Toshkent davlat texnika universeteti avtomatika va elektronika fakulteti

r_b – baza qarshiligi; dreyf tranzistori uchun r_b= , ya’ni bu kattalik bazaning tarqalish qarshiligi.
2 – ilova tenglamalari asosida:



r_b qarshiligini namunaviy (tipik) rejim uchun S_k kollektor o‘tish siѓimi va qayta boѓlanish zanjirining vaqt doimiysi τ_k qiymatlari orqali aniqlash mumkin.

1 – ilovada berilgan ma’lumotlar asosida _k = 400ps = 400∙10^-12 s va S_k= 8 pF = 8∙10^-12 F ga ega bo‘lamiz.
Bu qiymatlarni r_b ni aniqlash formulasiga qo‘yib quyidagini xosil qilamiz:

Xar ikkila xolatda xam r_b ning qiymatlari bir-biridan kam farq qiladi, bu esa h_e – parametrlarini olingan qiymatlarini to‘ѓriligini ko‘rsatadi.
Qolgan kattaliklarni aniqlash mezoni sifatida ishchi nuqtani stabilligini ta’minlash talab kilinadi. Ma’lumki, tranzistorning maxsus xususiyatlaridan biri uning parametrlari xarorat va ish rejimlariga boѓliqligidir. Ish nuqtasining xar qanday ∆I_k va ∆U_ka=∆I_ka∙R_k kattaliklariga siljishi tranzistorning differensial parametrlarini o‘zgarishiga olib keladi. Agar A nuqtasining siljishi xarorat o‘zgarishi bilan boѓliq bo‘lsa, parametrlarning xaroratga qiya boѓliqligi xosil bo‘ladi. ∆I_ka va U_ka parametrlarining katta siljishi sezilarli nochiziqli xatoliklarga va xattoki signalni qisman yoki to‘liq chetga chiqib ketishga olib keladi.
Tranzistorning ishchi toki qiymatiga, ya’ni ishchi nuqtasining stabilligiga quyidagi asosiy kattaliklar ta’sir qiladi: I_ko– issiqlik toki, emitter o‘tishidagi kuchlanish va tokning integral uzatish koeffisiyenti β. Bu kattaliklarning barchasi tranzistor ish rejimi va xaroratga boѓliq.
Kollektor toki to‘liq orttirmasining rejim kattaliklari o‘zgarishiga boѓliqligini ko‘rib chiqamiz.

bu ifodaga ∆I_b baza toki orttirmasini qo‘yamiz. Baza tokining o‘zgarishi kuchlanish o‘zgarishi xamda baza zanjirida kollektor orttirmasining tarqalishi bilan boѓliq.

bunda R_eb – emitter va baza orasidagi zanjir qarshiligi.
- tokning tarqalish koeffisiyenti, bu kattalik kollektor tokining qancha qismi baza zanjirida tarqalayotganligini ko‘rsatadi. ∆I_k ifodasiga ∆I_b ni qo‘yamiz va bundan uning rejimi nisbiydir. Demak:

bunda β– UE sxemasi bo‘yicha tranzistorning kuchaytirish koeffisiyenti;
 – UB sxemasi bo‘yicha tranzistorning kuchaytirish koeffisiyenti.

- ekanligi xisobga olinsa to‘liq orttirma quyidagicha yozilishi mumkin:

Qavsdan tashqariga chiqarilgan ifoda nostabillik koeffisiyenti deb yuritiladi:

Ifodadan ko‘rinadiki, S kattaligi umumiy xamda transzistorning ish rejimi va xaroratga boѓliq emas, R_e va R_b rejim rezistorlari kattaliklarining munosabati orqali aniqlanadi:

γ_b – kattaligining 0 dan (R_e=∞, R_b≠∞) 1 gacha (R_e=∞, R_e≠∞) o‘zgartirilsa S nostabillik koeffisiyenti S_min=; S_max=β oraliqda o‘zgaradi. Demak, maksimal stabillik qiymatiga erishish uchun γ_b≈1 sharti bajarilishiga erishish yoki R_e»R_b tengsizlik bajarilishi xar doim xam maqsadga muvofiq bo‘lmaydi.
Shu vaqtgacha, biz ∆I_ko, ∆U_eb, ∆β kattaliklarini qanday shartlarga binoan qabul qilinganini belgilamay, umumiy xolda ko‘rsatgan edik. Amalda, ∆I_ko va ∆U_eb kattaliklarini qabul qilishda faqat xaroratga boѓliq bo‘lgan xoldagi qiymatlarini olish mumkin:
germaniyli tranzistori uchun
kremniyli tranzistori uchun.
I⁰_ko – bu T₀ ^oK xaroratida kollektor o‘tishidagi teskari tok.
Masalan, agar germaniyli tranzistorda I⁰_ko=2mkA bo‘lsa, T₀=293⁰ K, T=333⁰ K (60⁰ s) xaroratda

Emitter-baza o‘tishida kuchlanish o‘zgarishi
,
bu yerda γ_t – baza kuchlanishining issiqlik siljishi koeffisiyenti. Umumiy xolda γ_t bazadagi berilgan siljish va xaroratga boѓliq, lekin xisoblashlarni yengillashtirish maqsadida γ_t xaroratga boѓliq emas, deb qabul qilinadi va uning o‘rtacha qiymatidan foydalaniladi γ_t =-2,3 mV/grad.
Bu xolda U_eb kuchlanish o‘zgarishi xarorat o‘zgarishi bilan chiziqli boѓlanishga ega. β integral kuchaytirish koeffisiyenti xam xaroratga boѓliq. β koeffisiyentining xaroratga boѓliq tavsifnomalari ilovada keltirilgan.
Kollektor toki kattaligining ruxsat etilgan qiymatdan chetga chiqishi va ∆I_t ifodasiga R_e, R_b qiymatlarining kirishini xisobga olib, ushbu kattaliklardan birini ma’lum deb qabul qilamiz va boshqasini aniqlaymiz. Masalan, R_b kattaligi ma’lum deb olinsa, R_e qiymati topiladi, bu xolda ∆I_k<∆I_k.rux.et.

Bu xolda agar R_e qiymati ma’lum deb xisoblansa, R_b qiymati quyidagi ifoda orqali aniqlanishi mumkin:

Emitter o‘tishidagi kuchlanish orttirmasi quyidagicha aniqlanadi:

∆U_be = γ _t ∙ ∆T = –2,3 ∙ 80 = – 184 mV.
Kollektor qaytish toki orttirmasini Kelvin bo‘yicha xaroratlarda aniqlaymiz:

Tok bo‘yicha kuchaytirish koeffisiyenti orttirmasini aniqlaymiz. 2-ilovadagi grafiklardan (5-rasm) xarorat oraliqlar bo‘yicha olinadi.

Minimal xarorat bo‘yicha

Maksimal xarorat bo‘yicha

Kollektor tokining ruxsat etilgan qiymatidan kelib chiqib, R_b rezistori qarshiligi qiymatini aniqlaymiz

I_e = I_e + I_b = 15 + 0,5=15,3 mA
R_b = 5,1 kOm
R_b1 va R_b2 rezistor qarshiliklarini aniqlaymiz: