Самостоятельная работа тулкунов Рустам студент: 2 группы

Министерство по развитию информационных технологий и коммуникаций Республики Узбекистан

Ташкентский университет информационных технологий имени Мухаммада ал-Хоразмий

Самостоятельная работа 2


Выполнил: Тулкунов Рустам
студент: 721-21 группы
Проверила: Фазилжанов Исмоил

Ташкент-2022

Самоcтоятельная работа № 1

по дисциплине «Электронные приборы»
на тему:
«РАСЧЁТ УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ
ТРАНЗИСТОРЕ, ВЫПОЛНЕННОГО ПО СХЕМЕ С ОБЩИМ
ЭМИТТЕРОМ»

Цель работы: закрепить практические навыки расчета и измерения технических характеристик усилительных каскадов путем расчета усилительного каскада на заданном биполярном транзисторе, выполненном по схеме с общим эмиттером.

Задание:

Произвести расчет с применением программной среды Multisim усилительного каскада на биполярном транзисторе, выполненного по схеме с общим эмиттером (рис.1).

Вариант	Тип транзистора	Ток покоя базы Iбп, мкА	Напряжение питания Ек, В	Коллекторное сопротивление Rк, Ом	Нижняя граничная частота усиления fН, Гц
34	2N2369A	75	15	1500	200

1. Расчёт параметров транзистора 2N2369A

1.1 Построение семейства статических входных и выходных характеристик транзистора 2N2369A, соответствующих схеме с ОЭ.

Снятие семейства входных характеристик транзистора 2N2369A, соответствующих схеме с ОЭ I_б = f(U_бэ) при U_кэ = 0 В и U_кэ = 10 В.

Для этого собрали схему рис. 1 для измерения параметров транзистора.
Рис. 1.Снятие семейства входных характеристик транзистора

Полученные значения I_Б и U_БЭ сведем в таблицу 1. По ним построим семейство статических входных характеристик транзистора 2N2369A.

Таблица 1.
Семейство статических входных характеристик транзистора 2N2369A соответствующих схеме с ОЭ I_б = f(U_бэ) при U_кэ = 0 В и U_кэ = 10 В.

UКЭ=0В		UКЭ=10В
IБ, мкА	UБЭ, мВ	IБ, мкА	UБЭ, мВ
25	451	25	554
50	468