Toshkent Axborot Texnologiyalari Universiteti Qarshi filliali tt va kt fakulteti ax-12-21 guruhi


Download 0.64 Mb.
Pdf ko'rish
bet2/3
Sana09.04.2023
Hajmi0.64 Mb.
#1346469
1   2   3
Bog'liq
7. Dilobar

elementlar qobiqsiz yoki jajji metallar
tayyorlanadi.GISlarning asosiy afzalliklari: 
ishlab chiqishning analog va raqamli
mikrosxemalarning keng (MDYA – asboblar, 
diodli va tranzistorli matritsalar) va ishlab
chiqarilayotgan mikros xemalarda yaroqlilar
iborat. GISlar aloqa apparatlarining qabul qilish
yuqori chastotali kuchaytirgichlarda, OʻYUCH
qurilmalarda va boshqalarda qoʻllaniladi.


Ishlatilgan tranzistor turiga muvofiq
yarimoʻtkazgich integral 
mikrosxemalar bipolyar va MDYA IMSlarga
ajratiladi. Hozirda
p– n oʻtish bilan boshqariladigan MTlar asosida
katta ahamiyat kasb etmoqda.
Shottki diodi koʻrinishida boʻlgan MTlar kiradi.
Soʻnggi paytda tarkibida ham bipolyar, ham 
maydoniy tranzistorlar IMSlar tayyorlanmoqda.
IMSning funksional murakkabligi uning
tarkibidagi element 
komponentlar sonini koʻrsatuvchi integratsiya
ifodalanadi.



IMS tuzilmasi hosil qilinuvchi texnologik
jarayon elementlarga omik kontaktlar olish va
elementlarni oʻzaro ulash
bilan yakunlanadi. Bu SiO2 qatlamda beshinchi
fotolitografiyani amalga
oshirish, alyuminiyni vakuumda purkash, 
alyuminiyni ishlatilmaydigan
sohalardan olib tashlash va termik ishlov berish
bilan amalga oshiriladi.
keltirilgan sxemaga mos IMS tuzilmasi
koʻrsatilgan.



MDYA – tranzistorlar asosidagi IMSlarni
tayyorlash
Diskret MDYA – tranzistorlarning VI bobda
keltirilgan tuzilish sxemalari va parametrlari
integral texnologiyasi mumkin. Bunda MDYA –
tranzistorlar asosida IMSlar tayyorlash
texnologiyasi BTlar asosida IMSlar tayyorlash
qaraganda ancha sodda boʻlib, u ikkita omil
bilan bogʻliq: 1). Kanallari bir xil
oʻtkazuvchanlikka ega integral MDYA–
tranzistorlar uchun tuzilmalarni
izolyatsiyalash operatsiyasi talab
etilmaydi.


MDYA – tranzistorli IMSlar yaratishda zatvor
ostidagi dielektrik
qatlamni hosil qilish eng murakkab jarayon
boʻlgani uchun unga alohida
talablar qoʻyiladi. Xarakteristika tikligini
oshirsh uchun (6.18)ga
muvofiq zatvor osti dielektrikning qalinligi
kamaytirilishi kerak. Oxirgi
40 yil ichida dielektrik material sifatida asosan
kremniy ikki oksidi
(SiO2) qoʻllanilib keldi, zatvor esa kremniydan
tayyorlandi
.


MDYA – tranzistorlar ichida metall - nitrid
kremniy - dielektrik -yarimoʻtkazgich
(MNDYA) tranzistorlar alohida oʻrin
tutadi Bunday tranzistorlar xotira elementi
rolini bajaradi va qayta
dasturlanuvchi xotira qurilmalar asosini
tashkil etadi.



TTM va TTMSH, 
markalanishi va
xarakteristikalari.



Download 0.64 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2023
ma'muriyatiga murojaat qiling