Va kammunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti

4. h22E parametr - tranzistorning differensial o‘tkazuvchanligini hisoblash:



parametrni hisoblash:

= , bo‘lganda 𝐼𝐵=𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡; bu yerda: Δ𝐼𝐾=𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥−𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛 va

Δ𝑈𝐾𝐸=𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥−𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛;

Δ𝐼𝐾=𝐼𝐾.𝑚𝑎𝑥−𝐼𝐾.𝑚𝑖𝑛 = 25.48 – 13.87 = 11.61 mA;

Δ𝑈𝐾𝐸=𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑎𝑥−𝑈𝐾𝐸.𝑚𝑖𝑛 = 12 – 2 = 10 V

= = 0.001161.

XULOSA

Men bu labaratoriya ishida Bipolyar transistor ulanish sxemasida bipolyar tranzistorlarning asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etishni o’zlashtirdim. Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari oilasini o‘lchash prinspial sxemasini NI Multisim dasturiy muhitida yig‘dim.