Sxematexnikaning aktiv diskret elementlari. Tranzistorlar, ularning turlari va ishlash prinsipi

 
3.3-rasm.Mos xolda p-n-p va n-p-n tiplardagi bipolyar tranzistorlar 
strukturalari (a,v ) va shartli grafik belgilanishlari (b, g) 
 
Kollektor esa tranzistorning bazasidan asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarni tortib olish 
(ekstraksiya) uchun mo‘ljallangan. Kollektor va baza o‘rtasidagi o‘tish kollektorli o‘tish deyiladi. 
Tranzistorni tayyorlash jarayonida uning barcha sohalari bitta monokristallda hosil qilinadi. 
Agar baza elektron o‘tkazuvchanlikli bo‘lsa tranzistor р–n–р tipli (3.3,a-rasm) , agar kovak 
o‘tkazuvchanlikli bo‘lsa n–р–n (2.3,б-rasm) tipli deb ataladi. Ularning ishlash asoslari bir xil, 
ammo u yoki bu tipli tranzistor qo‘llanilganda kuchlanish manbai qutbini mos holda o‘zgartirish 
lozim. 
n–р–n tipdagi tranzistorlar р–n–р tipdagi tranzistorlarga qaraganda kengroq qo‘llaniladi, 
chunki ularning parametrlari yaxshiroq.Buni quyidagicha izohlash mumkin: n–р–n типдаги 
tranzistorlarda yuzaga keluvchi elektr jarayonlarda asosiy rolni elektronlar o‘ynaydi, р–n–р 
tipdagi tranzistorlarda esa kovaklar o‘ynaydi. Elektronlar esa kovaklarga nisbatan 2-3 марта катта 
harakatchanlikga ega. 

---

Amalda kollektorli o‘tish yuzasi emitterli o‘tish yuzasiga nisbatan katta bo‘lib, bunday 
nosimetriklik tranzistorlar xususiyatlarini ancha yaxshilaydi. 
Tranzistorlarning shartli belgilash sxemalarida strelkalar bilan emitter toklari yo‘nalishlari 
ko‘rsatilgan. 
Bipolyar tranzistor asosi bo‘lib, uchta sohadan iborat kremniy yoki germaniy plastinka 
xizmat qiladi. Yuqorida ta’kidlanganidek, ikki chet qatlam bir xil o‘tkazuvchanlikli, o‘rta qatlam 
esa qarama-qarshi tipdagi o‘tkazuvchanlikga ega bo‘ladi. 
Kam quvvatli n–р–n tipdagi tranzistorning struktura sxemasi 3.4-rasmda keltirilgan. 
n
p
n
Б
Э
К
3.4-расм. n-p-n-tipdagi kam quvvatli bipolyar
tranzistorning struktura sxemasi 
Emitter va kollektordagi asosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyalari nisbati uncha katta 
ahmiyatga ega emas, ammo emitter va bazadagi asosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyalari juda 
muhim bo‘lib, ular tranzistorning xarakteristikalari va parametrlariga bevosita ta’sir ko‘rsatadi. 
Bazada asosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyalari emitternikiga nisbatan ko‘p marta katta 
bo‘lishi kerak va unga mos holda baza qatlami emitterli qatlamga nisbatan yuqoriroq omli bo‘lishi 
kerak.
Bundan tashqari emitter va kollektor orasidagi masofa juda kichik (bir mikrometrgacha) 
ya’ni, baza sohasi juda yupqa bo‘lishi kerak. 
Tashqi kuchlanishlar bo‘lmagan holda uchta qatlamlar bo‘linish chegaralarida hajmiy 
zaryadlar hosil bo‘ladi va ichki elektr maydon yaratiladi. Natijada qatlamlar orasida potensiallar 
farqi yuzaga keladi. 
Bipolyar tranzistorlarning ishlash asosini yarim o‘tkazgichli diodni o‘rganish chog‘ida 
ko‘rib o‘tilmagan biror-bir yangi fizik jarayonlar tashkil etmaydi, aksincha, tranzistorlarning 
o‘ziga xosligi uning konstruksiyasi xususiyatlaridan kelib chiqadi. 
Tranzistorning asosiy elementlari o‘zaro bog‘langan ikkita r-p o‘tish hisoblanadi. Bu o‘z 
navbatida tranzistor tuzilishini ikki diodli sxema ko‘rinishida formal tasvirlash imkonini beradi. 
Tranzistorlarning ishlash asosini tushunish uchun tranzistor r-p o‘tishlari o‘zaro kuchli 
ta’sirlashishini hisobga olish juda muhim. Chunki bir o‘tishning toki boshqa o‘tish tokiga kuchli 
ta’sir ko‘rsatadi, va aksincha. Aynan shu o‘zaro ta’sir tranzistorlarni ikki diodli sxemadan tubdan 
farq qilishini ko‘rsatadi. 
Ikki diodli sxemada har bir diodlarning toki faqat undagi kuchlanishga bog‘liq va boshqa 
diod tokiga bog‘liq emas. 

