34
№ 125.
Источник: «Полупроводниковые приборы на основе многослойной
структуры» Х.К.Арипов, И.С.Андреев, А.М.Абдуллаев, Ж.Т.Мақсудов,
Ш.Б.Рахматов, Ш.Т.Тошматов. 2019
Уровень сложности – 2
К основным схемам включения биполярного
транзистора в цепь не
относится следующая схема:
с общим затвором
с общим эмиттером
с общим коллектором
с общей базой
№ 126.
Источник: «Полупроводниковые приборы на основе многослойной
структуры» Х.К.Арипов, И.С.Андреев, А.М.Абдуллаев, Ж.Т.Мақсудов,
Ш.Б.Рахматов, Ш.Т.Тошматов. 2019
Уровень сложности – 2
К основным схемам включения полевого транзистора в
цепь не относится
следующая схема:
с общей базой
с общим затвором
с общим стоком
с общим истоком
№ 127.
Источник: «Полупроводниковые приборы на основе многослойной
структуры» Х.К.Арипов, И.С.Андреев, А.М.Абдуллаев, Ж.Т.Мақсудов,
Ш.Б.Рахматов, Ш.Т.Тошматов. 2019
Уровень сложности – 2
При активном режиме работы биполярного транзистора:
выходной ток пропорционален входному току
выходной ток пропорционален входному сопротивлению
выходной ток пропорционален входной емкости
выходное напряжение пропорционально входному сопротивлению
