Самостоятельная работа По предмету «Электроника и схемы2»
Download 0.87 Mb.
|
3адание на самостоятельную работу 1
|
ПРИМЕР РЕШЕНИЯ
Исходные данные:
1. Расчёт параметров транзистора2N2369A 1.1 Построение семейства статических входных и выходных характеристик транзистора 2N2369A, соответствующих схеме с ОЭ. Снятие семейства входных характеристик транзистора 2N2369A, соответствующих схеме с ОЭ Iб = f(Uбэ) при Uкэ = 0 В и Uкэ = 10 В. Для этого собрали схему рис. 1 для измерения параметров транзистора. Рис. 1.Снятие семейства входных характеристик транзистора Полученные значения IБ и UБЭ сведем в таблицу 1. По ним построим семейство статических входных характеристик транзистора 2N2369A. Таблица 1. Семейство статических входных характеристик транзистора 2N2369A соответствующих схеме с ОЭ Iб = f(Uбэ) при Uкэ = 0 В и Uкэ = 10 В.
По соответствующим данным построим график Iб = f(Uбэ) входных характеристик транзистора (Рис.2). Рис.2. График Iб = f(Uбэ) входных характеристик транзистора2N2369A Снятие семейства выходных характеристик транзистора, соответствующих схеме с ОЭ Iк = f(Uкэ) при Iб = const. Для этого соберем схему 2для измерения параметров транзистора. Ib = const Рис.3. Снятие семейства выходных характеристик транзистора Полученные значения тока коллектора транзистора Iк и напряжения между коллектором и эмиттером транзистора Uкэ при постоянном значении тока базы Iб = 25 мкА; Iб = 50 мкА; Iб = 75 мкА; Iб = 100 мкА; Iб = 125 мкА; Iб = 150 мкА сведем в таблицу 2. По ним построим семейство статических входных характеристик Iк = f(Uкэ) при Iб = const транзистора 2N2369A. Таблица 2. Семейство статических выходных характеристик транзистора 2N2369A соответствующих схеме с ОЭ Iк = f(Uкэ) при Iб = const.
По соответствующим данным построим график Iк = f(Uкэ) выходных характеристик транзистора (Рис.4). Рис.4. ГрафикIк = f(Uкэ) выходных характеристик транзистора2N2369A 1.2 Определение h – параметров транзистора 2N2369A графическим путём с помощью полученных вольтамперных характеристик транзистора для схемы с общим эмиттером О пределим параметр h11э из семейства входных характеристик транзистора 2N2369AIб = f(Uбэ), полученных в пункте 1.1.1. По заданному току базы покоя Iбп=50 мкА, который определяет статический режим работы транзистора, на входной характеристике, соответствующей Uкэ=10 В, найдем рабочую точку "А", соответствующую этому току. Координаты точки "А": Iбп=50 мкА, Uбэп=716 мВ. Выберем вблизи рабочей точки "А" две вспомогательные точки приблизительно на одинаковом расстоянии и определим приращение тока базы ΔIб и напряжения ΔUбэ, по которым найдем дифференциальное сопротивление по формуле: Из рис.5 получим, что Iб1=25 мкА, Iб2=75 мкА, Uбэ1=686 мВ, Uбэ2=733мВ. Тогда h11эопределится: Рис.5.Графическое определение параметра h11э Определим параметр h12э из семейства входных характеристик транзистора 2N2369AIб = f(Uбэ), полученных в пункте 1.1.1. Для этого из рабочей точки "А" проведем горизонтальную линию до пересечения с характеристикой, снятой при Uкэ=0В. Приращение напряжения между коллектором и эмиттером транзистора 2N2369A определим по формуле: ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=10В – 0В=10В Этому приращению ΔUкэ соответствует приращение напряжения между базой и эмиттером транзистора: ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=716мВ – 495мВ=221мВ Рис.6.Графическое определение параметра h12э Параметр h12э определим из формулы: Определим параметр h21э из семейства выходных характеристик транзистора 2N2369AIк = f(Uкэ) при Iб = const. Найдем рабочую точку "А" на выходных характеристиках транзистора как точку пересечения прямой нагрузки (Ек = 5В, Rк = 620 Ом, см. исходные данные) с выходной ветвью ВАХ для Iбп = 50 мкА. По оси токов Iк откладываем значение Ек/ Rк = 8,06 мА По оси напряжения Uкэ откладываем Ек = 5В Рис.7.Графическое определение параметра h21э Получаем следующие координаты рабочей точки "А": Iкп =5,5 мА, Uкэ=1,6В. Проведем из рабочей точки вертикальную прямую до пересечения с ветвями ВАХ при Iб1 = 25 мкА и Iб3 = 75 мкА. Рассчитаем приращение тока базы ΔIб, взятого вблизи заданного значения тока базы Iбп, по формуле: ΔIб = Iб3 – Iб1=75 мкА – 25 мкА=50мкА Приращению ΔIб будет соответствовать приращение коллекторного тока, которое можно вычислить по формуле: ΔIк = Iк2 – Iк1=8,4 мА –2,4 мА = 6 мА Параметр h21э определим из формулы: Определим параметр h22э из семейства выходных характеристик транзистора 2N2369AIк = f(Uкэ)при Iб = 50 мкА. Для этого на ветви характеристики при Iбп = 50 мкА вблизи рабочей точки "А" выберем две вспомогательные точки приблизительно на одинаковом расстоянии и определим приращение напряжения между коллектором и эмиттером транзистора: Рис.8.Графический способ нахождения параметра h22э ΔUкэ=Uкэ2 – Uкэ1=2,84В – 0,84В = 2 В Uкэ вызывает приращение коллекторного тока: ΔIк=Iк4 –Iк3=5,5мА – 5,45мА = 0,05 мА Тогда параметр h22э будет равен: 1.3 Найдем входное и выходное сопротивление транзистора 2N2369A по формулам: 1.4 Определим коэффициент передачи по току транзистора 2N2369A β Ib = const Рис.3. Снятие семейства выходных характеристик транзистора Полученные значения тока коллектора транзистора Iк и напряжения между коллектором и эмиттером транзистора Uкэ при постоянном значении тока базы Iб = 25 мкА; Iб = 50 мкА; Iб = 75 мкА; Iб = 100 мкА; Iб = 125 мкА; Iб = 150 мкА сведем в таблицу 2. По ним построим семейство статических входных характеристик Iк = f(Uкэ) при Iб = const транзистора 2N2369A. Таблица 2. Семейство статических выходных характеристик транзистора 2N2369A соответствующих схеме с ОЭ Iк = f(Uкэ) при Iб = const.