---

Tranzistorlardagi o‘zaro ta’sirining asosiy sababi: uning o‘tishlari orasidagi masofalarning 
juda kichik (20-30 mkM dan 1 mkM va undan kichik) bo‘lishidadir. Bu masofani baza qalinligi 
deyiladi. 
Tizimning ayni shu miqdoriy jihati tranzistorlarning sifat xususiyatlarini yuzaga keltiradi. 
Shuni ta’kidlash kerakki, elektronikada yangi sifatga ega bo‘lgan qurilmani yaratishning 
eng ko‘p qo‘llaniladigan usuli – bu yaxshi o‘rganilib chiqilgan ikki elementni o‘ziga xos va o‘ziga 
mos holda ulashdir. 
p-n-p va n–р–n tipdagi tranzistorlarning ishlash asoslari va ularda yuzaga keluvchi fizik 
jarayonlar o‘xshash bo‘ladi. Sanoat har ikkala turdagi tranzistorlarni ishlab chiqaradi. 
Tok bo‘lmagan holda p-n-p tipdagi tranzistorning elektron-kovak o‘tish strukturasi va 
potensial to‘siqlari 3.5-rasmda keltirilgan. 
3.5-rasm. Tok bo‘lmagan chog‘da p-n-p tipdagi tranzistor strukturasi (a)
va elektron-kovak o‘tish potensial to‘sig‘i (b) 
Maydonli tranzistorlar 
Maydonli tranzistorlarning tuzilishi va sinflanishi 
Hozirgi vaqtda elektron sxemalarda bipolyar, ya’ni ikki qutbli tranzistorlar bilan bir 
qatorda maydonli yoki bir qutbli tranzistorlar keng ishlatiladi. Ulardagi tok faqat bir ishorali zaryad 
tashuvchilar (elektronlar yoki kovaklar) hisobiga yuzaga keladi. Bunday tranzistorlardan 
o‘tayotgan tokning miqdori shu tok o‘tayotgan kanalning o‘tkazuvchanligi bilan aniqlanadi. Bir 
qutbli tranzistorlar ikki qutblilarga qaraganda sodda va arzon bo‘ladi. 
Maydonli tranzistorlarning sinflanishi va shartli grafik belgilanishi 3.6-rasmda keltirilgan. 
Maydonli tranzistor deb uch elektrodli yarim o‘tkazgichli asbobga aytiladi, unda kanal 
orqali o‘tuvchi tok tamba bilan kirish orasiga qo‘yilgan kuchlanish vujudga keltiradigan elektr 
maydon bilan boshqariladi bunda tokni zaryad tashuvchilarning bitta turi (elektronlar yoki 
kovaklar) ning kanal bo‘ylab harakati vujudga keltiradi.
Bu asbob elektromagnit tebranishlar quvvatini kuchaytirish uchun qo‘llaniladi. 

---

3.6-rasm.Maydonli tranzistorlarning sinflanishi va
shartli grafik belgilanishi 
Maydonli tranzistorda kanal - bu n-yoki r-yarim o‘tkazgichning sohasi bo‘lib, uning 
qarshiligi tambadagi potensialga bog‘liq. Asosiy zaryad tashuvchilarni kanalga kirituvchi elektrod 
kirish(K) deb, asosiy zaryad tashuvchilarni kanaldan chiqaruvchi elektrod esa chiqish(Ч) deb 
ataladi. Kanalning ko‘ndalang kesimini, ya’ni uning qarshiligini rostlovchi elektrod tamba(T) deb 
ataladi. 
Bipolyar va maydonli tranzistorlardagi kuchaytirgichlar 
Hozirgi vaqtda eng keng tarqalgan kuchaytirgichlarda kuchaytiruvchi element sifatida ikki 
qutbli yoki bir qutbli tranzistorlar ishlatiladi. Kuchaytirish quyidagicha amalga oshiriladi. 
Boshqariladigan element (tranzistor) ning kirish zanjiriga kirish signalining kuchlanishi (u
kir
) 
beriladi. Bu kuchlanish ta’sirida kirish zanjirida kirish toki hosil bo‘ladi. Bu kichik kirish toki 
chiqish zanjiridagi tokda o‘zgaruvchan tashkil etuvchini hamda boshqariladigan elementning 
chiqish zanjirida kirish zanjiridagi kuchlanishdan ancha katta bo‘lgan o‘zgaruvchan kuchlanishni
hosil qiladi. Boshqariladigan elementning kirish zanjiridagi tokning chiqish zanjiridagi tokka 
ta’siri qancha katta bo‘lsa, kuchaytirish xususiyati shuncha kuchliroq bo‘ladi. Bundan tashqari, 
chiqish tokining chiqish kuchlanishiga ta’siri qancha katta bo‘lsa (ya’ni Ri katta), kuchaytirish 
shuncha kuchliroq bo‘ladi. 
Tranzistorli kuchaytirgichlar uchun kuchaytirgich kaskadining umumiy elektrodini (bu 
elektrod bir vaqtda asbobning kirish va chiqish zanjirlariga kiradi) tanlashga qarab tranzistorni 

---

ulashning uchta asosiy sxemasi mavjud. Umumiy elektrod, odatda yerga ulanadi. Umumiy bazali 
tranzistorlarni ulash sxemasi qisqacha UB sxema deb atalib, 3.7, a-rasmda keltirilgan. 
а) 
б) 
в) 
3.7-расм. Tranzistorlarni ulashning umumiy bazali(a),
umumiy emitterli(b) va umumiy kollektorli(v) sxemalari 
Bu sxema tranzistorning fizik hususiyatlarini ko‘proq yaqqol ko‘rsatish imkonini beradi. 
Lekin unda quyidagi kamchiliklar bor: tranzistorni bunday ulashda tok kuchaymaydi, 
kuchaytirgichning kirish qarshiligi nisbatan kichik, chiqishi