1.6 Полупроводниковые фоторезисторы
Полупроводниковые фоторезисторы – это дискретные резисторы, принцип действия которых основан на увеличении проводимости полупроводникового материала под действием светового излучения.
В зависимости от материала резистивного элемента фоторезисторы могут быть чувствительны к электромагнитному излучению в широком интервале длины волны – от ультрафиолетового до инфракрасного.
Для изготовления светочувствительного резистивного элемента фоторезисторов в основном применяют полупроводниковые соединения типа А2В6: сернистый кадмий и селенистый кадмий, а также соединения типа А4В6: сернистый свинец. Светочувствительный резистивный элемент фоторезисторов изготовляют в виде тонкой пленки, наносимой на поверхность стеклянной подложки, либо в виде таблетки, спрессованной из порошка полупроводникового материала, либо в виде монокристаллического образца. Светочувствительный резистивный элемент фоторезисторов обычно помещают в пластмассовый или металлический корпус, который защищен прозрачной пластмассовой пленкой (рис.1.13).
Основными параметрами фоторезисторов являются:
Рабочее напряжение – это постоянное напряжение, приложенное к фоторезистору, при котором обеспечены номинальные значения его параметров при длительной работе.
Световой ток – это ток, протекающий через фоторезистор при рабочем напряжении и воздействии потока излучения заданных интенсивности и спектрального излучения.
Темновой ток – это ток, протекающий через фоторезистор при рабочем напряжении в отсутствии потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Темновое сопротивление – это сопротивление фоторезистора в отсутствии потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Кратность изменения сопротивления – это отношение светового тока к темновому току.
Do'stlaringiz bilan baham: |