Уэ схемасига асосида 2N4920 транзисторининг кириш характеристикалари яъни U
Download 261.8 Kb.
|
elektr amaliy
1. 2N4920транзисторининг параметрларини тахлил қилиш 1.1 УЭ схемаси асосида 2N4920 транзисторининг ки риш ва чиқиш статик характеристикаларининг графигини тузиш. УЭ схемасига асосида 2N4920 транзисторининг кириш характеристикалари яъни Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганида Iб = f(Uбэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш. Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади. 1- расм 1- расм. Транзисторнинг кириш характеристикалари оиласини аниқлаш Аниқланган IБ ва UБЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида 2N4920 транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз. 2N4920 транзисторнинг УЭ схемасига мос равишда Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганда Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи 1-жадвал
Берилган қийматлар асосида Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графигини чизамиз (2- расм). (2- расм). 2N4920 транзисторининг Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графиги УЭ схемасига асосан 2N4920 транзисторининг чиқиш характеристикалари, яъни Iб = const бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш. Транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади (3- расм) Ib = const 3- расм. Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласини аниқлаш База токининг Iб = 25 мкА; Iб = 50 мкА; Iб = 75 мкА; Iб = 100 мкА; Iб = 125 мкА; Iб = 150 мкА қийматларида транзисторнинг коллектор токи Iк ва коллектор ва эмиттер орасидаги кучланиш Uкэ олинган қийматларини 2-жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида 2N4920 транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = const бўлганда Iк = f(Uкэ) графиги тузилади. 2N4920 транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) 2-жадвал
Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) графигини тузамиз (4-расм). 4-расм. 2N4920 транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) графиги 1.2 2N4920 транзисторининг умумий эмиттер схемаси учун олинган вольтампер характеристикасидан график усулда h– параметрини аниқлаш. 2N4920 транзисторининг кириш характеристикалари оиласи Iб = f(Uбэ) дан, h11э ни аниқлаймиз. Транзисторнинг статик режимини аниқловчи Uкэ=10 В га мос келувчи берилган база сокин токи Iбп=50 мкА қиймати ёрдамида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз. “А” нуқтанинг координаталри: Iбп=50 мкА, Uбэп=10608 мВ. “А” ишчи нуқта яқинида бир хил масофада иккита ёрдамчи нуқталар аниқлаб оламиз ва оралиқ база токи ΔIб ва оралиқ кучланиш ΔUбэқийматини аниқлаб, қуйидаги ифода ёрдамида дифференциал қаршиликни топамиз:: 5- расмдан Iб1=25 мкА, Iб2=75 мкА, Uбэ1=10588 мВ, Uбэ2=10620мВ қийматларни оламиз. У ҳолда h11эқуйидагича аниқланилади: 5- расм.h11э параметрини график усулда аниқлаш 2N4920 транзисторининг кириш характеристикалари оиласи Iб = f(Uбэ) дан, h12э ни аниқлаймиз. Бунинг учун Uкэ=0В холатида олнган характеристикани кесишувчи “А” нуқтадан горизантал чизиқ ўтказиб оламиз. 2N4920 транзисторининг эмиттер ва коллектор орасида кучланиш орттирмаси қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади: ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=10В – 0В=10В ΔUкэ қийматига асосан транзисторнинг эмиттер ва базаси орасидаги кучланиши орттирмасини аниқлаймиз: ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=10608мВ – 609мВ=9999мВ 6-расм.h12э параметрни график усулда аниқлаш h12э параметрини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз: 2N4920 транзситорининг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ)(Iб = const) дан h21э параметрини аниқлаймиз. Iбп = 50 мкА учун ВАХ ни чиқиш шахобчаси билан юкламаннг чизиқли кесишмаси (Ек = 5В, Rк = 620 Ом) сифатида тарнзисторнинг чиқиш характеристикасида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз Iк токи ўқи бўйича Ек/ Rк = 8,06 мА қийматини ажратиб оламиз. Uкэ кучланиши ўқи бўйича Ек = 5В қийматини ажратиб оламиз. 7-расм.h21э параметрини гарфик усулда аниқлаш “А” ишчи нуқтаси учун қуйидаги координаталарни оламиз: Iкп =5,5 мА, Uкэ=1,6В. Iб1 = 25 мкА ва Iб3 = 75 мкА бўлганидаги ВАХ ни шахобчалари билан кесишгунига қаар ишчи нуқтадан тўғри верткал чизиқ ўтказамиз. Берилган Iбпбаза токи қийматига яқин қийматда олиган ΔIб база токи орттирмасини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз: ΔIб = Iб3 – Iб1=75 мкА – 25 мкА=50мкА Қуйидаги ифода ёрдамида аниқланадиган коллектор токининг орттирмаси, ΔIб база токи орттирмасига мос келади: ΔIк = Iк2 – Iк1=20 мА – 7,3 мА = 12,7 мА h21э параметри қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади: 2N4920 транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = 50 мкА бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқликдан h22э параметрни аниқлаймиз. Бунинг учун Iбп = 50 мкА бўлганда характеристика шахобчасида “А” ишчи нуқта яқинида иккита бир хил масофалардаги ёрдамчи нуқталар танлаймиз ва транзисторнинг эмиттер ва коллектори орасидаги кучланишни орттирмасини аниқлаймиз: 8-расм. h22э параметрини график усулда аниқлаш ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1= 3В – 1В = 2 В Бу Uкэ эса коллектор токини орттирмасини келтириб чиқаради: ΔIк=Iк4 – Iк3=14,12мА – 13,77мА = 0,35 мА У ҳолда h22э параметри қуйидагига тенг: 1.3. 2N4920 транзисторининг кириш ва чиқиш қаршилигини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлаймиз: 1.4. BC846 транзисторининг ток бўйича узатиш коэффициенти β ни аниқлаймиз: Download 261.8 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: |
ma'muriyatiga murojaat qiling