning ortishi U _chiq ni kamayishiga olib keladi, ya’ni ВТ chiqish zanjirida sochilayotgan quw at kamayadi. Ammo S_to'y ning keragidan ortiq ortishi ВТ kirish zanjirida sochilayotgan quwatni sezilarli ortishi ga olib keladi. Hisoblar S_to'y= 1,5...2,0 qiymati ar optimal bo‘lishini ko‘rsatdi. Ko‘rib o‘tilgan sodda kalit sxemasida ВТ ish rejimi bilan bog‘liq boMgan katta inersiyalikka ega. Tranzistor to‘yinish rejimiga o‘tayotganda bazada ko‘p sonli noasosiy zaryad tashuvchilaming to‘planishi uchun vaqt talab qilinadi. Tranzistor to‘yinish rejimidan berk rejimga o‘tayotganda esa bu zaryad tashuvchilaming to‘planishi va, ayniqsa, ularning bazadan chiqarib yuborilishi tabiatan juda sekin kechadigan jarayon.

11.4-rasm. Shottki diodi bilan shuntlangan BTli kalit sxemasi.
Berilgan I_to’y qiymatida noasosiy zaryad tashuvchilami bazadan chiqarib yuborish vaqtini kamaytirish maqsadida nochiziqli TAli kalit qo‘llaniladi. Unda tranzistor aktiv rejim bilan to‘yinish rejimi chegarasida ishlaydi (11.4-rasm). BTning to‘g‘ri siljigan KO‘ni shuntlovchi Shottki diodi yordamida nochiziqli TA amalga oshiriladi. Tranzistor berk boiganda, kollektoming potensiali bazaga nisbatan musbat boiadi, demak, diod teskari ulangan boiadi va kalit ishiga ta’sir ko‘rsatmaydi. Kalit ulanganda kollektor potensiali bazaga nisbatan kamayadi, diod ochiladi va undan kirish tokining bir qismi oqib o‘tadi, ya’ni tranzistoming baza toki I_to’y qiymatiga tengligicha qoladi. Tranzistor aktiv rejim bilan to‘yinish rejimi chegarasida ishlaydi. Bazada zaryad tashuvchilar to‘planishi sodir bo‘lmaydi, natijada kalit ulanishidagi noasosiy zaryad tashuvchilami bazadan chiqarib yuborish vaqti nolga teng boiadi. Mos ravishda, kalit uzilishida ortiqcha zaryadlami chiqarib yuborish bosqichi mavjud boimaydi. Lekin bu holat, ochiq dioddagi kuchlanish pasayishi ochiq KO‘dagi kuchlanish pasayishidan kichik boigandagina haqiqiydir. Shuning uchun TA hosil qilish uchun Shottki diodi qoilaniladi. Shottki diodining ochiq holatdagi kuchlanish pasayishi U_DSH ~ 0,3 V ga teng boiib, ochiq kremniyli oiishdagi kuchlanish pasayishi U_kb=0,7 V dan kichikdir. Bundan tashqari, to‘g‘ri kuchlanish UKB=0,3 V ga teng bo’ganda tranzistor berk hisoblanganligi uchun, rezistor R_B ga boMgan talab ham yo‘qoladi. TA zanjirida yagona texnologik bosqichda hosil qilingan kremniyli tranzistor va Shottki diodi kombinatsiyasi asosida yaratilgan Shottki barerli tranzistor nomini olgan (11.5 a-rasm) tranzistor qoMlanilgan bo‘lib, uning shartli belgisi 11.5 b-rasmda keltirilgan.

11.5 -rasm. Shottki bererili tranzistor (a) va uning shartli belgisi (b).