Toshkent 022 y. Вопросы по дисциплине «Электроника и схемы 1»

№ 177. 
Источник: «Полупроводниковые приборы на основе многослойной 
структуры» Х.К.Арипов, И.С.Андреев, А.М.Абдуллаев, Ж.Т.Мақсудов, 
Ш.Б.Рахматов, Ш.Т.Тошматов. 2019 
“Электроника” Х.К.Арипов, А.М.Абдуллаев, Н.Б.Алимова Учебное 
пособие. — Ташкент: ТУИТ, 2008 
Уровень сложности – 2 
Полупроводник p-типа это… 
акцепторный полупроводник 
неполный полупроводник 
концентрация донорных захватов равна концентрации акцепторных 
внутренностей 
донор индукционный полупроводник 
 
№ 178. 
Источник: «Полупроводниковые приборы на основе многослойной 
структуры» Х.К.Арипов, И.С.Андреев, А.М.Абдуллаев, Ж.Т.Мақсудов, 
Ш.Б.Рахматов, Ш.Т.Тошматов. 2019 
“Электроника” Х.К.Арипов, А.М.Абдуллаев, Н.Б.Алимова Учебное 
пособие. — Ташкент: ТУИТ, 2008 
Уровень сложности – 2 
Полупроводник i-типа это… 
собственный полупроводник 
акцепторный полупроводник 
донор индукционный полупроводник 
концентрация донорных захватов равна концентрации акцепторных 
внутренностей 
 
№ 179. 
Источник: «Полупроводниковые приборы на основе многослойной 
структуры» Х.К.Арипов, И.С.Андреев, А.М.Абдуллаев, Ж.Т.Мақсудов, 
Ш.Б.Рахматов, Ш.Т.Тошматов. 2019 
“Электроника” Х.К.Арипов, А.М.Абдуллаев, Н.Б.Алимова Учебное 
пособие. — Ташкент: ТУИТ, 2008 
Уровень сложности – 2 
Полупроводник n-типа это... 
донорный полупроводник 
акцепторный полупроводник 
неполный полупроводник 
концентрация донорных захватов равна концентрации акцепторных 
внутренностей 
 
 
 

---

51 
№ 180.