Shoyqulov shaxzod 2-mustaqil ish


IMSlarning belgilanish tizimi


Download 178.09 Kb.
bet2/5
Sana23.04.2023
Hajmi178.09 Kb.
#1393102
1   2   3   4   5
Bog'liq
Shoyqulov Shaxzod.2-mustaqil ish.Elektronika va sxemalar 2. - копия

IMSlarning belgilanish tizimi

  • IMSlar 6ta elementdan iborat boʼlgan belgilanish tizimi yordamida klassifikatsiyalanadi:
  • Birinchi element (K – harfi) – IMS keng koʼlamda qoʼllanilish uchun moʼljallanganligini bildiradi.
  • Eksport uchun moʼljallanganlari ЭК harflari bilan belgilanadi.
  • Ikkinchi element (harf) material va kobiq turini bildiradi (А- plastmassali planar, Э-metall-polimerli, chiqishlari 2qator qilib yasalgan,
  • И-shisha keramikli planar, Б-qobiqsiz va x.z.).

IMSlarning belgilanish tizimi

  • Uchinchi element (bitta son) – IMSning konstruktiv-texnologik turini bildiradi (1,5,6,7-yarimo‘tkazgichli, 2,4,8-gibrid, 3-boshqa: pardali, keramik, vakuumli).
  • To‘rtinchi element (ikkita yoki uchta son) – IMS seriyasining tartib raqamini bildiradi. Ikkita son birlalikda-aniq seriya raqamini bildiradi.
  • Beshinchi element (ikkita harf) – IMSning funksional vazifasini bildiradi.
  • Oltinchi element bir turdagi IMS seriyalari ichidagi ishlanma tartib raqamini bildiradi.

Yarimo‘tkazgich IMSlar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar

  • Yarimo‘tkazgich IMSlar tayyorlash uchun asosiy material bo‘lgan - kremniy monokristal quymalari olishdan boshlanadi. (Choxralskiy usuli)
  • Hosil bo‘lgan kremniy quymasi n– yoki p–turli elektr o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi.
  • Quyma uzunligi 150 sm, diametri esa 150 mm va undan katta bo‘lishi mumkin.
  • Zonali eritish usulida monokristal ifloslantiruvchi kiritmalardan qo‘shimcha tozalanadi.

Yarimo‘tkazgich IMSlar yaratishda texnologik jarayon va operatsiyalar

  • Epitaksiya. Epitaksiya jarayoni asos sirtida uning kristall tuzilishini takrorlovchi yupqa monokristal ishchi qatlamlar hosil qilish uchun ishlatiladi.
  • Gaz fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo‘lib, ular monokristal asos sirtida n– yoki r–turli o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan epitaksial qatlamlar hosil qilish imkonini beradi.
  • Termik oksidlash. Termik oksidlash – kremniy sirtida oksid (SiO2) qatlam (parda) hosil qilish maqsadida sun’iy yo‘l bilan oksidlashdan iborat jarayon. U yuqori (1000÷1200) 0S temperaturalarda kechadi.

Download 178.09 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling