Toshkent axborot texnologiyalari universiteti qarshi filiali telekommunikatsiya texnologiyalari va kasbiy

Kirish va chiqish oqimlarining farqlanishi
Keyinchalik aniq rasmiy tahlil kutilgan statik xatoni aniqlaydi. Biz 
taxmin qilamiz:
1. Barcha tranzistorlar bir xil tokka ega
2. Q1 va Q2 mos keladi va ular bir xil asos-emitter kuchlanishiga ega, 
shuning uchun ularning kollektor toklari tengdir.
Tugun ichidagi toklar yig'indisidan Q3 emitori, kollektor Q2 va Q1 va
Q2 bazalari bilan birga, emitent oqimi Q3 bo'lishi kerak
Kirish tugunidagi oqimlarning yig'indisi shundan iborat. (3) dan 
almashtirish yoki olib keladi.
Bu chiqish oqimi bo'lganligi sababli, statik xato, kirish va chiqish
oqimlari o'rtasidagi farq
NPN tranzistorlari bilan hozirgi daromad 100 ga teng va, asosan, mos
kelmaslik taxminan 1: 5000 ni tashkil qiladi.

---

Kirish va chiqish impedanslari va chastotalar
3-rasm

---

3-rasmda Kuchlanishni hisoblash uchun kichik signal modeli
O'chirish oqimi faqat uning chiqish oqimi uning chiqish kuchlanishiga bog'liq bo'lmagan
darajada ishlaydi. 1 va 2-rasmlar kontaktlarning zanglashiga olib keladigan kuchlanish
qiymati Q3 kollektoridan erga qadar potentsialga ega. Ushbu mustaqillikning o'lchovi bu
kontaktlarning zanglashiga olib keladigan impedans bo'lib, u chiqish voltajining o'zgarishini
tokning o'zgarishiga nisbati keltirib chiqaradi. 3-rasmda chiqishga ulangan, sinov
kuchlanish manbai bilan chizilgan Wilson joriy oyna signalining kichik modeli ko'rsatilgan. 
Chiqish empedansi bu nisbat:. Past chastotada bu nisbat haqiqiydir va chiqish empedansini
anglatadi.
Shaklda 3, Q1 va Q2 tranzistorlari standart ikki tranzistorli oqim oynasini hosil qilish
sifatida ko'rsatilgan. Ushbu pastki aylanish oynasining chiqish oqimi kirish oqimiga teng
deb taxmin qilish uchun chiqish empedansini hisoblash kifoya. Transistor Q3 o'zining past 
chastotali gibrid-pi modelini, kollektor oqimi uchun bog'liq tok manbai tomonidan joriy
boshqarilishini anglatadi.

---

Q3 emitter tugunidagi oqimlar yig'indisi quyidagilarni
anglatadi:
Q2 tranzistoriga ulangan diodning dinamik qarshiligi, sinov
kuchlanishidan ancha past bo'lgan ikki tranzistor oqim
oynasining kirish qarshiligi Q3 kollektor-emitter terminallari
orqali samarali ravishda paydo bo'ladi. Q3 tayanch oqimi. (5) 
tenglama yordamida Q3 kollektor tugunidagi oqimlar yig'indisi
bo'ladi. Chiqish empedansi eritmasi quyidagilarni beradi:
Oddiy ikki tranzistorli oqim oynasida chiqish empedansi bu
holatda ekvivalent bo'lgan erta chiqish tranzistorining dinamik
qarshiligi bo'ladi. Uilsonning joriy oynasi chiqish empedansiga
ega, bu taxminan 50X ga yuqoridir.

---

4a-rasm 4b-rasm 
4a-rasmda
to'rtta Uilson tranzistorlari oqim oynasi;
4b –rasmda
Yuqori chastotali javobning yuqori cho'qqisini olib tashlaydigan variant tasvirlangan.

---

Etiboringiz uchun raxmat!