Talabasi Soliyev Muhammadyusuf Eletronika va Sxemalar fanidan Labaratoriya ishi Topshirdi: Soliyev M. Qabul qildi: Ergashev Sh
Download 478.89 Kb.
|
Muhammadyusuf
- Bu sahifa navigatsiya:
- Q Utogri
- Xulosa
- UB ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish
- Chizmasi Natija.
u
bilan ifodalanadigan bo's sezilarli to’g’ri tok yuzaga keladigan ancha yuqori to’g’ri kuchlanish sohasiga siljigan. Germaniyli diodlarda Ubo's~0,25+0,4 V, kremniyli diodlarda - Ubos —0,68^0,8 V. ^>^bo'sbo’lgandaVAXto’g’rishohobchasiningegilishidiodbazasohasiningqarshi ligir'sbilananiqlanadi. Yarimo’tkazgichli diod VAXsiga tashqi muhit temperaturasining ta'siri 3.2rasm bilan tushuntiriladi. Temperatura ortganda to’g’ri va teskari tok ortadi.
G . Ш Г > t horn. rasm Yarimo’tkazgichli diodga temperatura ta'sirini hisobga oladigan asosiy parametrlar bo’lib quyidagilar hisoblanadi: Kuchlanishning temperaturaviy koeffitsinti a Q Uto'g'ri a — i — const Щ- va teskari tokni e martaga o’zgarishiga mos keluvchi temperatura t* t — tn t itesk(t) — itesk (t 0)e C'^uat ф •: - >ui I- /icueu— Jt on *3, 223 ГТ4—
шиш, las i ^ИНИГЯГ^ Г-- . ■ * / > •' • м « ап , U •, в jj;.L 717.71 V.V: 9, • ••::»*$$ ЕЖ— «Г. 1м I*
^ U ' ■ * * il - . . m :J 1 = 4.»щ Tmvi i"Qi Oitpi^n 3- LABORATORIYA ISHI UE ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish Ishning maqsadi: UE ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish. 5.3 - rasmda keltirilgan o’lchash sxemasini yig’ing. Tranzistor tsokolining sxemasi 5.4 - rasmda keltirilgan. Rezistor qarshiliklari Rj= (5-10 ) kOm va R2=(510-1000) Om. 0.000m All Wr 11.15m Alh 10k0hm —w*— 854.0m V|| 17.93m V|| Xulosa Men bu topshiriqni bajarishda UE ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etishni o’rgandim. Uning ishlash prinsipi bilan yaqindan tanishdim .Va bu menga ko’plab qiziqarli biimlarni o’ganishimga yordam berdi. UB ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etish || 17.93m Vl| Ishning maqsadi: UB ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish, xarakteristikalarni o’lchash va tajriba natijalarini qayta ishlash uslubi bilan tanishish. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik: 2. Chizmasi Natija. 1 kOhm -^VW- 10 к Ohm —Wv— -d.dddm All- -jl 11.88|J A, i] V 23.96|J V| 23.94p VI 11. 88 V| Xulosa Men bu topshiriqni bajarishda UB ulanish sxemasidagi BTni statik VAXlarini tadqiq etishni o’rgandim.Uning ishlash prinsipi bilan yaqindan tanishdim.Va bu menga ko’plab qiziqarli biimlarni o’ganishimga yordam berdi. Download 478.89 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling