Shunday qilib, biz op-ampning ishlashining "alifbosi" ni o'rganib chiqdik, ozgina va taqqoslashlarni qo'lga kiritdik

Bipolyar tranzistorning ulanish sxemalari
BTda elektrodlar uchta bo'lgani sababli, uch xil ulanish sxemalari mavjud: umumiy baza (UB) , umumiy emitter (UE) , umumiy kollektor (UK) (2-rasm). Bunda ВТ elektrodlaridan biri sxemaning kirish va chiqish zanjirlari uchun umumiy, uning o'zgaruvchan tok (signal) bo'yicha potensiali esa nolga teng qilib olinadi. BTning 2-rasmda keltirilgan ulanish sxemalari aktiv rejimga mos.

2-rasm. BTning statik rejimda umumiy baza (a), umumiy emitter (b) va umumiy kollektor (d) ulanish sxemalari.
Kuchlanish manbai qutblari va tranzistor toklarining yo’nalishi tranzistorning aktiv rejimiga mos keladi. UB ulanish sxemasi qator kamchiliklarga ega bo’lib, juda kam ishlatiladi. Har bir ulanish uchun statik xarakteristikalar oilasi ma‘lumotnomalarda keltiriladi. Eng asosiylari bo’lib tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari hisoblanadi. Qolgan xarakteristikalar kirish va chiqish xarakteristikalaridan hosil qilinishi mumkin. UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo’lib U = const bo’lgandagi I= f (U) bog’liqlik, U sxemasi uchun esa U = const bo’lgandagi I=f(U) bog‗liqlik hisoblanadi. Kirish xarakteris-tikalarining umumiy xarakteri odatda to’g’ri yo’nalishda ulangan p-n bilan aniqlanadi. Shu sababli tashqi ko’rinishiga ko’ra kirish xarakteristiklari eksponensial xarakterga ega (3- rasm).
holatiga tranzistorning to’yinish yoki aktiv ish rejimi, berk holatga esa - berkilish rejimi mos keladi. Agar tranzistor bazasiga manfiy kuchlanish berilsa (U_kir0V), u holda emitter va kollektor o’tishlar teskari yo’nalishda ulangan bo’ladi, ya‘ni berk holatda bo’ladi. Bu vaqtda tranzistor kollektor tokining berkilish rejimida ishlaydi va kalit uzilgan holatda bo’ladi. Berkilish rejimida tranzistor toklari mos ravishda:
I_e  0 , I_k = I_ko , I_b = -I_ko .
Natijada tranzistor kollektoridagi kuchlanish:
U_k = U_chiq = E_m – I_ko * R_k  E_m.
Bo’lib, yuklamaning manbadan uzilgan holatiga mos keladi (kalit uzilgan). Baza zanjirida R_b rezistor mavjud bo’lganda tranzistor baza kuchlanishi:
U_b = U_be = -U_kir + I_ko * R_b.