По соответствующим данным построим график Iк = f(Uкэ) выходных характеристик транзистора (Рис.4). Рис.4. ГрафикIк = f(Uкэ) выходных характеристик транзистора2N2369A 1.2 Определение h – параметров транзистора 2N2369A графическим путём с помощью полученных вольтамперных характеристик транзистора для схемы с общим эмиттером О пределим параметр h11э из семейства входных характеристик транзистора 2N2369AIб = f(Uбэ), полученных в пункте 1.1.1. По заданному току базы покоя Iбп=50 мкА, который определяет статический режим работы транзистора, на входной характеристике, соответствующей Uкэ=10 В, найдем рабочую точку "А", соответствующую этому току. Координаты точки "А": Iбп=50 мкА, Uбэп=716 мВ. Выберем вблизи рабочей точки "А" две вспомогательные точки приблизительно на одинаковом расстоянии и определим приращение тока базы ΔIб и напряжения ΔUбэ, по которым найдем дифференциальное сопротивление по формуле: Из рис.5 получим, что Iб1=25 мкА, Iб2=75 мкА, Uбэ1=686 мВ, Uбэ2=733мВ. Тогда h11эопределится: Рис.5.Графическое определение параметра h11э Определим параметр h12э из семейства входных характеристик транзистора 2N2369AIб = f(Uбэ), полученных в пункте 1.1.1. Для этого из рабочей точки "А" проведем горизонтальную линию до пересечения с характеристикой, снятой при Uкэ=0В. Приращение напряжения между коллектором и эмиттером транзистора 2N2369A определим по формуле: ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=10В – 0В=10В Этому приращению ΔUкэ соответствует приращение напряжения между базой и эмиттером транзистора: ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=716мВ – 495мВ=221мВ Рис.6.Графическое определение параметра h12э Параметр h12э определим из формулы: Определим параметр h21э из семейства выходных характеристик транзистора 2N2369AIк = f(Uкэ) при Iб = const. Найдем рабочую точку "А" на выходных характеристиках транзистора как точку пересечения прямой нагрузки (Ек = 5В, Rк = 620 Ом, см. исходные данные) с выходной ветвью ВАХ для Iбп = 50 мкА. По оси токов Iк откладываем значение Ек/ Rк = 8,06 мА По оси напряжения Uкэ откладываем Ек = 5В Рис.7.Графическое определение параметра h21э Получаем следующие координаты рабочей точки "А": Iкп =5,5 мА, Uкэ=1,6В. Проведем из рабочей точки вертикальную прямую до пересечения с ветвями ВАХ при Iб1 = 25 мкА и Iб3 = 75 мкА. Рассчитаем приращение тока базы ΔIб, взятого вблизи заданного значения тока базы Iбп, по формуле: ΔIб = Iб3 – Iб1=75 мкА – 25 мкА=50мкА Приращению ΔIб будет соответствовать приращение коллекторного тока, которое можно вычислить по формуле: ΔIк = Iк2 – Iк1=8,4 мА –2,4 мА = 6 мА Параметр h21э определим из формулы: Определим параметр h22э из семейства выходных характеристик транзистора 2N2369AIк = f(Uкэ)при Iб = 50 мкА. Для этого на ветви характеристики при Iбп = 50 мкА вблизи рабочей точки "А" выберем две вспомогательные точки приблизительно на одинаковом расстоянии и определим приращение напряжения между коллектором и эмиттером транзистора: Рис.8.Графический способ нахождения параметра h22э ΔUкэ=Uкэ2 – Uкэ1=2,84В – 0,84В = 2 В Uкэ вызывает приращение коллекторного тока: ΔIк=Iк4 –Iк3=5,5мА – 5,45мА = 0,05 мА Тогда параметр h22э будет равен: 1.3 Найдем входное и выходное сопротивление транзистора 2N2369A по формулам: 1.4 Определим коэффициент передачи по току транзистора 2N2369A β Download 0.87 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||